Собственная концентрация

Кроме того, указываются такие технические данные, как: номинальная емкость, удельная энергия, габаритные размеры, масса, tg8, собственная индуктивность и др.

Рабочее напряжение разрядника 5 кВ при давлении воздуха в нем 0,5 • 106 Па, коммутируемый ток до 160 кА, собственная индуктивность 15 нг. Устройство разрядника с твердым ди-

не сказываются паразитная емкость и собственная индуктивность термисторов. Это свойство используют при измерении действующих токов высокой частоты.

Схема замещения туннельного диода может быть представлена цепью с сосредоточенными параметрами, как показано на 5.27. На этой схеме: С — емкость р — га-перехода; г — омическое сопротивление потерь; LK — собственная индуктивность корпуса; Ск — емкость корпуса; г„Иф — дифференциальное сопротивление р — га-перехода. Из этой схемы можно получить формулу для оценки критической частоты /„р, определяющей частотные возможности туннельного диода, /кр = 1/4 пгС. Таким образом, динамические свойства туннельного диода можно оценить количественно с помощью постоянной времени т = СУ, с уменьшением которой увеличивается быстродействие диода. Основной путь улучшения динамических характеристик — снижение емкости р — га-перехода при неизменном значении максимального тока.

Собственная индуктивность. Эта индуктивность характеризует связь тока с магнитным полем, которое создано этим же током.

Интегрирование в (17.67) распространяется на весь объем существования магнитного поля независимо от источников поля. Потокосцепление контура определяется произведением потока Ф„ на число витков контура. Связь между потокосцеплением и током контура устанавливается через индуктивность контура. Собственная индуктивность уединенного одновиткового контура

4. Собственная индуктивность и емкость резистора определяется конструкцией его токопроводящего элемента и выводов. Упрощенная схема резистора с учетом собственной индуктивности и емкости изображена на 5.1.

6. Собственная индуктивность конденсатора. Каждый конденсатор имеет индуктивность, которая определяется конструкцией его выводов и обкладок. Наибольшей индуктивностью обладают конденсаторы с длинными изогнутыми выводами и длинными обкладками, свернутыми в спираль. Наименьшая индуктивность будет у конденсаторов с короткими прямолинейными выводами и обкладками.

где первое слагаемое — собственная индуктивность петли, второе — поправка на включение ее между отрезками микрополос-ковой линии (г и b — в миллиметрах).

называют коэффициентами взаимной индукции или взаимными индуктивностями. Свойство взаимности (7-7), обычно известное из курса физики, вытекает со всей строгостью из выражения энергии индуктивно связанных контуров [см. (7-28), (7-29)]. Взаимная индуктивность М, как и собственная индуктивность, измеряется в ген-РИ(Г).

Собственная индуктивность любой петли из двух проводов вдвое больше взаимной индуктивности любой пары двухпроводных петель, из которых можно себе представить состоящей даиную симметричную трехпроводную линию.

где фт = Г/ 11 600 — температурный потенциал электрона; Na и Na — концентрация акцепторной и донорной примесей соответственно; щ — собственная концентрация. При Г=20° С температурный потенциал равен:

где и(- — собственная концентрация носителей заряда, присущая идеальному кристаллу.

Из (1.17) видно, что собственная концентрация зависит от ширины запрещенной зоны $g полупроводника и температуры. Влияние температуры на величину nl тем сильнее, чем больше ?g. Экспериментальная зависимость HI (1/T) для кремния показана на 1.10.

Для собственного полупроводника п0 = р0 — ги, где «г — собственная концентрация носителей заряда. При этом

Собственная концентрация но-

Из (3.15) видно, что собственная концентрация зависит от ширины запрещенной зоны Wg полупроводника и температуры. Влияние температуры на величину щ тем сильнее, чем больше Wg. Экспериментальная зависимость n, (1/T) для кремния показана на 3.8.

С повышением температуры собственная концентрация П) возрастает, достигает примесную концентрацию n^,-Na и превышает ее, что соответствует переходу к собственной электропроводности, который наступает при некоторой температуре Т,, называемой температурой ионизации. Графически Т, можно найти, построив касательную к кривой зависимости Wf(T) и найдя точку ее пересечения с уровнем Wj ( 3.10).

Собственная концентрация п,-=2,5-1019 м~3. Следовательно, концентрация дырок

6.43. Покажите, что полупроводник имеет минимальную удельную проводимость при данной температуре, когда концентрация электронов n=ni\/r м-р/Цп, гд<; Пг — собственная концентрация, а цр и ц,п — соответственно подвижности дырок и электронов. Чему равна концентрация дырок р в этих условиях?

где собственная концентрация щ изменяется с температу-

Решение. Собственная удельная проводимость материала Oi=«;e(^n+o,p), где Пг — собственная концентрация носителей, а д, — подвижность. Если подвижности остаются постоянными, то HI — только один параметр, меняющийся с температурой Т по закону