Соответствует напряженность

Если к неосвещенному фотодиоду подключить источник, значение и полярность напряжения которого можно изменять, то снятые при этом вольт-амперные характеристики будут иметь такой же вид, как и у обычного полупроводникового диода ( 4.7). При освещении фотодиода существенно изменяется лишь обратная ветвь вольт-амперной характеристики, прямые же ветви практически совпадают при сравнительно небольших напряжениях. Отрезок Об на 4.7 соответствует напряжению холостого хода освещенного фотодиода, т. е. фото-э. д. с., а отрезок Оа — току короткого замыкания фотодиода. Участок аб характеризует работу фотодиода в режиме фотогенератора. Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях светового потока построены на 4.8. При наличии резистора во внешней цепи фотодиода ток и напряжение могут быть определены графически по

Параметры /121 и Л22 определяются по выходным характеристикам на линейной части. Для этого выбирается начальная точка D, которая лежит на выходной характеристике, снятой при постоянном токе эмиттера, равном /э, и соответствует напряжению, равному t/кв. Предположим, что напряжение Uks изменилось на величину AC/КБ, тогда ток /к изменится на величину А/к и рабочая точка переместится из D в Е. Параметр /122 определяется как отношение катетов треугольника DEF: Нп = EF/DE = Д/к/Д1/.кв. Параметр /t2l> определяется при (/КБ = const и приращении /к на величину Д Гк. В этом случае рабочая точка перемещается из D в G, которая лежит на выходной характеристике, соответствующей но-122

Решение. На отрезке времени от /[ до t? светящееся пятно движется по экрану справа налево с постоянной горизонтальной составляющей скорости. При этом траектория движения светящегося пятна соответствует зеркальному изображению напряжения uv(t) на отрезке времени от t\ до t2. На отрезке от /2 До ts горизонтальная скорость движения пятна та же, но пятно движется слева направо. При этом траектория движения светящегося пятна соответствует напряжению uy(t) на отрезке времени от ^ до <з> т. е. совпадает с первой траекторией. Пос-ле момента t$ процесс повторяется. Иско-^ мое изображение показано на 6.8, 6.

максимальным значением U± — напряжение питания Еп. Для того чтобы U0 < t/nop, ширина канала ПЭ должна быть больше ширины канала НЭ, а длина ка- и0т нала ПЭ — меньше длины канала НЭ. Передаточная характеристика инвертора этого типа приведена на 1.3. При i/BX
В (7.48) Хж соответствует напряжению -т тиристоре, Zxi — напряжению сигнала открытия на вентиль, К№ — току через вентиль, знак умножения означает логическую операцию «И», а знак сложения — логическую операцию <'ИЛИ».

В (6.50) XN, соответствует напряжению на тиристоре, ZNi — напряжению сигнала открытия на вентиль, YNi — току через вентиль, знак умножения означает логическую операцию «И», а знак сложения — логическую операцию «ИЛИ».

При расчете электрической машины необходимо определить характеристику холостого хода, т.е. зависимость ЭДС в ее обмотках от МДС или от тока обмотки возбуждения: Е = f(FB). Так как МДС обмотки возбуждения соответствует напряжению магнитной цепи машины FU, а ЭДС обмотки якоря при постоянной частоте вращения пропорциональна потоку Ф, то характеристика холостого хода при этом условии эквивалентна зависимости Ф =/(Fu), которую называют магнитной характеристикой машины.

Режим класса Bj ( 6. 8, г) соответствует напряжению смещения УСО — УЗ и амплитуде входного напряжения Упхт^Уы- Угол отсечки в = 90°, т. е. лампа работает только в течение положительных полупериодов входного сигнала. Режим класса Вх применяется в двухтактных усилителях с автономным источником напряжения сеточного смещения и характеризуется высоким к. п. д. усилителя (до 65%) при сравнительно малых искажениях.

Режим класса С соответствует напряжению смещения Ue0 ~> Уя. Практически применяется режим класса С2, в котором t/Bxm>f/,0 и получается как нижняя, так и верхняя отсечка анодного тока ( 6.8, е). В этом режиме кривая анодного тока не соответствует кривой входного напряжения, и лампа отпирается лишь на незначительную часть периода (угол отсечки в <; 90е). Для усилителей напряжения и мощности этот режим не пригоден, однако он часто используется в схемах генераторов вследствие очень высокого к. п. д. (до 85%). В схемах автоматики различают еще режим класса D (ключевой режим), в котором лампа отпирается и запирается прямоугольными импульсами напряжения ( 6.8, ж).

Чтобы определить результирующую ЭДС взаимной индукции Ё#г, от конца вектора U* отложим вектор jX*0I*, длина которого Х#01* = = 0,2-1 = 0,2; в выбранном масштабе 0,2 : 0,2 = 1 см соответствует напряжению Ха1в относительных единицах. Измерив длину отрезка ОЕТ = 5,7 см, получим Е*г = ОЕгпгЕ = 5,7-0,2 = 1,14.

VT2 закрыт и напряжение на выходе Q практически равно напряжению источника питания, т. е. соответствует напряжению логической 1. Когда на вход А действует положительное напряжение, соответствующее напряжению логической 1, то транзистор VT2 открывается (его сопротивление при этом составляет всего 300—

Току нагрузки 0,2 А соответствует напряженность переменного поля 12 А/см. В соответствии с законом магнитного усиления принимаем напряженность, которую должна создать обмотка управления, тоже равной 12 А/см.

Решение. Чтобы выходное напряжение модулятора осталось без изменения, нужно на кривой намагничивания, соответствующей напряженности переменного поля Я„ « « 15 А/см, найти участок такой же крутизны, как и на кривой с Я^= 3 А/см. Этому участку соответствует напряженность смещения, равная 9 А/см (см. 4.16). Следовательно, к начальной напряженности смещения, равной 3 А/см, следует добавить напряженность 6 А/см.

по кривой размагничивания / соответствует напряженность //„ = — —2,7 • 10J а/л*1 Следовательно,

согласно кривой намагничивания, соответствует напряженность магнитного поля Я = 365 а/м.

Этому значению магнитной индукции соответствует напряженность магнитного поля Я = И 000 а/м.

номер участка. Из характеристики намагничивания каждому значению индукции B(i) соответствует напряженность магнитного поля H(i). Каждый i-й участок аппроксимируется линейной функцией вида

в полюсных наконечниках (Я) считать Этой индукции по кривой размагничивания равной нулю. Постоянный магнит должен / соответствует напряженность работать в режиме максимальной магнит-ной энергии.

Магнитная индукция для всех трех участков одинакова: б = = ф/5 = 47- 10"~4/(36- 10""'')= 1,3 Тл. По кривой намагничивания для стали ЭЗЗО ( 3.14) индукции В=1,3 Тл соответствует напряженность поля Я==750 А/м. Магнитное напряжение на участке 1\

По кривой намагничивания 8,9, а магнитной индукции Вт— = 1,2 Тл соответствует напряженность магнитного поля Яст=20 А/см.

ЧР в конденсаторной ма определенная скорость газовыделения. Это бумажно-масляной изо- достигается при некоторой мощности начальных разрядов, которой соответствует, напряженность у края электрода Ер ^ Ер кр. Из этого условия и (8-15) следует, что для бумажно-масляной изоляции конденсаторного типа напряженность Екр, как и напряженность Ен, зависит от толщины d. Экспериментальные зависимости средних значений напряженности ЕКр от толщины d изоляции имеют следующий вид (по данным Г. С. Кучинского и др.):

Из кривой 14.9 находим, что индукции В = 0,5 Т соответствует напряженность поля Я = 40 А/м.

При слабых внешних полях намагниченность вещества примерно пропорциональна внешней магнитной напряженности Н, а зависимость индукции В, характеризующей полное поле, созданное внешней напряженностью Н и намагниченностью вещества, от напряженности близка к линейной. При больших Н, когда ориентация большей части доменов упорядочена, наступает насыщение материала. Рост Н приводит лишь к незначительному увеличению В. Индукция, при которой достигается практически полная ориентация доменов вдоль внешнего поля, называется индукцией насыщения Bs. Ей соответствует напряженность Hs, Процесс намагничивания, смещения границ и поворот доменов вдоль поля обычно необратимы. Это означает, что изменение доменной структуры при прямом и обратном изменениях внешнего магнитного поля идет по разным путям с некоторым запаздыванием по отношению к изменению поля. Условно можно говорить о проявлении некоторого внутреннего трения, препятствующего изменению состояния материала. Поэтому зависимость магнитной индукции В от внешней магнитной напряженности Н имеет вид петли гистерезиса (6.7).