Соотношение компонентов

Развязывающий усилитель может быть легко преобразован в м а о-штабный усилитель. Для этого достаточно подавать на вход усилителя не полное напряжение на нагрузке, а только его часть, определяемую соотношением сопротивлений и делителя ( 3.37).

транзистор может быть включен по любой из этих схем. Рабочая точка в режиме покоя, т. е. токи /бп и напряжения U^u, обеспечиваются в первых двух каскадах делителями RiRz и RtRe, а в третьем каскаде — соотношением сопротивлений Rs и Rt.

т.е. коэффициент усиления охваченного усилителя определяется соотношением сопротивлений, а выходное напряжение сдвинуто по фазе на 180 ° по отношению к входному сигналу. Можно считать, что при условии ивх — > 0 оба входа имеют потенциал общего провода (земли) , что справедливо при отсутствии каких-либо дополнительных помех.

что соответствует назначению усилителя. Уровень выходного напряжения (масштаб) устанавливается соотношением сопротивлений R\ и /?0с, т. е. весовым коэффициентом.

Схема простейшего усилительного каскада на полевом транзисторе показана на 54. Транзистор включен по схеме с общим истоком, которая является наиболее распространенной. На резисторе образуется падение напряжения, которое подается на затвор через резистор R3. Так как р—п-переход работает при обратном напряжении, то сопротивление транзистора для входного сигнала велико и входная мощность мала. Полезная мощность, которая определяется значением напряжения питания Uc и соотношением сопротивлений токопроводящего канала и нагрузки Re, может значительно превышать входную мощность. Таким образом, полевой транзистор является усилительным прибором, имеющим много общего с электронной лампой. Кроме транзисторов с каналом и-типэ выпускаются транзисторы с каналом р-типа, которые, не имея принципиальных отличий, усту-

В тех случаях, когда необходимо иметь сверхвысокоомный симметричный (дифференциальный) вход, используются так называемые инструментальные усилители, представляющие собой два повторителя А1 и А2, подключенные на дифференциальные входы обычного дифференциального усилителя A3 ( 46, б). Коэффициент усиления определяется соотношением сопротивлений мас-

Методическая погрешность, вызванная влиянием сопротивления нагрузки, в общем случае определяется соотношением сопротивлений преобразователя и нагрузки и в различных измерительных цепях проявляется по-разному. Если, например, линейный реостатный преобра-

При переменном напряжении я внутренних перенапряжениях приложенное напряжение распределяется по сопротивлениям. В этом случае в сухую погоду дерево практически не разгружает гирлянду. Под дождем и при загрязнениях, когда сопротивление гирлянды уменьшается, дерево принимает на себя часть напряжения, определяемую соотношением сопротивлений утечки траверсы и гирлянды. Перекрытие изоляции всегда происходит каскадно: сначала перекрывается гирлянда, а затем траверса. По данным ВНИИЭ, деревянная траверса увеличивает мокроразрядное напряжение линейной изоляции на 15—20%. Этого вполне достаточно, чтобы сократить количество изоляторов в гирляндах на один элемент. На линиях 35—220 кВ с деревянными опорами количество изоляторов в гирлянде принимается на один меньше, чем это указано в табл. 6-3.

что соответствует назначению усилителя. Уровень выходного напряжения (масштаб) устанавливается соотношением сопротивлений Я, и Roc, т. е. весовым коэффициентом.

Так как выходное и входное напряжения двухкаскадного усилителя с емкостной связью на средних частотах находятся в фазе между собой, то, для того чтобы обратная связь была отрицательной, напряжение и0.с подается в цепь катода (эмиттера) электронного прибора первого каскада. Величина р приближенно определяется соотношением сопротивлений делителя обратной связи

В теории электрических машин доказывается, что для схемы Y^ (или Y/Y/Д). т- с. Д-тя схемы, где отсутствуют токи нулевой последовательности, каждую фазу трансформатора и при несимметричной нагрузке можно рассматривать независимо от другой, т. е. как однофазный трансформатор (см. п. 3.11). При этом в. замкнутом, контуре треугольника не может возникнуть однофазный ток нулевой последовательности, и распределение нагрузок на вторичной стороне между фазами трансформатора определяется только соотношением сопротивлений обмоток. Напряжение левой фидерной зоны (стоком hi) Ни = Uac. Это напряжение генерируется как бы в двух параллельно соединенных источниках электрической энергии вторичной цепи (см, 1.17, а); первым является обмотка ах, а вторым — последовательно соединенные обмотки by и сг (где оно получается в результате геометрического

жение О с изменяющейся частотой. Ток /д, проходящий по цепи делителя, и напряжение UR совпадают по фазе с напряжением U ( 1.14, б, б). Фаза тока lLC в цепи частотно-зависимого элемента относительно напряжения U определяется соотношением сопротивлений XLR и Хс, которые зависят от частоты. При этом ток Ilc может опережать, совпадать и отставать по фазе от напряжения U. Напряжение ULc совпадает по фазе с током ILc- Таким образом, изменение частоты напряжения U сопровождается изменением угла ф сдвига фаз между напряжениями Ulc и Ur. Схема выполнена так, что напряжение U'LC отстает от напряжения UR ( 1.14,6)',

Варьируя состав смеси и соотношение компонентов, можно менять свойства композиционных материалов в очень широких пределах.

Изменяя соотношение парциальных давлений арсина и фос-фина на ранних стадиях процесса, можно вырастить на подложке переходный слой с плавно изменяющимся составом, что позволяет добиться хорошего согласования параметров решетки слоя и подложки. Например, относительное несоответствие параметров подложки из GaAs с ориентацией (111) и слоя раствора состава GaAs60P4o составляет 1,4% и может быть уменьшено на начальной стадии роста вариацией состава твердого раствора. Для обеспечения такого состава в твердой фазе необходимо, чтобы в исходной среде поддерживалось следующее соотношение реагентов (в пересчете на элементы): в газовой фазе As/(As + Р) = 0,65; в жидкой фазе As/(As + Р) = = 0,73; Ga/(As + Р) = 13,7. Газовая эпитаксия для синтеза твердых растворов системы GaAs — GaP оказывается и экономически выгодной, так как соотношение компонентов одной подрешетки (Bv) и в газовой, и в жидкой фазе близко к 1, а относительное превышение содержания галлия в исходной

Легирование растущей пленки достигается за счет подачи в реактор газообразной смеси вещества, содержащего кремний, и лигатуры (примесесодержащего вещества). Соотношение компонентов смеси должно обеспечивать заданную концентрацию примеси в эпитакси-альной пленке.

Компромиссное решение можно получить при использовании комбинированного процесса — окисления "' влажном кисло-р о д е. Меняя соотношение компонентов в смеси, можно получить энергию активации окисления в пределах от 1,33 эВ (для сухого кислорода) до 0,8 эВ (для водяного пара) и соответственно изменение скорости роста в широких пределах. При приемлемых скоростях роста плотность пленки достигается порядка 2,18—2,2 г/ом3. При этом пленка толщиной 1 мкм является достаточной для проведения многократной диффузии. Зависимость толщины окисла кремния от времени во влажном кислороде приведена на 1.26. Схема установки для термического окисления кремния представлена на 1.27. Кремниевые пластины устанавливают в кварцевой кассете, которую

в свою очередь помещают в 'Кварцевую трубу, снабженную нагревателем. Кислород подается в зону окисления либо непосредственно с помощью крана /, либо с помощью кранов 2 и 5 через увлажнитель — емкость со сверхчистой (деионизованной) водой, снабженную нагревателем и термометром. В зависимости от расхода кислорода и температуры воды в увлажнителе можно получить различное соотношение компонентов в смеси. При окис-

В зависимости от характера рельефа и содержания плавиковой кислоты применяют медленные травители (для мелких рельефов, скорость травления около 0,1 мкм/мин) и быстрые травители (для глубоких рельефов, 4 — 8 мкм/мин). Соотношение компонентов NH3 : HF : CH3GOOH для мелких рельефов может быть рекомендовано 7:1:3, для глубоких — 3:1:1.

Легирование растущей пленки достигается за счет подачи в реактор газообразной смеси вещества, содержащего кремний, и лигатуры (примесесодержащего вещества). Соотношение компонентов смеси должно обеспечивать заданную концентрацию примеси в эпитакси-альной пленке.

Компромиссное решение можно получить при использовании комбинированного процесса — окисления "' влажном кисло-р о д е. Меняя соотношение компонентов в смеси, можно получить энергию активации окисления в пределах от 1,33 эВ (для сухого кислорода) до 0,8 эВ (для водяного пара) и соответственно изменение скорости роста в широких пределах. При приемлемых скоростях роста плотность пленки достигается порядка 2,18—2,2 г/ом3. При этом пленка толщиной 1 мкм является достаточной для проведения многократной диффузии. Зависимость толщины окисла кремния от времени во влажном кислороде приведена на 1.26. Схема установки для термического окисления кремния представлена на 1.27. Кремниевые пластины устанавливают в кварцевой кассете, которую

в свою очередь помещают в 'Кварцевую трубу, снабженную нагревателем. Кислород подается в зону окисления либо непосредственно с помощью крана /, либо с помощью кранов 2 и 5 через увлажнитель — емкость со сверхчистой (деионизованной) водой, снабженную нагревателем и термометром. В зависимости от расхода кислорода и температуры воды в увлажнителе можно получить различное соотношение компонентов в смеси. При окис-

В зависимости от характера рельефа и содержания плавиковой кислоты применяют медленные травители (для мелких рельефов, скорость травления около 0,1 мкм/мин) и быстрые травители (для глубоких рельефов, 4 — 8 мкм/мин). Соотношение компонентов NH3 : HF : CH3GOOH для мелких рельефов может быть рекомендовано 7:1:3, для глубоких — 3:1:1.

В соответствии с этим наиболее широко в сплавных пленках применяется кремний. Типичным примером являются сплавы РС3710 и РС3001, характеристики которых приведены в табл. 31. Сплав РС3710 весьма широко применяется в настоящее время в отечественной микроэлектронике, он включает в себя 50—56% Si, 36—39% Сг н 8—11% №. Сплав РС3001 состоит из 66—71% Si, 28—32% Сг, 4—6% Fe. Анализ химического состава пленок сплавов РС3710 и РС3001 показывает, что вначале при термическом напылении на подложке осаждаются фракции, богатые кремнием, и только спустя 2—3 мин восстанавливается соотношение компонентов. Увеличение концентрации Ni до 10 % подавляет эти явления. Наиболее вероятным объяснением этого фактора может служить предположение о взаимодействии атомов хрома, имеющего более высокое парциальное давление паров, чем у кремния, с остаточными масляными парами и другими органическими соединениями в рабочей камере.