Соединенных транзисторов

Пример 1.15. Рассчитать модуль входного сопротивления усилителя на частоте / = 6 МГц, если оно образовано из параллельно соединенных сопротивления Я„х = 75 Ом и входной емкости Свх = = 150 пФ. _

СОЕДИНЕННЫХ СОПРОТИВЛЕНИЯ И ИНДУКТИВНОСТИ

КОНТУР ИЗ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО СОЕДИНЕННЫХ СОПРОТИВЛЕНИЯ И ИНДУКТИВНОСТИ

Контур из последовательно соединенных сопротивления и конденсатора

КОНТУР ИЗ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО СОЕДИНЕННЫХ СОПРОТИВЛЕНИЯ, ЕМКОСТИ И ИНДУКТИВНОСТИ

Задача VI.11. Цепь, состоящая из последовательно соединенных сопротивления гг и катушки индуктивности с параметрами г2 и L ( VI. 10), присоединена к источнику постоянного тока с э. д. с. Е. Найти значения переходных токов ilt ie и is, если при установившемся режиме в момент t — 0 рубильник Р замкнет катушку накоротко. Рассчитать также ток V', если в момент t == /1 рубильник снова размыкается.

Задача VI. 24. Цепь из последовательно соединенных сопротивления ri и катушки с параметрами г2 и L2 включена на постоянную э. д. с. Е ( VI.23). В момент t = 0 при установившемся режиме параллельно ко второй катушке приключается рубильником Р третья катушка с параметрами г3 и L3.

Задача VII.13. Контур из последовательно соединенных сопротивления г и конденсатора С включается на пилообразное напряжение (рис, VII.6). Определить напряжения на конденсаторе и ток в цепи.

Задача VII.15. Рассмотренное в задачах VII.13 и VII.14 пилообразное напряжение приложено к контуру из последовательно соединенных сопротивления и индуктивности. Доказать, что выражение для переходного тока в этом случае совпадает с (VII.51)

Задача IX. 16. Найти выражение для переходной характеристики каскада с общим эмиттером, эквивалентная схема которого дана на IX. 21, полагая, что сопротивление нагрузки ZH состоит из параллельно соединенных сопротивления Ra и емкости Сн,

Контур из последовательно соединенных сопротивления и индуктивности 24

Особое место среди МДП ИС занимает логика на комплементарных (т. е. взаимнодополняющих) транзисторах, так называемая МКДП-логика. Основу МКДП-схем составляет инвертор на комплементарных транзисторах ( 3.11, а). Один из последовательно соединенных транзисторов имеет канал р-типа, другой— п-типа. Затворы обоих транзисторов соединены так,что когда один из транзисторов открыт, второй заперт и в статическом

Подобным же образом изменяется работа схемы И-НЕ, приведенной на 101, а. Когда на оба входа А к В подаются сигналы логического 0 (т. е. на затворах действуют положительные напряжения 8—9 В), то транзисторы VT2 и VT3 открыты и напряжение на выходе имеет минимальный уровень, принимаемый в отрицательной логике за 1. Чтобы напряжение на выходе стало максимальным и соответствующим логическому О, на один из входов надо подать сигнал логической 1. При этом один из последовательно соединенных транзисторов запрется и напряжение на выходе станет максимальным, соответствующим 0. Таким образом, эта логическая схема работает как элемент ИЛИ-НЕ (а не как элемент И-НЕ в положительной логике).

Четырехслойную структуру тиристора можно представить в виде двух соответствующим образом соединенных транзисторов р-п-р- и п-р-п- типов ( 16.29). Как видно из схемы, к переходам П\ и Яз подведено прямое напряжение, а к переходу Я2 — обратное. Если бы не было переходов П\ и Я3, тиристор превратился бы в диод и через переход Я 2 проходил бы обратный ток /о. При наличии переходов П\ и Я3 через переход Яз проходят два дополнительных тока: коллекторный ток /„ транзистора p-n-р и коллекторный ток /К2 транзистора n-p-п. Ток /Ki создает дырки, а ток /к2 — электроны. Поэтому ток / через переход Я2, равный току через сопротивление нагрузки, можно рассматривать как сумму трех токов:

Параллельное соединение транзисторов VT1 и VT2, которые включены в качестве диодов, ограничивает уровень входного сигнала, поступающего на входы транзисторов VT3 и VT4 ДК (см. 7.12, а), и защищает их от перегрузки. Если такой защиты транзисторов нет в самой схеме ОУ, ее легко организовать вне ОУ. На 7.12, 5 изображена схема защиты входных транзисторов ДК с помощью двух последовательно соединенных транзисторов VT1 и VT2, которые включены в качестве диодов. Принцип действия этой схемы защиты входных транзисторов подобен первой. Более сложная защита входных супербета-транзисторов ОУ показана на 7.12, в. Такая схема защиты входных транзисторов ДК имеется в ОУ типа 140УД6.

4. Предложите конкретные варианты построения цепей управления для схемы, состоящей из последовательно соединенных транзисторов (тиристоров).

Уменьшение площади коллекторного перехода (при заданной полной площади эмиттеров), необходимое для снижения его барьерной емкости, в многоэмиттерном транзисторе ограничено ростом теплового сопротивления между кристаллом и корпусом. Это противоречие устраняется в многоструктурных транзисторах, представляющих собой матрицу отдельных параллельно соединенных транзисторов, изготовленных на одном кристалле. Увеличивая расстояние между отдельными транзисторами, можно обеспечить требуемое тепловое сопротивление без увеличения емкости коллекторного перехода.

Особое место среди составных транзисторов занимает каскадная схема ( 4.220), представляющая собой усилитель, образо-"анный из каскадно соединенных транзисторов с ОЭ я ОБ вклю-.-шем.

буегоя согласование с обеих сторон, и это вполне возможно, так как выходное сопротивление эмиттерного повторителя, согласно (4.46) равное Rex=(Ri+hu)l(\.+ti
Даже в том случае, когда условия согласования для оптимизации шумовых свойств схемы не выполняются, метод параллельного соединения транзисторов все же значительно улучшает шумовые параметры. Например, при сопротивлении источника, равном 30 Ом, ге = гь=Ш Ом и ра=100, коэффициент шума, рассчитанный из выражения (4.95) для одного транзистора, составляет 7,8 дБ. При использовании же четырех параллельно соединенных транзисторов коэффициент шума уменьшается до 3,5 дБ, что приводит к резкому улучшению качества работы устройства.

4.4. Полная схема ключа с двухсторонней проводимостью на основе встречно-параллельно соединенных транзисторов (а) и с одним транзистором, шунтирующим выводы постоянного тока выпрямительного моста (б)