Соединения различных

Рисунок печатной платы ( 11.8), определяющий конфигурацию проводникового и диэлектрического материалов и подготовленный конструктором, переносят на поверхность печатной платы методом фотолитографии. Для этого поверхность платы покрывают светочувствительным слоем — фоторезистом, который засвечивают через фотошаблон, полученный при фотографировании рисунка печатной платы. Затем фоторезист проявляют, его незасвеченные участки удаляют и фольгу, находящуюся под этими участками, стравливают специальным раствором. Засвеченные участки, соответствующие проводящему рисунку, защищены слоем фоторезиста и поэтому не стравливаются. В печатной плате просверливают отверстия диаметром 0,6—1,5мм для установки навесных компонентов (интегральных микросхем, транзисторов, резисторов, конденсаторов), механического крепления печатной платы, а также электрического соединения проводников печатной платы, нанесенных на ее противоположных сторонах. Стенки отверстий металлизируют сначала химическим, а затем электрохимическим способом. Таким образом получают проводящий рисунок с однрй (односторонняя печатная плата) или двух (двусторонняя печатная плата) сторон. Гибкие выводы навесных компонентов запаивают в монтажных отверстиях, к которым подходят печатные проводники, и получают печатный узел ( 11.9).

рожки, и избирательным стравливанием проводящего слоя с отдельных участков этих дорожек сформировать пленочные резисторы. При этом все соединения проводников с резисторами в такой интегральной микросхеме получаются сами собой, как бы автоматически. Конденсаторы в тонкопленочных ГИС могут быть изготовлены путем напыления на проводящую пленку диэлектрического материала, а затем снова напыления проводящей пленки. Напыление можно проводить, разогревая в вакууме испаряющийся материал (мишень) до высоких температур путем обычного нагрева (термовакуумное испарение), бомбардировки электронным лучом (электронно-лучевое испарение) либо тяжелыми ионами (катодное распыление). В 60-х годах огромные усилия исследователей были направлены на создание пленочных активных элементов, однако надежно функционирующих пленочных транзисторов с воспроизводимыми параметрами получить так и не удалось. В тонкопленочных ГИС используют активные навесные полупроводниковые компоненты.

Узел применяется для соединения проводников и создания контрольных точек. К каждому узлу может подсоединяться не более четырех проводников.

2) электрохимический, при котором методом химического осаждения создается слой металла толщиной ]—2 мкм, наращиваемый затем гальваническим способом до нужной толщины. При электрохимическом способе одновременно с проводниками металлизируют стенки отверстий, которые можно использовать как перемычки для соединения проводников, расположенных на разных сторонах платы;

Метод послойного наращивания ( 13.12). Платы, изготовленные этим методом, имеют печатные проводники, выполненные методом электрохимического осаждения меди. Межслойные соединения проводников осуществляют монолитными столбиками меди, осажденной в отверстиях изоляционной прокладки.

5.12. Схема волновой обмотки при 2р=4, S=/(=17, и последовательность соединения проводников

ности изображения поверхность статора или ротора вместе с пазами и обмоткой развертывают в плоскость и все соединения проводников изображают в виде прямых линий. Проводники, лежащие в одном пазу (т. е. каждую сторону катушки), изображают в виде линии.

соединения проводников, идущих в одном направлении, когда их участки проходят параллельно друг другу на расстоянии одной ячейки ДРП;

Явление термоэлектричества, открытое в начале прошлого века русским академиком Эпинусом, заключается в следующем. Если составить цепь из двух различных проводников (или полупроводников) А и В, соединив их между собой концами ( 5-1), причем температуру ^ одного места соединения сделать отличной от температуры t0 другого, то в цепи появится э. д. с., называемая термоэлектродвижущей силой (термо-э. д. с.) и являющаяся разностью функций температур мест соединения проводников:

7Б°С интенсивно окисляются контакты аппаратов и контактные (особенно болтовые) соединения проводников. Длительное повышение температуры резко сокращает срок службы изоляции.

Термоэлектрические термометры состоят из датчика (термоэлемента, термопары), измерителя термо-ЭДС и соединительных проводов. Термоэлементы состоят из двух разнородных проводников А и В ( 1.2,а), соединенных друг с другом и образующих замкнутую цепь. Если температуры мест соединения проводников не одинаковы, то в образованной ими цепи появляется термо-ЭДС и начинает протекать ток. Значение термо-ЭДС зависит от материала обоих проводников и разности их температур. Если температуру одного из соединений /0 поддерживать неизменной (например, как это принято, равной О °С), то термо-ЭДС будет зависеть лишь от температуры t второго соединения (второго спая).

Схемы смешанного соединения различных электротехнических устройств весьма разнообразны. В качестве примера рассмотрим схему 3.1, а.

Шины. Шины применяют для соединения различных аппаратов и приборов в распределительных устройствах напряжением до и выше 1000 В. Плоские и круглые шины небольшого сечения выпускают свернутыми в бухты, большого сечения — в виде полос и прутков. Плоские алюминиевые и медные шины изготовляют толщиной 3—10 мм и шириной — 15—100 мм; стальные — сечением от 20 х 3 до 100 х 4 мм.

дои. Для удобства соединения различных блоков тракта изображения между собой параметры ТВ сигнала на выходе каждого блока нормируют следующим образом: на несимметричной нагрузке 75 Ом уровни гасящего 0,3 В, синхроимпульса О В, бел'ого 1 В.

внутренними контактными соединениями, обеспечивающими соединения различных структурных областей полупроводника с металлическими пленочными или поликремниевыми проводниками (сюда относятся и затворы МДП-ИМС);

Радиоэлектронная система обычно выполняется в виде соединения различных элементов: резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, интегральных микросхем, транзисторов, электронных ламп, трансформаторов и т. д. Отдельные элементы объединяются в функциональные узлы, выполняющие заданные операции над преобразуемым сигналом. При этом характеристики реальных функциональных узлов таковы, что практически ни одна операция не выполняется строго. Поэтому преобразованный сигнал на выходе не является следствием только выполнения заданных операций, а отражает в своей структуре и реальные преобразующие свойства отдельных функциональных узлов.

Полупроводниковые соединения, как говорилось выше, условно относят к фазам, имеющим постоянный состав. В действительности их состав переменный, ограниченный областью гомогенности. Внутри последней может находиться и стехиометрический состав, выражаемый формульным отношением компонентов соединения. Отклонение от сте-хиометрического состава чаще всего является результатом возникновения в кристалле соединения различных парных точечных дефектов структуры — вакансий по Шоттки (Ул и Vs), междоузельноги разупо-рядочения (At и В{) и антиструктурных дефектов (Ав и B.-ii*. Комбинирование этих дефектов приводит к образованию других типов дефектов структуры, из которых наиболее распространенны1: является парный дефект по Френкелю: VA + BI, или Vs + Ai. Так как энергия образования различных дефектов различна, то с термодинамических позиций образование соединения строго стехиометрического состава маловероятно.

Если известна частотная характеристика двухполюсника, то для всех расчетов цепи, содержащей этот двухполюсник, уже не нужно знать схему соединения различных элементов внутри двухполюсника и параметры этих элементов.

Используя различные комбинации диодных, транзисторных, фер-ритдкодных и ферриттранзисторных логических схем, можно реализовать любые сложные каскадные соединения различных логических цепочек.

ное соединение, когда входные зажимы одного четырехполюсника соединяются с выходными зажимами другого. Так, например, можно составить Т-или П-образный четырехполюсник из двух Г-образных, о чем уже упоминалось в § 14-14. В каскад соединяют несколько фильтров, чтобы увеличить коэффициент затухания устройства для сигналов, которые нужно подавить. Да и сам тракт передачи сигналов (канал связи) обычно состоит из каскадного соединения различных четырехполюсников.

Полупроводниками являются сложные соединения различных элементов таблицы Д. И. Менделеева, соответствующие общим формулам:

В настоящее время наибольшее значение имеют кремнийоргани-ческие соединения различных составов и свойств, известные под общим названием силиконов. Комбинация стекловолокнистых материалов с силиконами дала возможность создать новый класс теплостойкой изоляции, которая позволяет эксплуатировать машины при высокой рабочей температуре и, кроме того, обладает значительной влагостойкостью.