Соединения нескольких

Для образования качественного паяного соединения необходимо: 1) подготовить поверхности деталей; 2) активировать соединяемые металлы и припой; 3) обеспечить взаимодействие на границе «основной металл — жидкий припой»; 4) создать условия для кристаллизации жидкой металлической прослойки.

обеспечивается, если шлейф разваривается на контактных площадках плат. В местах соединения необходимо обеспечить дополнительное механическое крепление компаундом или клеем.

Для обеспечения высокого качества паяного соединения необходимо, чтобы соединяемые поверхности были свободны от оксидов, жира и загрязнений. В противном случае не происходит взаимного растворения припоя и основного металла, снижаются силы сцепления их частиц, что приводит к резкому уменьшению прочности соединения. Степень взаимного проникновения припоя и основного металла зависит также от температуры нагрева паяемых деталей в месте пайки. Она должна быть несколько выше температуры плавления припоя.

Чтобы получить надежные паяные соединения, необходимо: а) правильно подобрать флюс и припой, б) точно выдержать режимные параметры процесса, в) исключить влияние примесей.

На основании выведенных выше соотношений между емкостями и напряжениями конденсаторов при их последовательном и параллельном соединении можно определить, какую схему соединения необходимо принять в каждом частном случае.

В практике эксплуатации трансформаторов кроме указания схем соединения необходимо знать взаимное направление ЭДС в обмотках ВН и НН.

При этом наибольшая адгезия будет достигаться, как видно из (2.4), в том случае, когда поверхностная энергия межфазной границы атж минимальна, т. е. когда субстрат и адгезив близки по своей молекулярной природе. Такие системы называются совместимыми. Вязкое течение и диффузия. Для реализации высокой адгезии, которую могут обеспечить молекулярные силы, и получения прочного адгезионного соединения необходимо, чтобы в результате вязкого течения адгезив создал предельно полный контакт с поверхностью подложки, максимально затекая в многочисленные микродефекты, которые всегда имеются на реальной поверхности твердого тела. Повышение температуры, вызывая уменьшение вязкости адгезива, способствует образованию такого контакта; аналогично действует повышение давления и увеличение времени формирования контакта. Это особенно важно для таких вязких адгезивов, как по-

Соседние сварные соединения необходимо располагать так, чтобы расстояние между их осями было не менее трехкратной толщины стенки, но не менее /== 1,5 1/(?>нар—s) s, где ?>нар — номинальный наружный диаметр трубы. Если поперечное стыковое сварное соединение подлежит местной термической обработке, по обе стороны оси шва длина свободного участка трубы должна быть не менее /.

В практике эксплуатации трансформаторов кроме указания схем соединения необходимо знать взаимное направление ЭДС в обмотках.

скими свойствами, но для предотвращения коррозии паяные с их применением соединения необходимо тщательно промывать от остатков флюса.

Физическая природа связи в паяных швах изучена недостаточно. Обычно считают, что для получения надежного соединения необходимо образование в паяном шве диффузионной зоны.

ратуре перехода более 150° С, максимальная рабочая температура обычных ИМС ограничивается 75—85° С. Это делается для того, чтобы обеспечить надежность и однородность электрических характеристик различных кристаллов. Например, необходимые условия теплоотвода созданы в ГИФУ на базе многослойной керамики. В этой ячейке основой теплоотвода является не подложка 4, а специальная матрица подпружиненных плунжеров 6 из алюминия, которые прижимаются с помощью пружины 7 к обратной стороне кристалла 5, проводя выделяемую ими теплоту вверх к панели охлаждения 1 ( 1.15). Панель охлаждения прилегает к крышке 2 и имеет внутренние каналы, по которым течет охлаждающая вода с начальной температурой 24° С и с расходом 40 см3/с. Дополнительное улучшение тепловых свойств ячейки дает заполнение его внутреннего герметичного объема гелием 3, который при комнатной температуре намного превосходит воздух по теплопроводности и снижает внутреннее тепловое сопротивление ячейки более чем наполовину. Собранная и загерметизированная таким образом ячейка имеет внутреннее тепловое сопротивление от кристалла да панели охлаждения 9 К/Вт и внешнее тепловое сопротивление 2 К/Вт. При нормальной работе ячейки максимально допустимая мощность на кристалл 4 .Вт, а на ячейку в целом — 300 Вт. Нагрев кристалла при этом не превышает 68° С. Плотность теплового потока составляет от 20 Вт/см2 на уровне кристаллов и 4 Вт/см2 на уровне ячейки, что на порядок превышает поток теплоты для типовых корпусов с воздушным охлаждением. При установке кристаллов бескорпусных ИМС методами пайки непосредственно на металлическое основание коммутационной платы (с диэлектрическим покрытием) специальных устройств для теплоотвода не требуется (см. 1.4); тепловое сопротивление от кристалла до панели охлаждения не превышает 5 К/Вт. Заметим, что для конструкций ВИП важным для микроминиатюризации является снижение габаритов трансформаторов и дросселей путем повышения рабочей частоты преобразования до 200 кГц и более. Из-за относительно небольшой плотности монтажа компонентов ВИП, обусловленной особенностями элементной базы и монтажа, возможно построение ГИФУ путем соединения нескольких микросборок за счет их непрерывной коммутации без применения ПП. Масса и габариты таких ГИФУ значительно меньше этих параметров аналогичных устройств на ПП.

Для описания работы аподизованных (с меняющимся перекрытием) неэквидистатных (непериодических) преобразователей может быть составлена более сложная эквивалентная схема на базе последовательного соединения нескольких эквивалентных схем, подобных изображенной на 4.8.

Такое предложение было сделано русским изобретателем П. М. Голубпцким, крупным специалистом в области телефошш. Им изобретены также разные конструкции чувствительных угольных микрофонов, коммутатор для попарного соединения нескольких телефонных линий и т. д. Транспорт обязан П. М. Голубицкому внедрением телефонной связи на железной дороге.

Вольт-фарадная характеристика МДП-структурн. Структура металл—диэлектрик— полупроводник представляет собой конденсатор. Чтобы вычислить емкость этого конденсатора, представим его в виде соединения нескольких конденсаторов, соответствующих емкости слоя объемного заряда, емкости заряда поверхностных состояний и геометрической емкости диэлектрика.

1370 PRINT : PRINT " КА СОЕДИНЕНИЯ НЕСКОЛЬКИХ НЕ-

2: PRINT "АПОМИНАЕМ, ЧТО УЗЕЛ - ЭТО" 1690 PRINT : PRINT " ТОЧКА СОЕДИНЕНИЯ НЕСКОЛЬКИХ"

В случае каскадного соединения нескольких четырехполюсников нужно, применяя это правило, последовательно заменять эквивалентными четырехполюсниками соседние пары заданных четырехполюсников. Перемножаемые матрицы следует записывать в том же порядке, в котором соединены четырехполюсники.

Наконец, встречаются случаи, когда при высоком напряжении установки емкость, полученная в результате соединения нескольких конденсаторов последовательно, оказывается недостаточной. Тогда используют смешанное (последовательно-параллельное) соединение. В этом случае включают параллельно несколько цепочек последовательно соединенных конденсаторов, каждая из которых рассчитана на подводимое к конденсаторам напряжение.

вытекающий из четырехполюсника. Это сделано для того, чтобы избежать перемены знаков при неизвестных в процессе соединения нескольких подсхем.

Для большого усиления яркости используют многокамерные ЭОП, которые представляют собой соединения нескольких однокамерных ЭОП в одном вакуумном объеме. На 11.13 схематично представлен трехкамерный ЭОП.

4.6. Электрические схемы-соединения нескольких датчиков для определения общей силы по измерениям п составляющих силы, и—в — датчики, питаемые несущей частотой, с гальваническим разделением между питающей и измерительной цепями; г — е — тензорезисторные