Содержать постоянную

Корпус (кристалл) микросхемы может содержать несколько мультиплексорных схем. Выход мультиплексора может быть как прямым, так и инверсным по отношению к сигналам Do, D,...; мультиплексор может быть снабжен входом выборки (синхронизации). Число управляющих входов у микросхем мультиплексоров обычно находится в пределе 1—4. При необходимости построения мультиплексоров с большим числом входов строятся каскадные схемы. Пример такой схемы дан на 3.21, г.

или местную память, оперативную или основную память (ОП), память с прямым доступом на магнитных барабанах и на магнитных дисках, память с последовательным доступом на магнитных лентах. Порядок перечисления устройств соответствует убыванию их быстродействия и возрастанию емкости. Каждый уровень иерархии может содержать несколько экземпляров (модулей) соответствующих устройств для получения нужной емкости данного уровня памяти. На 4.1 сплошными и штриховыми линиями показаны соответственно обычно и сравнительно редко реализуемые пути передачи данных между отдельными ступенями иерархической памяти. Иерархическая структура памяти позволяет экономически эффективно сочетать хранение больших объемов информации с быстрым доступом к информации в процессе обработки.

Многоустройственность предполагает, что система должна содержать несколько экземпляров однотипных устройств (процессоров, модулей ОП, каналов и др.), при этом должна быть обеспечена избыточность устройств всех типов по отношению к минимальному набору, необходимому для выполнения жизненно важных функций.

ности, конвекции; аккумуляции тепла или их совместного действия (влияние отвода тепла путем излучения приближенно учитывается эквивалентным коэффициентом конвективной теплоотдачи). Термоаккумуляция происходит при неустановившемся процессе нагрева, поэтому в схему замещения включаются «реактивные» элементы в виде тешюемкостей. В общем случае схема замещения может содержать несколько независимых или взаимозависимых источников тепла, соответствующих обмоткам, участкам магнитопровода, токосъемным устройствам и узлам трения ЭМН. На основании тепловых расчетов ЭМН с конкретными системами охлаждения определяется температура или превышение температуры нагретых элементов, что необходимо, например, для выбора класса изоляции обмоток, оценки механических температурных напряжений и т. п. Выбор коэффициентов теплоотдачи производится по рекомендациям, накопленным на основании опыта проектирования и эксплуатации электромеханических преобразователей. Точность тепловых расчетов в значительной мере определяется достоверностью данных о коэффициентах теплоотдачи, а также уровнем детализации эквивалентной тепловой схемы замещения. Уточнение тепловых расчетов может быть достигнуто на основе анализа температурных полей ЭМН.

В общем виде анализ температурной зависимости концентрации носителей заряда в полупроводнике представляет собой сложную задачу. Полупроводник может содержать несколько видов донор-ных и акцепторных примесей, что соответствует определенной степени его компенсации. Некоторые примеси могут отдавать или присоединять не один, а несколько электронов. Примесный атом может находиться не только в основном энергетическом состоянии, но и в возбужденном. Основное и возбужденное состояния характеризуются соответствующими факторами спинового вырождения. В некоторых полупроводниковых материалах валентная зона в центре зоны Бриллюэна оказывается вырожденной, что проявляется в увеличении фактора вырождения акцепторного состояния. Поэтому в каждом конкретном случае следует решить, чем можно пренебречь.

Широкое использование радиоэлектронной аппаратуры в 60-е годы открыло большие возможности для научно-технической революции, но, с другой стороны, привело к усложнению самой радиоэлектронной аппаратуры. Если профессиональный связной приемник 20-х годов состоял из нескольких десятков радиокомпонентов, то современный приемник, позволяющий осуществлять прием сигналов в широком диапазоне частот без ручной подстройки гетеродина, должен содержать несколько тысяч дискретных компонентов.

Накопитель трехмерного МОЗУ имеет разрядную организацию. Он состоит обычно из отдельных квадратных матриц, по одной матрице на разряд, так что в одной матрице хранятся одинаковые разряды разных чисел. В МОЗУ небольшого объема одна конструктивная матрица может содержать несколько (две-четыре) разрядных матриц.

гистра, называемого индексным регистром. Машина может содержать несколько индексных регистров, в этом случае поле индексации указывает номер используемого в данной команде индексного регистра. Индексация является мощным средством сокращения длины программ и ускорения их выполнения.

Один том может содержать несколько файлов —- многофайловый том; с другой стороны, один файл может располагаться в нескольких томах — многотомный файл; наконец, один файл может занимать целиком один том — однотомный файл.

гистра, называемого индексным регистром. Машина может содержать несколько индексных регистров, в этом случае поле индексации указывает номер используемого в данной команде индексного регистра. Индексация является мощным средством сокращения длины программ и ускорения их выполнения.

Один том может содержать несколько файлов — многофайловый том; с другой стороны, один файл может располагаться в нескольких томах — многотомный файл;' наконец, один файл может занимать целиком один том — однотомный файл.

Например, если амплитудно-модулированное колебание пропустить через диод, то выпрямленный пульсирующий ток будет содержать постоянную составляющую, гармонику модулирующей частоты и высшие гармоники. Модулирующая частота может быть выделена при помощи фильтра. В простейшей схеме диодного детектора телефон (имеющий активно-индуктивное сопротивление) шунтируется конденсатором, через который и замыкаются токи высших гармоник.

В первой ветви имеется только активное сопротивление /1, поэтому ток в ней, совпадающий по фазе с напряжением, будет содержать постоянную составляющую /J0), первую t('i) и третью гармоники /'(3), которые и определим:

Помеха общего вида еп,0,в возникает из-за различия потенциалов точек заземления источника ЭДС ех и ЦИП. Помеха может содержать постоянную и переменную составляющие. Под действием еп,о,в в схеме возникает ток помехи г'п,о,в ( 9.6). Этот ток на сопротивлении про-

а вольт-амперная характеристика транзистора iK = F(uB3) аппроксимирована полиномом второй степени (12.14). Тогда ток в цепи коллектора в соответствии с формулой (12.13), в которой следует заменить C/ml и rot на Umv и сон, a Um2 и со2 на Umc и Ос, будет содержать постоянную составляющую, составляющие с частотами сон, fic, 2юн, 2QC и составляющие с комбинационными частотами шн + Ос и coH-Qc.

Под ^воздействием переменного входного напряжения их (/) = -= U0 + Um sin to/ (в общем случае может содержать постоянную составляющую ?/0) конденсатор С через диод VD в положительный полупериод заряжается до напряжения Uc = U0 + Um. Тогда падение напряжения на резисторе Rtt равно разности Ux (/) — U0 = Um sin at — — Um> т. е. не зависит от значения {/„• После фильтрации переменной •составляющей цепочкой ДФСФ выходное напряжение Ue = Um •( 8.7, г). Вольтметры амплитудных значений выпускаются на напряжения от 1 мВ до 150 В в частотном диапазоне от 20 Гц до 1000 МГц. Их приведенная погрешность в зависимости от значения напряжения и частоты находится в пределах 0,2... 15 %.

Например, если амплитудно-мо-дулированное колебание пропустить через диод, то выпрямленный пульсирующий ток будет содержать постоянную составляющую, гармонику модулирующей частоты и высшие гармоники. Модулирующая

Если задаться синусоидальным током обмотки w, а не напряжением, можно, пользуясь, например, аппроксимацией вида W — mi — ni3, аналогичным образом показать, что кривая потокосцепления *? (/) будет содержать постоянную составляющую, нечетные и четные гармоники. Очевидно также, что в общем случае напряжению и потокосцеплению любой другой сложной формы будет соответствовать ток i (t) также сложной формы, содержащий четные и нечетные гармоники, и наоборот.

Под воздействием переменного входного напряжения их (/) = = U0 + Um sin ait (в общем случае может содержать постоянную •составляющую ?/„) конденсатор С через диод VD в положительный полупериод заряжается до напряжения Vс — Но + Um. Тогда падение напряжения на резисторе RH равно разности Ux (t) — U0 = Umsinu>t — — Um, т. е. не зависит от значения U0. После фильтрации переменной •составляющей цепочкой КфС^ выходное напряжение UH = Um •( 8.7, г). Вольтметры амплитудных значений выпускаются на напряжения от 1 мВ до 150 В в частотном диапазоне от 20 Гц до 1000 МГц. Их приведенная погрешность в зависимости от значения напряжения и частоты находится в пределах 0,2... 15 %.

время перемагничивания (перезарядки). 14. Что понимают под автоколебаниями? Как выявить условия, когда они возникают? 15. В чем причина возникновения субгармонических колебаний? 16. В чем причина возникновения автомодуляции? 17. В чем отличие субгармонических колебаний от автомодуляционных? 18. В чем принципиальное отличие феррорезонанса напряжений и токов от соответствующих резо-нансов в линейных цепях? 19. При каких условиях в электрических цепях могут возникать триггерные явления? 20. Возможны ли триггерные явления в схеме (см. 15.42, а), если источником питания схемы будет не источник ЭДС, а источник тока? 21. Можно ли ожидать возникновения триггерных явлений в схеме (см. 15.44, а), если на входе ее будет источник ЭДС? 22. Что понимают под частотными характеристиками нелинейных цепей? 23. Чем принципиально отличаются частотные характеристики нелинейных цепей от частотных характеристик аналогичных линейных? 24. В чем сходство и в чем различие в построении векторных диаграмм по первым гармоникам для линейных и нелинейных цепей? 25. Дайте определение понятий "индуктивность рассеяния", "намагничивающий ток", "ток потерь". 26. Постройте векторную диаграмму трансформатора со стальным сердечником при активно-емкостной нагрузке. 27. Составьте алгоритм расчета нелинейной цепи с учетом первой и одной из высших гармоник. 28. К нелинейному резистору с симметричной характеристикой приложено периодическое напряжение без постоянной составляющей. Можно ли утверждать, что протекающий через него ток не может содержать постоянную составляющую? 29. Решите задачи 10.9; 10.10; 10.20; 10.23; 10.37; 10.38; 10.39; 10.41; 10.48; 10.58; 10.61.

Отсюда найдем постоянную и переменную составляющие анодного тока. Далее эти составляющие записаны с учетом того, что #вх может содержать постоянную составляющую ?/Вх<ь

значению синусоидальной величины, т. е. нулю. Поэтому для получения среднего значения вращающего момента, не равного нулю, магнитодвижущая сила должна быть постоянной или, во всяком случае, содержать постоянную слагающую. Если реле используется для синусоидальных величин, то последние должны выпрямляться.