Собственное электрическое

Среди перечисленных требований, предъявляемых к сглаживающим фильтрам, отмечалась необходимость ограничения собственной резонансной частоты фильтра соо условием

4) защита от воздействия механических перегрузок и обеспечение высокой собственной резонансной частоты механических колебаний контактных элементов, так как при ее совпадении с частотой внешних воздействий возможен механический резонанс и, как следствие, нарушение работоспособности контактных элементов.

Многие элементы конструкции аппарата можно представить как колебательные системы. Каждая колебательная система характеризуется собственной резонансной частотой /о. Поведение колебательной системы при воздействии на нее извне вибраций зависит от отношения .частоты этих вибраций/к резонансной частоте/о. Например, плоскую пластинчатую пружину, входящую в состав многих электромагнитных реле, схематично можно представить в виде упругой балки, закрепленной консольно ( 15.1, а). Если основание, в котором закреплена балка, совершает колебания в вертикальном направлении, то вместе с ним перемещается балка. Отношение амплитуды колебаний конца балки к амплитуде колебаний основания обозначим у. Для простоты будем полагать, что потери на внутреннее трение в материале балки при ее деформации отсутствуют. Не приводя выводов, запишем формулу для у:

Из графика видно, что если частота вынужденных колебаний / зна-' чительно больше собственной резонансной частоты балки (f/fo > 1), то у ^ 1, т. е. конец балки колебаться практически не будет. Это значит, что при каждом колебании основания балка изгибается так, что ее конец перемещается незначительно. Если вибрация основания действует длительно, то эта многократно повторяющаяся деформация приведет к появлению усталости в металле, в результате чего балка может

На 17-37, а изображен диэлектрический фильтр. Два сегнетоэлектри-ческих конденсатора склеены вместе и 17-37. Диэлектрический фильтр: образуют сплошную электромеханиче- а — устройство фильтра; б — харак-скую колебательную систему. Входной теристики фильтра гармонический сигнал (Увх создает механические колебания системы за счет обратного пьезоэлектрического эффекта, Между зажимами а—b второго конденсатора при этом возникает напряжение ?/вых за счет прямого пьезоэффекта. Чем ближе будет частота входного сигнала к собственной (резонансной) частоте /оез механических колебаний системы, тем больше будут амплитуда этих колебаний и значение ?/вых. На 17-37, б Показана зависимость коэффициента передачи по напряжению k = Usm/UBK от частоты входного сигнала. Параметр К = d^, где коэффициенты прямого и обратного

На 21.16 показана структурная схема прибора в режиме измерения виброперемещения. Для расширения частотного диапазона в сторону низких частот (до 10 Гц) при собственной резонансной частоте вибропреобразователя 14 Гц применена обратная связь. Для этого выходной сигнал интегратора через усилитель обратной связи УОС подается на обмотку обратной связи катушки индуктивности.

Г-образный фильтр представляет собой последовательный контур, в котором возможно возникновение колебательного процесса. Если частота напряжения сети окажется близкой к собственной (резонансной) частоте такого контура со0, то амплитуда переменного тока /,и0. проходящего через дроссель, может оказаться больше ПОСТОЯРЩОЙ составляющей того же тока /=, а это приведет к тому,

На 21.16 показана структурная схема прибора в режиме измерения виброперемещения. Для расширения частотного диапазона в сторону низких частот (до 10 Гц) при собственной резонансной частоте вибропреобразователя 14 Гц применена обратная связь. Для этого выходной сигнал интегратора через усилитель обратной связи УОС подается на обмотку обратной связи катушки индуктивности.

Иной раз удается уменьшить нагрузки, возникающие от ударных импульсов, за счет «механической настройки» системы, т. е. изменения собственной резонансной частоты. Этого удается достигнуть изменением массы аппаратуры или переходом на амортизаторы другой жесткости.

Электростатические приборы выполняют в виде щитовых и переносных вольтметров и киловольтметров для применения в цепях постоянного и переменного тока с частотой от 20 Гц до 30 МГц. Ограничение рабочей частоты обусловлено собственной резонансной частотой входной цепи, определяемой входной емкостью прибора и индуктивностью вводов и

Резонансный метод измерения частоты заключается в сравнении измеряемой частоты с собственной резонансной частотой градуированного измерительного колебательного

В последние годы большое внимание уделяется изучению контактной поверхности коллекторных пластин. В воздухе всегда есть влага и всегда содержатся различные оксиды. Поэтому при прохождении тока через слой щеточного контакта возникает явление электролиза. В результате электролиза на коллекторе образуется блестящая пленка оксидов меди, называемая политурой коллектора. Пленка оксида меди имеет повышенную твердость и тепловую устойчивость. Исследования показали, что собственное электрическое сопротивление поверхностной пленки оксида меди велико и, когда пленка не нарушена механически, ток протекает через нее путем пробоя. Электрический пробой пленки оксида меди получил название фриттинга. Напряжение пробоя определяется

Диэлектрическая электроника. В диэлектриках в нормальных условиях нет электронов проводимости. Поэтому при воздействии внешнего электрического поля в них нет перемещения электронов. Однако если электрическое поле имеет большую напряженность, то происходит электрическая поляризация диэлектрика и в его объеме появляется собственное электрическое поле. В некоторых диэлектриках поляризация наблюдается при отсутствии внешнего поля (например, в сегнетоэлектриках).

Собственное электрическое поле электростатического вольтметра незначительное, поэтому на работу прибора сильное влияние оказывают внешние электрические поля. Для уменьшения этого влияния приборы экранируют. Экраном может служить корпус прибора, если он металлический. Если корпус выполнен из пластмассы, то экраном служит металлическая фольга из немагнитного материала или алюминиевая краска, которой покрывается внутренняя поверхность корпуса. Экран соединяется с одним из электродов и заземляется.

Учитывая, что собственное входное сопротивление такого преобразователя может быть упрощенно принято равным ZX1 = — W (здесь W — механическая упругость подвижного электрода), а собственное электрическое сопротивление выходной стороны Z30 = —- (здесь

ностью ввода); высокий класс точности (в зависимости от пределов измерений и частотного диапазона основная погрешность составляет 0, 5. ..0,05 %); независимость показаний от формы. кривой измеряемого напряжения. К недостаткам относят: сравнительно низкую чувствительность (за исключением электрометров); слабое собственное электрическое поле, в связи с чем для уменьшения влияния внешних электрических полей применяют электростатическое экранирование. В качестве экрана используют токопроводящую окраску внутренней поверхности пластмассовых корпусов либо металлический корпус прибора. Экран соединяется с одним из электродов прибора и обычно заземляется.

ностью ввода); высокий класс точности (в зависимости от пределов измерений и частотного диапазона основная погрешность составляет 0, 5. ..0, 05 %); независимость показаний от формы кривой измеряемого напряжения. К недостаткам относят: сравнительно низкую чувствительность (за исключением электрометров); слабое собственное электрическое поле, в связи с чем для уменьшения влияния внешних электрических полей применяют электростатическое экранирование. В качестве экрана используют токопроводящую окраску внутренней поверхности пластмассовых корпусов либо металлический корпус прибора. Экран соединяется с одним из электродов прибора и обычно заземляется.

Таким образом, в приграничной зоне создается собственное электрическое поле, 'препятствующее переходу электронов из n-области в р-область и дырок в обратном направлении. Это поле создается нескомпенсированяым объемным зарядом ионизированных доноров в «-области и ионизированных акцепторов в р-области. Концентрация основных носителей в области действия этого поля быстро убывает, так как они выталкиваются полем в нейтральные области полупроводников.

материалам с вырожденными полупроводниковыми свойствами) запорный слой становится настолько тонким, что его собственное электрическое поле, возникающее за счет разности работ выхода п-и /э-областей, оказывается достаточным для туннельного эффекта. Это приводит к тому, что при внешних потенциалах, создающих поле того же направления, что и собственное запорное поле (разность потенциалов, соответствующая обратному напряжению в обычных диодах), прибор хорошо проводит электрический ток за счет

При этом внутри кристалла на границе раздела возникает собственное электрическое поле Есоб1.гв, направление которого показано на 2.1. Напряженность этого поля максимальна на границе раздела, где происходит скачкообразное изменение знака объемного заряда. На некотором удалении от границы раздела объемный заряд отсутствует и полупроводник является нейтральным.

При рассмотрении геометрической электронной оптики предполагается, что электрические и магнитные поля, определяющие характер движения заряженных частиц, являются чисто внешними, т .е. создаются внешними электродами с заданными потенциалами, а также катушками, обтекаемыми токами, или магнитами. В то же время электрон, являясь заряженной частицей, создает собственное электрическое поле, а движущийся заряд —и собственное магнитное поле. Поэтому, строго говоря, электрические и магнитные поля, действующие на электронные потоки, следует рассматривать как суперпозицию полей, создаваемых внешними электродами и магнитами, и полей, создаваемых самим электронным потоком.