Соединение отдельных

Для механизации электромонтажа методом накрутки и уменьшения числа ошибок применяют установки с числовым программным управлением (полуавтоматические и автоматические). Полуавтоматические установки состоят из координатного стола, на котором крепится приспособление с целеуказателем, перемещающимся над столом с высокой точностью по двум координатам, монтажного пистолета, электрифицированной кассетницы с набором подготовленных проводов, 'стойки управления и питания. Поиск вывода, на котором образуется очередное соединение, осуществляется автоматически по программе, записанной на перфо-

пленки оксидов и другие загрязнения, обеспечивая после остывания прочное соединение. Сварные швы могут б:лть непрерывными и точечными. В первом случае соединение осуществляется по определенному контуру непрерывно, а во втором — соединение производится отдельными сварными точками.

1.6.2. Полевые транзисторы МДП-типа («металл — диэлектрик—полупроводник») называют также полевыми транзисторами с изолированным затвором. На 1.11, а показан разрез МДП-транзистора. У поверхности кристалла полупроводника—подложки с проводимостью р-типа созданы две области с проводимостью n-типа и тонкая перемычка между ними, называемая каналом. Области п-ти-па имеют выводы во внешнюю цепь: С — сток и Я — исток. Полупроводниковый кристалл покрыт окисной пленкой диэлектрика, на которой расположен металлический затвор 3, связанный с внешней цепью. Таким образом, затвор электрически изолирован от цепи исток—сток. Подключение источников С/си и t/зи показано на 1.11, а. Подложка соединяется с истоком; это соединение либо осуществляется внутри прибора, либо подложка имеет вывод во внешнюю цепь (Я) и это соединение осуществляется по внешней цепи.

Термокомпрессия клином, схема которой представлена на 19-8, была одним из первых видов выполнения термокомпрессионного соединения. При указанном методе проволока с помощью автоматической подачи располагается над монтажной площадкой схемы, а клин — над проволокой. Соединение осуществляется давлением при одновременном нагреве клипа и подложки. После

1. Цепочечные фильтры. Цепочечные фильтры образуются путем цепочечного соединения Г- и "[-образных четырехполюсников (полузвеньев), которые имеют П- и Т-образный входы ( 9.5, а, б). Их соединение осуществляется входами с одинаковыми характеристическими сопротивлениями Zcn или ZcT. При этом два одинаковых полузвена образуют симметричное Т- или П-образное звено фильтра.

стрелкой. На полке линии-выноски (для видимого шва) или под полкой линии-выноски (для невидимого шва) наносят условное обозначение шва, в котором указывают обозначение стандарта сварного соединения, буквенно-цифровое обозначение сварного шва, размер катета шва и другие данные. Например, условное обозначение шва на 3.9 означает, что шов выполняется ручной дуговой сваркой по ГОСТ 5264-80, соединение осуществляется внахлестку без подготовки кромок (HI), катет шва 5 мм (Кб). На лицевой стороне шов является прерывистым с длиной провариваемого участка 50 мм и шагом 100 мм. Знак "говорит о том, что шов выполняется по незамкнутому контуру. На обратной стороне — шов сплошной.

1.6.2. Полевые транзисторы 1У\ДП-типа («металл — диэлектрик—полупроводник») называют также полевыми транзисторами с изолированным затвором. На 1.11, а показан разрез МДП-транзистора. У поверхности кристалла полупроводника—подложки с проводимостью р-типа созданы две области с проводимостью n-типа и тонкая перемычка между ними, называемая каналом. Области и-ти-па имеют выводы во внешнюю цепь: С — сток и И — исток. Полупроводниковый кристалл покрыт окисной пленкой диэлектрика, на которой расположен металлический затвор 3, связанный с внешней цепью. Таким образом, затвор электрически изолирован от цепи исток—сток. Подключение источников f/си и t/зи показано на 1.11, а. Подложка соединяется с истоком; это соединение либо осуществляется внутри прибора, либо подложка имеет вывод во внешнюю цепь (Я) и это соединение осуществляется по внешней цепи.

Сварка состоит в сплавлении материалов жил и присадочного материала ( 46). При пайке жилы не расплавляются. Соединение осуществляется адгезией припоя к соединяемым жилам ( 47).

концы нагревателей и. термопары [84, 121]. В контактных преобразователях спай термопары и середины нагревателя сварены, в бесконтактных соединение осуществляется бусинкой из вакуум-цемента диаметром 40—400 мкм. Диаметр ветвей термопары 10—60 мкм;

Большинство способов пайки осуществляется с применением различных припоев, и лишь иногда при соединении металлов, образующих между собой легкоплавкие эвтектики, производят пайку без применения готового припоя. В этом случае соединение осуществляется за счет эвтектики, образующейся при нагреве двух соприкасающихся разнородных металлов.

5 Соединение по канифоли Обычно большой Соединение осуществляется через слой затвердевшего флюса, обычно канифольного. В предельном случае полностью разрушается металлический континуум, что приводит к потере электропроводности и низкой прочности соединения. Припой имеет сплошную поверхность

Соединение отдельных проводников одной фазы обмотки между собой и взаимное расположение обмоток всех трех фаз статора можно проследить с помощью развернутой схемы обмотки статора двухполюсного асинхронного двигателя, изображенной на 10.5, а. Обозначения на рисунке: пО — длина внутренней окружности сердечника статора; / — длина сердечника статора, цифры от 1 до 24 — пазы.

Технологический процесс изготовления МПП на полиимидных пленках начинается с изготовления ДПП. С помощью двустороннего фототравления за один цикл формируются монтажные отверстия диаметром 50 ... 70 мкм на пленке толщиной 50 мкм. При травлении образуется конусообразная форма отверстий, удобная для последующей вакуумной металлизации (например, Сг—Си толщиной 1...2 мкм). После избирательного усиления металлизации слоем гальванической меди и технологическим покрытием (Sn—Ni, Sn—Bi, Sn—Pb) платы поступают на сборку. Многослойные ПП получают приклеиванием двухслойных плат через фигурные изоляционные прокладки из полиимида к жесткому основанию, на котором предварительно сформированы контактные площадки. В качестве основания используются металлические пластины с изолирующим слоем (анодированный алюминий, эмалированная сталь и др.). Электрическое соединение отдельных слоев проводится пайкой в вакууме. Таким образом можно формировать платы с 15 ... 20 слоями.

Соединение отдельных слоев МПП осуществляют специальными склеивающими прокладками, которые изготавливают из стеклоткани, пропитанной недополимеризованной эпоксидной смолой.

Для «уплотнения» монтажа первоначально стали применять миниатюрные элементы схем и печатный монтаж. Сущность печатного монтажа заключается в том, что элементы схем соединяются между собой не обычными монтажными приводами, а с помощью так называемых печатных плат — пластинок из изоляционного материала (текстолита, стекла, керамики, электрофарфора). На пластинки наносят тонкие проводящие слои, с помощью которых и осуществляется электрическое соединение отдельных элементов схемы.

Применяют два способа сборки сложных СВЧ-ИМС из отдельных узлов. Один из них — непосредственное соединение отдельных ИМС, представляющих элементы СВЧ-тракта, на плоском основании. Для более плотного монтажа подбирают такую конфигурацию проводника на составляющих микросхемах, которая обеспечивала бы ее непосредственную стыковку с соседней схемой. При подобном соединении составляющих микросхем коэффициент связи между ними может достигать 55 дБ. При повышенных требованиях к защите от радиопомех и межсхемной изоляции модули собирают из отдельных полностью экранированных отсеков, развязка между которыми достигает более 100 дБ. Этот способ уменьшает время сборки и настройки модуля, обеспечивает минимальный объем, дополнительную механическую защиту, возможность быстрой замены отдельных элементов модуля.

Наиболее эффективным методом уменьшения Ls является параллельное соединение отдельных частей (секций) обмотки.

Микросхемотехника (интегральная схемотехника) как одна из основ микроэлектроники охватывает исследования и разработку оптимальных схем. Многие современные микросхемы являются очень сложными электронными устройствами, поэтому при их описании и анализе используются по меньшей мере два уровня схемотехнического представления. Первый наиболее детальный уровень — это электрическая схема. Она' определяет электрические соединения элементов (транзисторов, диодов, резисторов и др.); на этом уровне устанавливается связь между электрическими параметрами схемы и параметрами входящих в нее элементов. Второй уровень—это структурная схема. Она определяет функциональное соединение отдельных каскадов, описываемых электрическими схемами.

довательно-параллельное соединение отдельных элементов, можно собрать выпрямители на десятки и сотни ампер и сотни и тысячи вольт.

Соединение отдельных фаз трехфазных приемников звездой или треугольником осуществляют таким же образом, как и соединение

Соединение отдельных ветвей между собой металлическими контактными пластинами должно быть сделано так, чтобы контактные сопротивления были намного меньше сопротивления ветвей термоэлемента. Иначе контактные сопротивления могут уменьшить эффективность термоэлемента из-за увеличения

ся друг от друга прокладками из прессованного картона. По неизолированной внешней поверхности обмотки передвигается специальная система контактных щеток ( 2-218), позволяющая осуществлять соединение отдельных витков с выводным концом обмотки. Токи, возникающие при замыкании витков движущимися контактами, ограничиваются сопротивлениями, включенными между соседними щетками'. Регулирование напряжения происходит небольшими ступенями примерно по"1 В соответственно напряжению витка. Вдоль обмотки может одновременно передвигаться ряд контактов, раздельно