Семейством характеристик

а — схема включения; б — динамическая характеристика в семействе статических выходных характеристик; в — входная динамическая характеристика.

Динамические характеристики строят на семействе статических характеристик при заданных значениях напряжения источника питания коллекторной цепи Ек и сопротивления нагрузки У?к- Для построения выходной динамической характеристики ( 2.17) используют

известным значениям Ек и /?к на семействе статических характеристик транзистора строят нагрузочную прямую (§ 2.3). Рабочую точку на нагрузочной прямой фиксируют начальным током базы 106, который определяется напряжением Ек и гасящим сопротивлением R6, и с учетом того, что Ек 3> (Уоб, рассчитывают по формуле

Динамической характеристикой триода называют графически выраженную зависимость анодного тока /а от напряжения на управляющей сетке (Ус, снятую при наличии в цепи анода нагрузочного резистора Ru и неизменном значении Еа. Динамическую характеристику триода можно построить на семействе статических анодно-сеточных характеристик ( 1.12, а).

Из характеристического треугольника, построенного на семействе статических входных характеристик транзистора в области рабочей точки РТ, можно определить входное сопротивление триода—h\\ и коэффициент обратной связи — h\2:

48. Динамическая, характеристика транзистора в семействе статических выходных характеристик

Выражение (1.8) соответствует закону Ома для участка цепи и является уравнением прямой, которую называют нагрузочной прямой или линией нагрузки. Для проведения прямой на семействе статических анодных характеристик достаточно получить две точки. Одну из них (точку А) находят при Ua = Е„, когда анодный ток равен нулю ( 1.12). Вторую точку

Динамические характеристики строят на семействе статических характеристик при заданных значениях напряжения источника питания коллекторной цепи ?„ и сопротивления нагрузки RK. Для построения выходной (коллекторной) динамической характеристики ( 3.20, а) используют уравнение динамического режима (3.13), которое представляет собой уравнение прямой, так как при переменном значении /„ стоит постоянный коэффициент, численно равный RK. Именно поэтому достаточно найти отрезки, отсекаемые прямой на осях координатной системы (/„, 1/„).

а •«• схема включения: б — динамическая характеристика в семействе статических Выходных характеристик; .в — входная динамическая характеристика

в семействе статических выходных характеристик транзистора по заданным величинам ЕК и Кн построить нагрузочную прямую АВ ( 13.14, а);

Динамические характеристики широко используются при графическом анализе работы усилительного каскада и практических расчётах. Так, например, по динамическим характеристикам находят положение точки покоя (начальной рабочей точки) на семействе статических характеристик усилительного элемента и соответствующие этой точке ток и напряжение; определяют вносимые усилительным элементом нелинейные искажения. По ним можно найти коэффициент усиления каскада, отдаваемые ^напряжение и мощность сигнала, определить необходимые входное напряжение, ток и мощность, а также мощность, потребляемую каскадом от источника питания.

Для исследования работы магнитного усилителя удобно пользоваться семейством характеристик Uv — f (7H) при заданных значениях /у. Здесь i)p и /н — действующие значения ир и гн.

По данным точкам строим кривую (см. 8.2, б). Затем определяем точки пересечения этой кривой с семейством характеристик ?/му = / (/н). Полученные результаты сводим в таблицу.

5.62. Гептод-преобразователь работает в следующем режиме: анодное напряжение ?/а=250 В, напряжение второй и четвертой сеток t/c2_4=100 В, напряжение смещения на гетеродинной сетке Uc\——3 В, на сигнальной ?/сз=—1,5 В. Пользуясь семейством характеристик лампы Ia — f(L/c3), изображенных на 5.13, построить зависимость 53=/(f/ci), затем вычислить: а) коэффициент преобразования Ктгр', б) крутизну преобразования 5Пр; в) модуль коэффициента усиления каскада /С; г) амплитуду переменной составляю-

По входной характеристике транзистора при напряжении на коллекторе t/K—5B ( 14.2, а) находим ток базы, соответствующий рабочей точке /бо=0,6мА, Здесь воспользовались входной характеристикой, а не семейством характеристик, так как они мало отличаются друг от друга. Эта характеристика приблизительно соответствует среднему значению коллекторного напряжения.

Для исследования работы магнитного усилителя удобно пользоваться семейством характеристик Up=f(IH) при заданных значениях /У. Здесь Up и /н— действующие значения мр и i'H.

По входной характеристике транзистора при напряжении на коллекторе ?/к=5В ( 14.2, а) находим ток базы, соответствующий рабочей точке /бо==0,6мА. Здесь воспользовались входной характеристикой, а не семейством характеристик, так как они мало отличаются друг от друга. Эта характеристика приблизительно соответствует среднему значению коллекторного напряжения.

По координатам точек пересечения кривой четверти эллипса, построенного на 13-83,а с семейством характеристик t/M.y=

параметра при условий, что все остальные величины остаются неизменными. Совокупность таких зависимостей между двумя параметрами, каждая из которых отличается от других иным постоянным значением третьего параметра, называется семейством характеристик.

Выходные (стоковые) характеристики служат основным семейством характеристик полевого транзистора ( 13-4).

Зависимость какого-либо параметра режима или параметра прибора, который принят в качестве функции, от другого параметра, который принят в качестве аргумента, при условии, что все остальные величины остаются неизменными, называют характеристикой электронного прибора. Совокупность характеристик при различных фиксированных значениях независимого третьего параметра называют семейством характеристик. Важнейшими характеристиками электронных приборов являются статические характеристики, отображающие зависимость тока в цепи какого-либо электрода от напряжения на любом электроде в статическом режиме. Часто названия статических характеристик связывают с названием электродов, например

Одним семейством характеристик эту зависимость показать нельзя. Поэтому необходимо пользоваться двумя семействами статических характеристик транзистора. Наибольшее распространение получили входные и выходные статические характеристики для двух основных схем включения — с общей базой и с общим эмиттером.