Селективного травления

5.11. Примеры схем сетей, в которых максимальная токовая направленная защита не обеспечивает селективного отключения КЗ

Направленная защита. Рассмотренная выше максимально-токовая защита применяется главным образом для защиты радиальных линий с односторонним питанием. Она не обеспечивает селективного ступенчатого действия в кольцевой сети, так как подбором выдержек времени максимально-токовых защит ( 8.19, а) получить ее селективное действие невозможно. Так, при к. з. на линии Л1 (точка К\) должны отключиться выключатели У и 2, но так как защита на выключателе 4 имеет выдержку времени 1,5с, то этот выключатель отключится раньше, чем выключатель 2, и приемная подстанция п/ст! останется без питания. Аналогично, при повреждении на линии Л2 (точка К2) раньше отключится выключатель 4 и подстанция п/ст2 останется без питания. Для селективного отключения повреждений в такой сети необходимо, чтобы защита на выключателях 2, 3, 4, 5 «различала», на какой из линий произошло к. з. Таким свойством обладает максимально-направленная защита, установленная в тех же точках.

3-8. Прим! ры схем сетей, в которых максимальная токовая направленная запита не обеспечивает селективного отключения к. з.

выключатели У и 2, но так как защита на выключателе 4 имеет выдержку времени 1,5 с, то этот выключатель отключится раньше, чем выключатель 2, и приемная подстанция njcml останется без питания. Аналогично, при повреждении на линии Л2 (точка К2) раньше отключится выключатель 4 и подстанция п/ст2 останется без питания. Для селективного отключения повреждений в такой сети необходимо, чтобы защита на выключателях 2 — 5 «различала», на какой из линий произошло короткое замыкание. Таким свойством обладает максимально-направленная защита, установленная в тех же точках.

тельной при КЗ в трансформаторе. В этих случаях на ответвлении от магистрали к трансформатору устанавливаются выключатели нагрузки в комплекте с высоковольтными предохранителями (ВНП), что дает возможность селективного отключения трансформатора при повреждении в нем.

ная токовая защита без выдержки времени выполняется на трансформаторах номинальной мощностью 6,3 MB-А и более, а также на трансформаторах номинальной мощностью 4 MB А, если они работаю! параллельно на шины низшего напряжения (в целях селективного отключения поврежденного трансформатора). Защита может применяться и на трансформаторах меньшей мощности (но не менее 1000 кВ • А), если выполняется хотя бы одно из двух условий:

5.11. Примеры схем сетей, в которых максимальная токовая направленная защита не обеспечивает селективного отключения КЗ

маторов 2 500—1000 кВА и четырех-пяти при мощности 630—250 кВ. При большом числе трансформаторов и глухом их присоединении к магистрали максимальная защита на головном участке питающей магистрали загрубляется и может оказаться нечувствительной при к. з. в данном трансформаторе. В этих случаях на ответвлении от магистрали к трансформатору устанавливаются выключатели нагрузки и предохранители (ВНП), что дает возможность селективного отключения трансформатора при повреждении в нем.

Продольная дифференциальная защита без выдержки времени выполняется, как правило, на трансформаторах мощностью 6,3 мВ-А и более. Допускается предусматривать дифференциальную защиту на трансформаторах меньшей мощности (4,0 мВ-А) при параллельной работе их в Целях селективного отключения поврежденного трансформатора, а также на трансформаторах 1,0 мВ-А и более, если токовая отсечка не удовлетворяет требованиям чувствительности; максимальная токовая защита имеет выдержку времени более 0,5 с и отсутствует газовая защита.

Нагрузка выпрямителя при коротких замыканиях в контактной сети. Число параллельно включенных диодов в большей мере определяется током короткого замыкания, чем наибольшим возможным током нагрузки, так как в преобразователях для тяги часто нельзя согласовать перегрузочные характеристики диодов с характеристиками быстродействующих предохранителей для селективного отключения. При этом преобразователь должен проводить ток короткого замыкания до отключения включенного на стороне питающей сети силового выключателя или включенного за преобразователем быстродействующего автоматического выключателя в отходящей линии. Полное время срабатывания выключателя на стороне сети составляет до 100 мс и быстродействующего выключателя на стороне постоянного тока—до 30 мс. Если функции защиты от тока короткого замыкания должен выполнять выключатель отходящей линии, нужно учитывать в балансе токов короткого замыкания и токи параллельных участков контактной сети.

Для обеспечения селективного отключения последовательно установленных автоматических выключателей защитные характеристики их расцепителей не должны пересекаться, причем уставки тока у расцепителя выключателя SF1, расположенного ближе к источнику питания, должны быть больше, чем у расцепителя автоматического выключателя SF2, более удаленного от источника питания сети ( 5.6). В случае если характеристика расцепителя первого выключателя, выбранная по условиям (5.7) — (5.9), не удовлетворяет требованиям селективности, его уставки тока срабатывания /с. э.п и /с.з.к принимаются выше расчетных. Но и при этом

Точность ориентации оптическим методом зависит от качества селективного травления, т. е. от четкости огранки ямок травления, и достигает для кремния + 3' и для германия +15'. Точность ориентации может быть повышена путем использования лазерного источника освещения.

Травители с кинетическим контролем называются дифференциальными, а процесс травления - селективным. Как следует из выражения (2.2), характер селективного травления опреде-

/ — область селективного травления; 2 — область полирующего травления

Структуру транзистора, полученную путем селективного травления, называют мезаструктурой, а транзисторы с мезаструктурой, p-rt-переходы в которой сформированы методами планарной технологии, — мезапланарными. В структуре мезапланарного транзистора остается только плоская часть коллекторного перехода, имеющая значительно большее пробивное напряжение. При стравливании закругленных частей коллекторного перехода удаляются приповерхностные участки базы и коллектора, имеющие наибольшее количество нарушений кристаллической решетки и

Подложка может быть и диэлектрической (стекло, ситалл, керамика) с нанесенными на ее поверхность слоями того или иного материала, из которого методами контактной маски, селективного травления или наращивания формируются пленочные компоненты.

Для получения заданной конфигурации (рисунка) компонентов ИМС и межсоединений применяют ряд методов, из которых наибольшее распространение получили методы свободной (или механической) маски, контактной маски и селективного травления.

Получение рисунка тонкопленочной ИМС методом селективного травления. Сущность метода заключается-в травлении тонко-пленочных структур, предварительно нанесенных на поверхность подложки, до образования рисунка требуемой конфигурации. Травление названо селективным ввиду способности травителя растворять один материал (например, контактных площадок), не затрагивая при этом другой (например, материалы резисторов).

фоторезист и производят фотопечать, совмещая с контактными площадками изображения концов резисторов на фотошаблоне. После проявления на заготовке места будущих резисторов остаются защищенными фоторезистом. Для травления незащищенных участков применяют травитель, который хорошо растворяет резистив-ный слой, но не действует на материалы контактных площадок и проводников. После травления образуется готовая схема, содержащая резисторы, коммутацию и контактные площадки для сварки и пайки. На 10-21 показана схема одинарного селективного травления.

10-21. Схема одинарного селективного травления.

10-22. Схема двойного селективного травления.

Проводят вторую фотолитографию, аналогичную первой. На 10-22 показана схема двойного селективного травления.