Соответственно уравнения

строке разложения всегда располагается одинаково относительно начала строки (или синхронизирующего импульса строки) (см. 7.4,6). Это позволяет утверждать, что частота временной дискретизации РЛ=Т~1 при этом всегда кратна строчной частоте f . Е^сли повернуть оптический фильтр на угол ф относительно вертикальной оси ( 7.5, а), то при этом увеличится период Х'л пространственной дискретизации (Х'л — XJcos
Внешнее напряжение, приложенное плюсом к р-области, а минусом к «-области, называется прямым напряжением k'np ( 15). Под действием внешнего поля основные носители будут двигаться к р—«-переходу. Ширина зоны, обедненной носителями, уменьшится, соответственно уменьшится ширина запирающего-слоя, потенциальный барьер и сопротивление р—я-перехода. Часть основных носителей, имеющих наибольшие значения энергии, сможет преодолеть потенциальный барьер и перейти через-границу, разделяющую полупроводники типа пир. Это приводит к нарушению равновесия между диффузионным и дрейфовым токами. Через р—n-переход потечет ток, созданный движением основных носителей (электронов «-области и дырок р-области). Результирующий ток, значение которого определяется

Если для подачи сигнала между двумя базами это выражение очевидно, то для подачи сигнала между базой одного транзистора и общей шиной оно требует дополнительных пояснений. При подаче входного напряжения между базой и общей шиной в базе этого транзистора потенциал изменяется на At/BX, что, как было показано выше, вызовет появление в эмиттере изменения потенциала той же полярности на величину At/BX/2, т. е. разность потенциалов между базой и эмиттером станет вдвое меньше и входной ток первого каскада соответственно уменьшится вдвое, а это эквивалентно увеличению вдвое входного сопротивления.

Соответственно уменьшится и плотность тока проводимости

Одновременно при повышении уровня инжекции начинает расти концентрация носителей в базе, что ведет к росту тока носителей, инжектированных из базы в эмиттер. В формуле (4,46) вместо N в третьем слагаемом следовало бы взять Л' -4- р„. Соответственно уменьшится й21Э.

что магнитные поля катушек, равные по значению и конфигурации, направлены навстречу друг другу. При этом подвижная часть будет находиться под действием суммы двух моментов, каждый из которых создается одним из сердечников и действующей на него катушкой. Если такой измерительный механизм попадает в равномерное внешнее поле, то один из моментов, для которого направления собственного и возмущающего полей будут совпадать, увеличится, а второй — соответственно уменьшится. Суммарный момент, а следовательно, и показания прибора при этом не изменяются. Недостатки астатического измерительного механизма заключаются в усложнении и удорожании конструкции, а также в том, что ас-тазирование исключает действие только равномерных полей.

Соответственно уменьшится угловая скорость ротора в модели, по поперечной оси которого направлен комплекс ЭДС Ef,

Потенциал точки В соответственно уменьшится на величину, пропорциональную преобразуемому двоичному числу:

Если для останова двигателя применяется механический тормоз или один из способов электрического торможения, то тормозной момент Мторм сложится с моментом сопротивления и время замедления привода от скорости п до нуля соответственно уменьшится:

размещается в магнитном поле одной из катушек, включенных между собой последовательно. Направление обмоток выбрано .так, что магнитные поля Ф1 и Ф2 катушек, равные по величине и конфигурации, направлены навстречу друг другу. При этом ось подвижной части будет находиться под действием суммы двух моментов, каждый из которых создается одним из сердечников и действующей на него катушкой. Если такой измерительный механизм поместить в равномерное внешнее поле Ф, то один из моментов, для которого направления собственного и возмущающего полей будут совпадать, увеличится, а второй — соответственно уменьшится. Суммарный момент, действующий на ось, а следовательно, и показания прибора при этом не изменяются. Недостатки астатического измерительного механизма

В распределительных сетях 0,38—20 кВ сечение линий надо выбирать так, чтобы выполнялось условие (6.39). Если при проектировании увеличить сечение провода линии F, то уменьшатся активное и реактивное сопротивления и соответственно уменьшится наибольшая потеря напряжения

а из уравнений divD = p и divD = 0 для электрического поля в однородном диэлектрике следуют соответственно уравнения Пуассона и Лапласа:

Матричное уравнение (3.23), записанное для цепи из резистив-ных двухполюсных элементов и связывающее векторы узловых напряжений и узловых токов через матрицу соединений и матрицу проводимостей ветвей, применимо и для цепей с многополюсными элементами. .В установившемся синусоидальном режиме вместо напряжений и токов будем иметь их комплексные амплитуды, а вместо вещественных проводимостей — комплексные проводимости. Соответственно уравнения запишем

Естествен йо, что токи и напряжения в таких цепях являются функциями друх независимых переменных — времени t и координаты х, отсчр(тываемой вдоль указанного выше направления. Соответственно уравнения, описывающие процессы в этих цепях, являются уравнениями в частных производных. Примерами цепей с распределенными параметрами являются линии передачи электрической энергии, линии связи, высокочастотные коаксиальные линии радиотехнических и телевизионных устройств. Обмотки трансформаторов и электрических машин также должны рассматриваться как цепи с распределенными параметрами при воздействии на них импульсных токов и напряжений, когда промежуток времени изменения токов и напряжений сравним со временем пробега волн вдоль проволоки обмотки.

Комплексные О и / являются функциями только х, и соответственно уравнения в частных производных для мгновенных и и I перешли н обыкновенные дифференциальные уравнения для О и /.

При составлении этих уравнений учитывают, что иэв и икб — напряжения между соответствующими выводами транзистора, но это не напряжения на р-л-переходах, так как базовый вывод отделен, как и в полупроводниковом диоде, от границ /?-га-переходов толщей базового кристалла, имеющей сопротивление гс (на рив. 3.19 толщина базы утрированно увеличена). Сопротивление гъ называют сопротивлением базы или сопротивлением растекания. В кристалле у границ р-п-переходов выделяют точку Б'; напряжения иай' и «кб' — напряжения на эмиттерном и коллекторном р-я-переходах соответственно. Уравнения (3.5) позволяют вычислить токи транзистора для любого возможного режима работы. Их используют при создании нелинейной модели транзистора.

Соответственно уравнения фундаментальных контуров

выделяют точку Б'; напряжения ыэб' и ыкб' — напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах соответственно. Уравнения (3.4) позволяют вычислить токи транзистора для любого возможного режима работы. Однако эти уравнения нелинейны. Как и в случае полупроводни- з.17 кового диода, для получения упрощен-

Здесь /0 — действующее значение намагничивающего тока. Соответственно уравнения э. д. с. (13-6) и (13-7) пишутся в виде:

нелинейные конденсатор и индуктивность, для которых заданы соответственно уравнения *:

Естественно, что токи и напряжения в таких цепях являются функциями двух независимых переменных — времени t и координаты х, отсчитываемой вдоль указанного выше направления. Соответственно, уравнения, описывающие процессы в этих цепях, являются уравнениями в частных производных. Примерами цепей с распределенными параметрами являются линии передачи электрической энергии, линии связи, высокочастотные коаксиальные линии радиотехнических и телевизионных устройств. Обмотки трансформаторов и электрических машин также должны рассматриваться как цепи с распределенными параметрами при воздействии на них импульсных токов и напряжений, когда промежуток времени изменения токов и напряжений сравним со временем пробега волн вдоль проволоки обмотки.

Комплексные U и / являются функциями только х, и, соответственно, уравнения в частных производных для мгновенных и и i перешли в обыкновенные дифференциальные уравнения для U и I.