Соответствует распределению

Крайнее нижнее положение ползуна (КНП) на левой части рисунка соответствует расположению частей штампа в момент окон!ания процесса вырубки; крайнее верхнее положение (КВП) на правой части рисунка соответствует моменту полного раскрытия штампа. Пуансон 1 и матрица 4 в совокупности представляют инструмент, осуществляющий операцию холодной штамповки — в данном случае вырубки наружного контура детали 5 из ленты 3. Съемник 2 предназначен для снятия отхода 6 с пуансона / при ходе ползуна пресса вверх. Размер подачи t материала за один ход пресса равен сумме размеров детали и перемычки.

Треугольник сопротивлений для рассматриваемой цепи показан на 5.21. Расположение его сторон соответствует расположению сторон треугольника напряжений на векторной диаграмме 5.20. Сдвиг фаз ф в этом случае отрицателен, так как напряжение отстает по фазе от тока:

вектор, изображающий амплитуду приложенного к цепи напряжения. Получившийся прямоугольный треугольник с катетами Uят и ирт получил название треугольника напряжений. Для исключения из векторной диаграммы вспомогательных построений векторы Uim и Ист можно строить не из начала координат, а из конца вектора Uam, как показано на топографической диаграмме 3.20. Топографическими векторными диаграммами называют такие, в которых расположение векторов напряжений на элементах цепи соответствует расположению самих элементов цепи в схеме. При этом каждая точка диаграммы отображает определенную точку схемы. Рассматривая снова треугольник напряжений, находим амплитуду напряжения, приложенного ко всей цепи: ^/" дг

Последовательность расположения материала в книге соответствует расположению, принятому в шестом издании учебника по ТОЭ Л. А. Бессонова. Структура задачника следующая: сначала представлен раздел условий задач, затем следует раздел решений и в заключение дается раздел ответов. Решенные задачи составляют от 30 до 40% от общего числа задач каждой главы. Задачи, имеющие решения, снабжены буквой р. В каждом из разделов (условий, решений, ответов) своя нумерация рисунков. Рисунки в разделе условий имеют двойную нумерацию, например 10.20. Цифра до точки указывает номер главы, после — порядковый номер внутри главы. Рисунки в разделах решений и ответов имеют тройную нумерацию; в разделе решений с дополнительной буквой Р, например Р. 10.20; в разделе ответов с дополнительной буквой О, например О. 10.15.

Последовательность расположения материала в книге соответствует расположению, принятому в шестом издании учебника по ТОЭ Л. А. Бессонова. Структура задачника следующая: сначала представлен раздел условий задач, затем следует раздел решений и в заключение дается раздел ответов. Решенные задачи составляют от 30 до 40% от общего числа задач каждой главы. Задачи, имеющие решения, снабжены буквой р. В каждом из разделов (условий, решений, ответов) своя нумерация рисунков. Рисунки в разделе условий имеют двойную нумерацию, например 10.20. Цифра до точки указывает номер главы, после — порядковый номер внутри главы. Рисунки в разделах решений и ответов имеют тройную нумерацию; в разделе решений с дополнительной буквой Р, например Р. 10.20; в разделе ответов с дополнительной буквой О, например О. 10.15.

Знак «плюс» следует брать при k ^> 1, что соответствует случаю г2 ^> /-j, т. е. расположению окружности равного потенциала слева от плоскости ?/ = const ( 6-15). Знак «минус» следует брать при k <^ I", что соответствует расположению окружности равного потенциала справа от плоскости U — = const.

На практике^используют твердые модели двух типов, один из них назовем исходным (в нем расположение электродов соответствует расположению электродов -в исследуемом электростатическом поле) и другой — дуальным или обращенным (в нем электроды располагают по граничным силовым линиям исходной модели).

Знак плюс следует брать при k > 1, что соответствует случаю г2 > ги т, е. расположению окружности равного потенциала слева от плоскости U = const (см. 24.15). Знак минус следует брать при к < 1, что соответствует расположению окружности равного потенциала справа от плоскости U = const.

Схема размещения рабочих секций и резервной системы приведена на 28.7. Расположение рабочих секций соответствует расположению генераторов в главном здании станции, а также расположению трансформаторов у фронта РУ. При четырех секциях желательно соединить их в кольцо. Это связано с установкой четвертого реактора и прокладкой соединительных шин, которые размещены в боковом коридоре второго этажа (см. 28.5).

Максимальное значение фототока соответствует расположению луча напротив эмиттера. При отклонении луча в любую сторону фототок уменьшается из-за уменьшения количества доходящих до эмиттера дырок, генерированных светом. Таким образом, частота колебаний уменьшается при отклонении луча в обе стороны от эмиттера по двум причинам: из-за уменьшения /ф и увеличения At/.

Пунктирная прямая 2 на 2.16 соответствует распределению примесных атомов в эпитаксиальном слое, которое обычно является однородным. Выбор значения удельного объемного сопротивления эпитаксиального слоя рэп обусловлен необходимостью обеспечения достаточно высокого напряжения пробоя перехода база — коллектор. Кривая 3 соответствует распределению примесных атомов акцепторного типа в базе. Уравнение этой кривой приблизительно может быть представлено гауссовой функцией, а типичные значения удельного поверхностного сопротивления составляют 120—200 Ом/П. Распределение атомов эмиттернои примеси донорного типа представлено кривой 4. При формировании эмиттернои области транзисторной структуры в качестве легирующего элемента обычно используют фосфор. Уравнение кривой 4 с высокой степенью точности может быть представлено двумя функциями дополнительного интеграла ошибок способом, описанным в настоящей главе. Поверхностная концентрация атомов эмиттернои примеси примерно соответствует пределу их растворимости при температуре диффузии, т.е. составляет величину порядка Ю21 см""3. Ширину базовой области транзистора, заключенной между коллекторным и эмит-терным переходами, обычно выбирают в пределах 0,6—0,8 мкм с допустимыми отклонениями, составляющими ±0,1 мкм.

На диаграмме для транзистора без ДШ ( 3.8, г) штриховая линия соответствует распределению концентрации электронов на границе активного режима и режима насыщения. (Напомним, что избыточный заряд образуют электроны, дополнительно инжектируемые в базу при переходе из активного режима в режим насыщения.) Время рассасывания этого заряда определяется временем пролета электронов через базу и для транзисторов с достаточно тонкой базой (менее 1 мкм) составляет не более 1 не. Для транзистора с ДШ в принципиальных электрических схемах используют специальное графическое обозначение, показанное на 3.8, е.

расположены не только вблизи, но и вдали от него, на расстоянии до двух диаметров монокристалла. Расположение областей генерации дислокаций по сечению монокристалла соответствует распределению дислокаций, типичному для монокристаллов полупроводников, выращиваемых из расплава методом Чохральского.

В неравновесном состоянии распределение свободных электронов и дырок уже не соответствует распределению этих носителей заряда при термодинамическом равновесии. Поэтому в неравновесном состоянии распределение свободных электронов по энергетическим уровням характеризуется своим квазиуровнем Ферми для электронов, распределение дырок — своим квазиуровнем Ферми для дырок, которые имеют тот же смысл для полупроводника в неравновесном состоянии, что и уровень Ферми в условиях термодинамического равновесия. Чем больше неравновесные концентрации свободных электронов и дырок отклоняются от своих равновесных значений, тем больше отличается положение квазиуровней Ферми для электронов и для дырок от положения уровня Ферми в условиях термодинамического равновесия.

В слабых электрических полях носители заряда на длине свободного пробега приобретают относительно малую энергию. Поэтому их распределение ю энергетическим уровням соответствует распределению при данной температуре кристаллической решетки. Дрейфовые скорости движения носителей заряда при этом значительно меньше так называемых тепловых скоростей, т. е. скоростей тепловых хаотических движений.

Пунктирная прямая 2 на 2.20 соответствует распределению примеси в эпитакоиальном слое, которое обычно является однородным. Выбор величины удельного объемного сопротивления эпитаксиального слоя рэп обусловлен необходимостью обеспечить достаточно высокое напряжение пробоя перехода база — коллектор. Кривая 3 соответствует распределению базовой примеси р-типа. Уравнение этой кривой приблизительно может быть представлено гауссовой функцией, а типичные значения поверхностного сопротивления равны 120—200 Ом/квадрат. Распределение эмиттерной примеси n-типа представлено кривой 4. При формировании эмиттерной области транзисторной структуры в качестве легирующего элемента обычно используют фосфор. Уравнение кривой 4 с высокой степенью точности может быть представлено двумя функциями дополнительного интеграла ошибок способом, описанным в гл. 1. Поверхностная концентрация эмиттерной примеси примерно соответствует пределу ее растворимости при температуре диффузии, т. е. составляет величину порядка 1021 см~3. Ширину базовой области транзистора, заключенной между коллекторным и эмиттерным переходами, обычно выбирают в пределах 0,6—0,8 мкм с допустимыми отклонениями ±0,1 мкм.

Проэ на ли- ировяны принципы построения преобразователей дня зивуаливации магнитных полей с доменной связью, в кото -рых носителями информации служат цилиндрические магнитные домены. При воздействии магнитного рельефа объекта контроля на поверхность матрицы, состоящей из секций накопления, хранения и переноса, в ней создается картина магпитных зарядов, платность которых соответствует распределению магнитного рельефа , Осуществляя с помощью тактовых импульсов -двиг доменов на выходе секции переноса с помощью считывающего устройства можно получать видеосигнал, характеризующий магнитный рельеф объекта контроля. Доменные преобразователи, вивуели- ирующие магнитные поля, от тачаются простотой сканирования потенциального рельефа, высокой надежность» в роботе и могут найти широкое применение в будущем после тщательной отработки технологии их изготовления и снижения стоимости, которая в настоящее время на два, три порядка превышает стоимость матричных преобразователей. Поскольку, гальваномагнитные npf 1брв8ователи магнитных полей хорошо ивучены, в работе уделялось большое внимание объяснению процессов, происходящих в ферритовом сердечнике при помещении его в магнитное поле дефекта, так как известные исследования сердечников касаются, главным обра -вом, использования их в качестве запоминающих элементов ЭВМ. Величина продольной составляющей индукции магнитного поля в сердечнике в статическом режике для случая совпадения направления поля дефекта с осью сердечнике находится ив выражения

После нескольких столкновений с ядрами Замедлителя средняя энергия нейтрона оказывается равной энергии тепловых колебаний атомов замедлителя. Распределение энергий нейтрона довольно точно соответствует распределению Максвелла. Сечение упругих столкновений тепловых нейтронов обратно пропорционально их скорости, так что зависимость эффективного сечения а (и) для данной скорости v от сечения a(vp) для наиболее вероятной скорости vp определяется следующим соотношением:

Вследствие пространственной работы в расчете также существенно менялось распределение продольных меридиональных сил. Значительно перераспределялись нормальные силы в зоне сопряжения ствола трубы с основанием: увеличились значения максимальных растягивающих сил и снизились значения сил сжатия. Нормальные меридиональные силы, полученные в расчетах, представлены на 4.5, в. Кривой / на рисунке изображена эпюра дополнительных нормальных меридиональных сил, учитывающих пространственную работу сооружения, полученных по формуле (4.3). В соответствии с эпюрой максимальные нормальные растягивающие усилия, отнесенные к 1 м сечения, в месте примыкания трубы к основанию увеличиваются, а сжимающие— уменьшаются на 1116,5 кН; по высоте трубы пространственная работа сооружения при воздействии усилий NM влияет в меньшей степени. Кривой 2 на рисунке изображена эпюра нормальных сил из «консольного» расчета трубы с учетом крена основания, геометрической нелинейности в работе сооружения и т. д. При этом погонные нормальные меридиональные силы получены без учета перераспределения усилий при образовании горизонтальных кольцевых трещин, т. е. они соответствуют упругой стадии работы трубы. Эпюра 3 получена суммированием эпюр / и 2 и соответствует распределению нормальных меридиональных сил в трубе от ветра, крена основания и горизонтальных перемещений верхних участков трубы и учитывает влияние пространственной работы сооружения. При этом вследствие пространственной работы трубы максимальные растягивающие нормальные силы в месте сопряжения ствола с фундаментом увеличились на 31%. Эпюры 4, 5 отражают усилия NM только от воздействия ветра соответственно в «консольном» и «пространственном» расчетах, при этом суммарная горизонтальная составляющая ветровой нагрузки принимается в соответствии с [2]. Эпю-

Из сравнения (13.10а) и (13.106) с (3.73) вытекает, что минимум потерь мощности при выполнении первого закона Кирхгофа соответствует распределению мощностей в простой замкнутой сети только с активными сопротивлениями. Это распределение мощностей называется экономическим (см. §12.3).

энергии) в дальней области соответствует распределению поля с полной шириной 45,5 мкм между теми точками выходной грани селенового слоя, где энергия составляет 1/е2. Эта величина находится в хорошем согласии со значением толщины пленки 44 мкм. Следовательно, можно заключить, что наиболее вероятной модой, которая удерживается в пленке, является ТТ^о-мода. Этот факт представляет собой первое экспериментальное наблюдение волноводных явлений в пленке a-Se при 10,6 мкм. В экспериментах по возбуждению ТЕ-моц, обнаружилось, что Г/Го-мода всегда более или менее доминировала.