Соединения выполненные

полупроводниковой интегральной микросхемы, в которой активные и пассивные элементы и их соединения выполнены в виде сочетания неразъемно связанных р-п-перехо-дов в одном исходном полупроводниковом материале. Это позволило исключить процесс сборки радиоаппарата, повысить плотность упаковки и надежность межэлементных соединений. Таким образом, полупроводниковая электроника вступила в новую фазу своего развития — появилась микроэлектроника. В дальнейшем полупроводниковую интегральную микросхему будем называть интегральной микросхемой (ИМС). Переход к ИМС стал возможен благодаря освоению новой полупроводниковой технологии, характеризующейся созданием групповых методов изготовления пленарных (плоских) р-п-р- или га-р-п-структур. При современном групповом технологическом цикле может быть изготовлено одновременно несколько десятков тысяч ИМС с количеством элементов от 50 до 500 или несколько тысяч ИМС с количеством элементов порядка 5000, т. е. одновременно может быть выполнено несколько миллионов элементов с помощью тех же простейших технологических операций по формированию р-и-переходов, что и при изготовлении одиночного планарного транзистора. Это позволяет обеспечить высокую идентичность параметров ИМС и значительно повысить надежность по сравнению с аналогичными схемами на дискретных элементах. За счет усложнения элементной базы происходит уменьшение сложности конструкции, числа внешних соединений и объема электронной аппаратуры.

Полупроводниковой интегральной микросхемой называют ИМС, в которой все активные и пассивные элементы и их соединения выполнены в виде сочетания неразъемно связанных р-л-переходов в одном исходном полупроводниковом кристалле. Полупроводниковый кристалл, в об*ьеме и на поверхности которого с помощью планарной технологии формируются элементы микросхемы и контактные площадки, выполняет, таким образом, активную роль.

По технологии изготовления различают полупроводниковые, пленочные и гибридные И С. В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде проводящих, диэлектрических и резистивных пленок (слоев) на подложке. Вариантами пленочных ИС являются тонкопленочные с толщиной пленок до 1 мкм и толстопленочные с толщиной пленок свыше 1 мкм — до десятков микрометров. Гибридные ИС кроме элементов содержат компоненты. Частным случаем гибридной ИС является многокристальная И С, содержащая в качестве компонентов несколько бескорпусных полупроводниковых ИС на одной подложке. Наиболее распространены полупроводниковые и гибридные ИС.

заготовки спрессовывают печатными проводниками внутрь, изолировав их склеивающими прокладками 7 и 8. Суммарная толщина склеивающих прокладок должна быть не менее двух толщин фольги, расположенной на внутренних слоях (это требование относится ко всем рассматриваемым дальше способам)., Полученная таким образом промежуточная заготовка имеет по обе стороны монолитную фольгу, в которой сделаны металлизированные отверстия, соединяющие эту фольгу с печатными проводниками, расположенными на ближайшем к ней внутреннем слое. После этого на заготовке комбинированным способом выполняют печатные проводники 1 и 4, расположенные на наружных слоях, и металлизированные отверстия П, которые соединяют эти проводники. В тех местах, где проходят указанные отверстия, не должно быть печатных проводников, расположенных на внутренних слоях. Каждое металлизированное отверстие на любом слое должно иметь контактную площадку. Характерной особенностью этого метода является то, что все межслойные соединения выполнены с помощью металлизированных отверстий, аналогичных тем, которые использовались в двусторонних печатных платах. К числу недостатков метода относится то, что он позволяет получить только четырехслойные печатные платы, а в ряде случаев требуется иметь платы с большим числом слоев.

В зависимости от технологии изготовления различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС. В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки. В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов на поверхности диэлектрической подложки. Различают две разновидности пленочных ИС: тонкопленочные, если используются пленки толщиной менее 1 мкм; толстопленочные, если используются пленки толщиной более 1 мкм. В гибридных ИС, кроме элементов, содержатся простые и сложные бескорпусные компоненты (например, кристаллы полупроводниковых ИС), расположенные на поверхности диэлектрической подложки.

Если в ИС элементы и межэлементные соединения выполнены в виде пленок, а также содержатся бескорпусные компоненты (транзисторы, диоды, индуктивности и др.), то она называется гибридно-пленочной.

Трансформаторы 4 и 8 приклеиваются к плате 9, а выводы трансформаторов припаиваются к контактным площадкам платы. Соединения выполнены печатным монтажом. Перед заливкой трансформатор 4 с выводами обволакивается герметикой (на чертеже показан штриховой линией). После этого на модуль надевается крышка / и производится заливка компаундом. После заливки модуль имеет кубическую форму. На поверхности куба с одной стороны выступают шляпка транзистора и подстроечник 5, обеспечивающий регулировку длительности импульсов, с другой стороны — выводы модуля. Выводы расположены несимметрично, что служит ключом для установки модуля в плату.

В полупроводниковой микросхеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. Структура, содержащая элементы, межэлементные соединения и кон-

В пленочных ИМС все элементы и межэлементпые соединения выполнены ь ииде различных пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки. Различают ИМС тонкопленочные (толщина пленок до 1 мкм) и толстопленочные (толщина пленок свыше 1 мкм) ИМС. В пленочных ИМС выполняют только резисторы, конденсаторы и другие пассивные элементы. Так как активные элементы в пленочных ИМС пока не удается изготовить, эти ИМС самостоятельно не применяются.

В пленочных ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде пленок, проводящих и диэлектрических материалов. Различные компоненты выращиваются на поверхности полированной диэлектрической подложки. Тонкую пленку необходимого рисунка получают, осаждая через металлический трафарет соответствующий материал вакуумным или катодным распылением, термическим разложением и т. п. По тонкопленочной технологии могут быть изготовлены резисторы и конденсаторы. Существует два варианта этих ИС: тонкопленочные и толстопленочные. К первым относятся ИС с толщиной пленок 1 мкм и менее, ко вторым - с толщиной пленок свыше 1 мкм.

В зависимости от технологии изготовления различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС. В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки. В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов на поверхности диэлектрической подложки. Различают две разновидности пленочных ИС: тонкопленочные, если используются пленки толщиной менее 1 мкм; толстопленочные, если используются пленки толщиной более 1 мкм. В гибридных ИС, кроме элементов, содержатся простые и сложные бескорпусные компоненты (например, кристаллы полупроводниковых ИС), расположенные на поверхности диэлектрической подложки.

Анализ сварных соединений показывает, что потенциально более подвержены усталости соединения, выполненные термокомпрессионной сваркой и сваркой сдвоенным электродом, чем соединения, выполненные с помощью лучевых методов и УЗ-микро-сварки при одинаковых условиях испытания.

Сложность конструкции транспортируемых РЭС, размещение их в нескольких конструктивно-функциональных модулях (шкафах, стойках, пультах, блоках, ячейках) приводит к необходимости выполнения межблочных электрических соединений. Для объединения шкафов и стоек эти соединения, выполненные кабелями, обычно располагаются сверху ( 8.42). Это обеспечивает легкость доступа к соединителям и в какой-то степени защищает межблочные соединения от вибраций и ударов, так как стойки устанавливаются на амортизаторах. Так как доступ к транспортируемым РЭС обычно осуществляется только с одной стороны, то для облегчения осмотра и ремонта блоков и ячеек используются различные способы выдвижения и поворота (см. 8.43, 8.47—8.49).

ния располагают со стороны подшипника на коллекторной втулке, во втором случае — под лобовыми частями обмотки якоря. Наибольшее распространение получили уравнительные соединения выполненные в виде специальных секций.

( 2.7, б). В первом случае уравнительные соединения располагают со стороны подшипника на коллекторной втулке, во втором случае — под лобовыми частями обмотки якоря. Наибольшее распространение получили уравнительные соединения, выполненные в виде специальных секций.

Для пайки термочувствительных элементов, нагрев которых не должен превышать 170—200 °С, рекомендуется применять кадмиевые припои типа ПОСК 50-18. Электромонтажные соединения, выполненные этим припоем, отличаются высоким качеством и металлическим блеском. Однако при групповой пайке этот припой не применяют из-за обеднения кадмием, так как последний быстро испаряется и окисляется.

Оконцевания и соединения, выполненные сваркой, во избежание коррозии покрывают толстым слоем влагостойкого лака, а затем изолируют лентой, покрывая лаком каж-

Соединения секций и блоков, выполненные болтовыми сжимами в помещениях с нормальной средой, изолируют с помощью изоляционных кожухов. Сварные соединения, выполненные под слоем флюса, покрывают антикоррозионной защитой и изолируют во всех случаях. Сварные соединения, выполненные в среде аргона, требуют антикоррозионной защиты и изоляции только в помещениях с химически активной средой и с токопроводящей пылью. Антикоррозионную защиту выполняют в соответствии с инструкцией.

са ППСТ муфтой длиной 40 мм, изготовляемой из трубы следующего большего диаметра — 25, 32 и 40 мм соответственно. Такие соединения, выполненные ударной опрессов-кой, удовлетворяют требованиям непрерывности электрической цепи нулевых защитных проводников. Перед опрессовкой концы соединяемых труб и внутренняя поверхность муфты должны быть очищены от грязи, коррозии и краски. На 11.45 показан комплект пуансона и матрицы (после усовершенствования) к прессу ППСТ.

Кадмий и припой на его основе также вызывают коррозию паяного соединения, но скорость коррозии ниже, чем у соединений, паянных оловянными припоями. Низкой коррозионной стойкостью обладают соединения, выполненные припоями на основе висмута. Поэтому не рекомендуется в качестве припоев для пайки алюминия и его сплавов применять олово, свинец, кадмий, висмут и их сплавы между собой.

Значительной коррозионной стойкостью обладают соединения, выполненные цинком или его сплавами с серебром, алюминием, медью и магнием. При введении в цинк легкоплавких металлов (олова, кадмия, свинца

всех припоев, содержащих оловянно-свинцовую эвтектику, независимо от паяемого металла. Однако вряд ли это соотношение совершенно не зависит от свойств применяемого флюса. Соединения, выполненные при более низких температурах и с меньшими зазорами, почти всегда имели флюсовые включения '.