Снижается стоимость

Таким образом, регулирование скорости ведется от номинальной в сторону уменьшения. При большом числе ступеней регулировочного реостата обеспечивается практически плавное м регулирование в широком диапазоне. Мощность, потребляемая двигателем от сети, остается постоянной, независимо от скорости. Полезная же мощность на валу вследствие уменьшения скорости (Mc=.const) снижается. Следовательно, к.п.д.

Таким образом при уменьшении магнитного потока частота вращения холостого хода возрастает, а момент при коротком замыкании снижается. Следовательно, механические характеристики, построенные при различных значениях магнитного потока, пересекаются при частоте вращения, меньшей частоты вращения при холостом ходе, но большей нуля, при моменте AfKp ( 7.13, б). Рас-

Базовый ток, протекающий через диоды KD3, VD4, вызывает на них падение напряжения около 1,2 В. Вместе с напряжением на базе открытого транзистора это составит U= 1,2 + 0,6 ==1,8 В. Если входное напряжение не превышает 1,2 В, соответствующий входной диод открывается, а напряжение С/3 снижается. Следовательно, диоды FZ>3, VD4, а вместе с ними и транзистор VT закрываются.

Таким образом, с уменьшением магнитного потока частота вращения при холостом ходе возрастает, а момент при коротком замыкании снижается. Следовательно, механические характеристики, построенные при различных величинах магнитного потока, пересекаются при некотором значении момента МКР и частоте вращения, меньшей частоты вращения при холостом ходе, но больше нуля ( 11.55, б). Из рассмотрения механических характеристик видно, что при значениях нагрузочного момента, меньших МКР, уменьшение потока ведет к увеличению частоты вращения (см. точки Сх и С2 при нагрузочном моменте Мщ). При значениях нагрузочного момента, больших МКР, уменьшение потока приводит к уменьшению частоты вращения (см. точки С/ и С" а при нагрузочном моменте Мн2).

Сетки ускорения в направлении к ее виткам. Описав криволинейные траектории, они возвращаются на сетку. Нисло этих электронов по сравнению с предыдущим случаем уменьшается. Снижается, следовательно, на величину, равную анодному току, и ток сетки. Катодный ток теперь равен сумме токов: 1К — 1С + /а.

Таким образом, ток инжекции через эмиттерный переход обусловлен не полной проводимостью УИб, а лишь ее частью: двумя первыми слагаемыми. Часть тока, текущего через эмиттерный переход, обусловлена реактивной проводимостью 1ыСэ бар- Вследствие этого отношение тока инжекции к полному току в эмиттер-ном переходе уменьшается; снижается, следовательно, и коэффициент инжекции у, а с ним в соответствии с (12-17) и коэффициент передачи тока а. Отставание тока инжекции от тока, питающего транзистор, характеризуют некоторым временем:

Сетки ускорения в направлении к ее виткам. Описав криволинейные траектории, они возвращаются на сетку. Нисло этих электронов по сравнению с предыдущим случаем уменьшается. Снижается, следовательно, на величину, равную анодному току, и ток сетки. Катодный ток теперь равен сумме токов: 1К — 1С + /а.

Таким образом, ток инжекции через эмиттерный переход обусловлен не полной проводимостью УИб, а лишь ее частью: двумя первыми слагаемыми. Часть тока, текущего через эмиттерный переход, обусловлена реактивной проводимостью 1ыСэ бар- Вследствие этого отношение тока инжекции к полному току в эмиттер-ном переходе уменьшается; снижается, следовательно, и коэффициент инжекции у, а с ним в соответствии с (12-17) и коэффициент передачи тока а. Отставание тока инжекции от тока, питающего транзистор, характеризуют некоторым временем:

Базовый ток, протекающий через диоды VD3, VDA, вызывает на них падение напряжения около 1,2 В. Вместе с напряжением на базе открытого транзистора это составит U = 1,2 + 0,6 = 1,8 В. Если входное напряжение не превышает 1,2 В, соответствующий входной диод открывается, а напряжение U3 снижается. Следовательно, диоды VD3, VD4, а вместе с ними и транзистор VT закрываются.

Подвижность электронов, как представлено в табл. 6.2.1, может быть увеличена путем обработки в гидрогенизирующей плазме. Из таблицы также следует, что такая обработка увеличивает концентрацию носителей в материале и-типа и уменьшает концентрацию носителей и подвижность в образцах р-типа. Эти результаты можно объяснить следующим образом. Гидрогенизация не только снижает количество оборванных связей, но и изменяет потенциальные барьеры на границах зерен. Так, в случае материала и-типа высота потенциального барьера снижается, следовательно, концентрация и подвижность электронов увеличиваются. Для материала р-типа высота потенциального барьера в результате гидрогенизации, по-видимому, возрастает, следовательно, концентрация и подвижность дырок уменьшаются. Зависимость электропроводности от температуры подтверждает это предположение. Так, холловс-кие измерения показывают, что изменение проводимости при температурах выше 20 °С обусловлено изменением подвижности, а при температурах ниже 20 °С - изменением концентрации носителей. Другими словами, изменение проводимости при высоких температурах является результатом "прыжка" носителей через потенциальные барьеры, а при низких температурах — высвобождения носителей из ионизованных центров. Оценка по наклону кривых показала, что при тем-

Подвижность электронов, как представлено в табл. 6.2.1, может быть увеличена путем обработки в гидрогенизирующей плазме. Из таблицы также следует, что такая обработка увеличивает концентрацию носителей в материале и-типа и уменьшает концентрацию носителей и подвижность в образцах р-типа. Эти результаты можно объяснить следующим образом. Гидрогенизация не только снижает количество оборванных связей, но и изменяет потенциальные барьеры на границах зерен. Так, в случае материала и-типа высота потенциального барьера снижается, следовательно, концентрация и подвижность электронов увеличиваются. Для материала р-типа высота потенциального барьера в результате гидрогенизации, по-видимому, возрастает, следовательно, концентрация и подвижность дырок уменьшаются. Зависимость электропроводности от температуры подтверждает это предположение. Так, холловс-кие измерения показывают, что изменение проводимости при температурах выше 20 °С обусловлено изменением подвижности, а при температурах ниже 20 °С - изменением концентрации носителей. Другими словами, изменение проводимости при высоких температурах является результатом "прыжка" носителей через потенциальные барьеры, а при низких температурах — высвобождения носителей из ионизованных центров. Оценка по наклону кривых показала, что при тем-

На генераторах электростанций и электростанциях между собой допускается параллельная работа. Этим повышается надежность электроснабжения, уменьшается количество резервного оборудования, снижается стоимость электроэнергии, обеспечивается более равномерная загрузка оборудования.

Таким образом, при разработке аппаратуры на основе ИС, изготовленных по планарнои технологии, отпадает необходимость в многочисленных паяных соединениях, резко сокращаются габаритные размеры, масса, повышается надежность и снижается стоимость.

Средства электропитания, как и спецаппаратура, непрерывно совершенствуются: снижается стоимость, уменьшаются размеры, масса, повышается надежность, улучшаются энергетические и качественные показатели. Особенно много делается для миниатюризации ИВЭП. Работы Ю. И. Конева и К. П. Полянина позволили получить ИВЭП с удельными показателями в десятки раз выше, чем у прежних источников.

По мере развития техники в системах автоматики все большее значение приобретают устройства хранения и преобразования дискретной информации. Для хранения дискретной информации основным средством остаются и по имеющимся прогнозам будут оставаться в ближайшее десятилетие МОЗУ — магнитные оперативные запоминающие устройства, в которых для хранения информации используются матрицы тороидальных магнитных сердечников с прямоугольной петлей гистерезиса. В устройствах преобразования информации все большее применение получают полупроводниковые элементы, и особенно интегральные микросхемы. Однако наряду с развитием полупроводниковой микроэлектроники происходят существенные сдвиги и в технике устройств преобразования информации, выполненных на магнитных элементах. Прежде всего это связано с прогрессом в области создания ферромагнитных материалов, развитием и совершенствованием технологии производства ферритовых и микронных ленточных сердечников. Характеристики и параметры выпускаемых в настоящее время магнитных сердечников, а также существующая технология производства элементов позволяют уменьшать число витков во входных обмотках магнитных сердечников до одного и оставлять в элементах после заливки компаундом отверстия для нанесения входных обмоток в процессе сборки узла методом прошивок. Это создает предпосылки для уменьшения числа паек, унификации проектируемых устройств и узлов (основное разнообразие переносится в схемы прошивок), автоматизации процессов сборки. Соответственно снижается стоимость и повышается надежность устройств. Известны особенности магнитных элементов, которые в ряде случаев применения позволяют отдать им предпочтение: способность хранить информацию при отключенных источниках питания, высокая радиационная стойкость, высокая помехозащищенность. Для переключения магнитного сердечника требуется энергия, в 100—1000 раз большая, чем энергия переключения элемента в полупроводниковой микросхеме. Это позволяет, с одной стороны, упростить проектирование соединений внутри узлов, накладывая менее жесткие ограничения на длину и характер прокладки соединительных проводников, с другой стороны, позволяет применять устройства в условиях сравнительно высокого уровня внешних помех (цех, станок,

Широко применяются также комбинированные лампы, использование которых дает возможность уменьшать габариты электронных устройств. При этом упрощается монтаж и снижается стоимость всего устройства. Комбинированная лампа состоит из нескольких ламп, размещенных в одном баллоне, причем каждая лампа выполняет самостоятельные функции. На 14.26 приведены условные обозначения некоторых комбинированных ламп.

возрастании стоимости заготовки, подвергаемой последующей обработке резанием, снижается стоимость выполнения станочных операций, что снижает стоимость изготовления детали в целом. Но при малой программе выпуска большие расходы на оснастку в заготовительных цехах могут оказаться неоправданными.

Площадь распределительного устройства такого типа меньше площади типового, сокращается расход сборного железобетона и металлоконструкций, снижается стоимость строительно-монтажных работ.

По второму способу — интегральному — снижается стоимость изготовления оптопары, но получаются худшие параметры.

Однако для систем ФАР принципиально необходимо большое число элементов со строго тождественными характеристиками, не требующих индивидуальной настройки и обладающих высокой эксплуатационной надежностью. Действительно, использование для этих целей микроминиатюрных СВЧ схем ограничено из-за необходимости отбора и настройки каждой схемы. Поэтому переход к интегральным схемам ОВЧ диапазона и ях широкое 'Использование явились практической необходимостью. Использование интегральной технологии, применяемой в микроэлектронике, для построения элементов ФАР позволяет решить множество проблем,, казавшихся ранее неразрешимыми: отпадает необходимость в индивидуальном отборе и настройке элементов, снижается стоимость элементов ФАР, уменьшается мощность, повышается надежность системы в целом.

б) Снижается стоимость заземляющих устройств, что очень важно по экономическим соображениям из-за большого числа установок 3—35 кВ.

д) В сетях с большими токами замыкания на землю стоимость изоляции при напряжениях 110 кВ и выше значительно снижается при глухом заземлении нейтрали, а увеличение стоимости заземляющих устройств мало сказывается из-за небольшого числа установок по сравнению с числом установок 3—35 кВ. Этот же фактор (небольшое число установок) делает не очень существенным повышение числа трансформаторов тока и защитных реле.