Соответствует появлению

{S/ ,,-.....i }, i = 1, /, k = О, 1, 2,..., каждое из которых соответствует плотности вероятности w l> 2..... k (S), определяемой сверткой

При оценке излучения по его биологическому действию применяется биологический эквивалент рентгена (бэр). Это доза нейтронного излучения (нейтроны с WH >• 0,1 МэВ), воздействие которого на человеческий организм эквивалентно воздействию гамма-излучения с дозой в 1 Р. При указанных условиях 1 бэр соответствует плотности интегрального нейтронного потока 7-Ю7 см~2.

Вольт-амперная характеристика светодиода аналогична характеристике обычного диода с повышенным прямым падением напряжения. Наибольшая мощность излучения (яркость света) соответствует плотности тока 0,1-1 А/мм-2, при этом выделяемая в переходе тепловая мощность невелика, поскольку энергия рекомбинации в основном рассеивается в виде квантов света. Количество излучаемого света находится в прямой зависимости от величины прямого тока, протекающего через переход.

Обычно, сравнивая между собой емкостные и индуктивные машины, сопоставляют плотности энергии электрического и магнитного полей в зазоре машин, где сосредоточена основная доля энергии поля. В емкостной машине удается достичь напряженности поля свыше 600 кв/см, что соответствует плотности энергии электрического поля

Ранее было сказано, что максимальное количество пара, которое при данной температуре может содержаться во влажном воздухе, соответствует условию, когда пар в нем насыщенный. Очевидно, что количество пара в воздухе в этом случае соответствует плотности насыщенного пара, взятого при температуре воздуха. Обозначим ее рн. Отношение абсолютной влажности при данной температуре к максимально возможной абсолютной влажности при той же температуре называется относительной влажностью и обозначается ц>; таким образом,

В этом виде формула для теплового потока может быть уподоблена формуле закона Ома для постоянного тока, и тогда плотность теплового потока q в формуле (5-3) соответствует плотности электрического тока, проходящего через единицу площади сечения проводника в формуле закона Ома, а разность температур — разности потенциалов, величина s/A, — омическому сопротивлению, приходящемуся на единицу сечения в той же формуле. В соответствии с этим величина s/K называется термическим сопротивлением теплопроводности.

На 7.5,а пунктирной линией изображено распределение плотности в проводниках, обусловленное только поверхностным эффектом. Сплошная линия соответствует плотности тока при влиянии эффекта близости. Аналогично можно объяснить распределение плотности тока и в проводнике /, а также и распределение плотности тока в проводниках / и 2, когда токи в них протекают в противоположных направлениях ( 7.5,6).

На 2.14, б изображены зависимости Е' (х) для «-слоя коллектора в режиме квазинасыщения при токах /к ^./кь а на 2.14, а—распределение электронов в расширенной, или, как ее называют, «наведенной», базе. Кривая 1 соответствует плотности тока электронов /к1, а кривые 2 и 3 —

До 100—120 а, (что соответствует плотности 10—

В зависимости от температуры предварительного обжига глинозема меняется и скорость набора стенки. При влажности кислого шликера 30% она составляет для глинозема, обожженного при 1600°С, 1,7 мм/мин, а для глинозема, обожженного при 1450°С,— 1,3 мм/мин. Оптимальная литейная влажность глиноземистых шликеров составляет 30—35%, что соответствует плотности шликера 1,8—2,2 г/см3. Для отливки толстостенных изделий рекомендуется применять более густые шликеры плотностью 2,1—2,2 г/см3, а тонкостенных (1—2 мм) —более жидкие плотностью 1,8—1,9 г/см3.

В дальнейшем рассмотрим эти особенности более подробно. Сейчас отметим лишь следующее: жидкость можно рассматривать как систему, в которой происходят флуктуации плотности, так что в некоторых небольших объемах благодаря межмолекулярным силам сцепления частицы образуют твердые участки, которые могут двигаться относительно друг друга в остальной части жидкости, имеющей строение газа. Можно представить, что переход от одного плотного участка к другому сопровождается скачком изменения плотности от высокой до того значения, которое соответствует плотности газа. Другими словами, может существовать четкая граница между твердыми участками и прослойкой газа. Следует, однако, пояснить, что твердые образования очень малы и состоят из нескольких десятков атомов. Во всяком случае экспериментальные исследования (рентгеноструктурный анализ жидкостей) совершенно четко свидетельствуют о том, что в жидком состоянии существуют микрообъемы с упорядоченной структурой, в которых частицы почти не совершают дальние поступательные движения.

При дальнейшем увеличении внешнего постоянного напряжения, приложенного к кристаллу, происходит возбуждение электронов и их переход в верхнюю зону. В этой зоне подвижность электронов уменьшается, а следовательно, уменьшается ток, протекающий через кристалл. При дальнейшем росте напряжения ток будет уменьшаться, что соответствует появлению на вольт-амперной

Основная область современной электроники — микроэлектроника. Сегодняшний этап ее развития характеризуется быстро растущей степенью интеграции; уже созданы интегральные схемы, содержащие на одном полупроводниковом кристалле более 106 элементов. В перспективе развития микроэлектроники намечается функциональное укрупнение ИМС за счет использования новых физических явлений, позволяющих с помощью простых нерасчленяемых структур осуществить функции, обычно реализуемые с помощью многоэлементной сложной цепи или устройства. Реализация такого принципа соответствует появлению новых изделий микроэлектроники, которые принято называть функциональными. Они и представляют собой новый этап развития электроники — функциональную микроэлектронику.

что снижает его сопротивление, а следовательно, напряжение U6i. Так как уменьшение U6i равносильно увеличению положительного напряжения U3, то потенциальный барьер p-n-перехода снижается, создавая условия для инжекции дополнительных носителей заряда из эмиттера в базу Б\ и дальнейшего роста тока эмиттера. При этом происходит дальнейшее снижение сопротивления базы Б\ (электрическая модуляция базы). Такой процесс развивается лавинообразно, в результате чего рост тока эмиттера сопровождается снижением напряжения на эмиттере, что соответствует появлению участка характеристики с отрицательным сопротивлением (участок ВС).

синхронного самовозбуждения. Трехфазные токи самовозбуждения в статоре образуют магнитное поле, которое вращается с синхронной частотой, т. е. неподвижно относительно ротора. Второе условие (14.31) соответствует появлению пары сопряженных комплексных корней с положительной частью или двух положительных

При замыкании контакта К напряжение на аноде и катоде лампы равно напряжению сети. Однако ток через лампу Л по-прежнему не проходит, так как потенциал катода выше потенциала сетки, создаваемого значительным напряжением на конденсаторе !Jc\. После замыкания контакта /С конденсатор начинает разряжаться на сопротивление 2R, благодаря чему отрицательный потенциал на сетке лампы постепенно уменьшается до величины, которая соответствует появлению анодного тока лампы, достаточною для срабатывания реле Р. При этом подается импульс в схему управления.

Переходные процессы в ключевом каскаде с ненасыщенным транзистором проиллюстрированы на 3.91, а—г. На рисунке момент времени ti соответствует появлению отрицательной полуволны входного сигнала ывх(0> момент /2 — отпиранию диода Д, момент (3 — достижению установившегося значения тока диода. Время задержки выключения в данной схеме мало и определяется уже не временем рассасывания, а временем установления обратного сопротивления диода при его запирании, которое при использовании быстродействующих импульсных диодов имеет очень малые значения.

Бели, например, аз=^0, то в спектре тока содержится комбинационная частота третьего порядка N=3 вида (Ф±2А,). Это соответствует появлению нелинейных искажений.

При выполнении этой операции сигнал на выходе схемы появляется в случае наличия хотя бы одного из выходных сигналов. Операция ИЛИ в контактном исполнении осуществляется посредством параллельного соединения контактов, замыкание которых соответствует появлению входных сигналов.

Операция И характеризуется появлением выходного сигнала лишь в случае наличия всех входных сигналов. Она может быть выполнена путем последовательного соединения контактов, замыкание которых соответствует появлению входных сигналов ( 9.7). При этом проводимости контактов умножаются. Если замкнуты все три контакта Л И В И С, то обмотка реле X обтекается током и контакт реле X замкнут. В этом случае произведение проводимостей цепочки контактов равно 1.

переход будет смещен в обратном направлении и через него пройдет только небольшой обратный ток утечки /ЭБО (Рис- 7.26, в). Это же состояние сохранится при подаче на змиттер отрицательного напряжения U'э или положительного, но не превышающего величины напряжения Г/ЭБ1' Если же напряжение U3 превысит напряжение 1'ЭБ1 на величину, достаточную для отпирания эмиттерного р-п перехода (точка А на 7.26, в), то в кремниевую пластинку из эмиттера будут инжектироваться дырки. Под действием электрического поля источника UБ1Б2 эти дырки будут двигаться по направлению к выводу базы Б1, образуя эмиттерный ток, что приведет к увеличению проводимости на участке длиной /,, или ' уменьшению до незначительной величины сопротивления на этом участке. В результате внутреннее падение напряжения иЭЕ1 уменьшится, что повлечет дальнейшее отпирание эмиттерного р-п перехода и увеличение тока эмиттера и т. д. Таким образом, процесс нарастания эмиттерного тока будет развиваться лавинообразно. С ростом эмиттерного тока, связанного с увеличением инжекции носителей из эмиттера в пластинку, сопротивление эмиттерного перехода снижается, а напряжение Оэ уменьшается. Это соответствует появлению в вольтамперной характеристике участка отрицательного сопротивления прибора (участок АВ на 7.26, в).

Функция um(t) ( 1.25) в общем случае имеет ненулевое начальное значение: при t = 0 Мвх(г) = "вх (0)- Напряжение ывх (0) соответствует амплитуде начальной ступеньки напряжения при аппроксимации заданной функции ступенчатой. Эту ступеньку напряжения аналитически можно записать как ивх (0)-1 (t). Отложим по оси t одинаковые интервалы т0. Приращение времени на т0 соответствует появлению дополнительной ступеньки напряжения с перепадом А(/Й = = «вх(?т0) — «вх [(k — 1)г0] и запаздыванием ?т0, где k=l, 2, 3, ... Первая ступенька напряжения запишется как Дб/i-l (t — Т0), вторая — как \U2-l (t — 2т0), п-я — как Д?/„-1 (t — ят0).