Следующими величинами

Постоянные составляющие тока и напряжения на указанном резисторе, очевидно, определяются следующими выражениями:

2.3(О). Периодический комплексный сигнал s(t) с п&~ риодом Т представлен следующими выражениями;

При расчете измерительного устройства важным вопросом является выбор сравнивающего устройства. Чем большая мощность может быть передана сравнивающему устройству, тем более грубое и удобное в эксплуатации сравнивающее устройство может быть использовано. Поэтому важной характеристикой является чувствительность цепи по мощности, которая определяется следующими выражениями:

Первые два начальных момента распределения и дисперсия времени перехода из состояния Xh в состояние Xi определяются [9] следующими выражениями:

где k — положительное число; ц — параметр процесса, обратный средней длине сообщения (fj,= l/I). Среднеквадратическое отклонение и квадратичный коэффициент вариации определяются следующими выражениями:

Модель МДП-транзистора. На 1.5 показана модель МДП-транзистора. Вольт-амперная характеристика задается двумя выражениями, соответствующими крутой и пологой ее областям. Эти области разделяются точкой насыщения, определяемой следующими выражениями:

Входящие в (6.30) производные определяются следующими выражениями:

2. Уравнения математической модели приведенного на 6.9 фильтра опи-i сываются следующими выражениями (при использовании масштабных коэффи--циентов М,= 10-3, М,= 103):

Перейдем к способам определения N. В рассмотренном выше примере р подчиняется биномиальному распределению и числовые характеристики определяются следующими выражениями: математическое ожидание равно р, дисперсия

Для цифрового сигнала спектральная функция последовательности х(пТ) обозначается ^(е^ш7"), а преобразования Фурье определяются следующими выражениями:

11.193. Операторные функции (напряжений, токов) при переходном процессе определены следующими выражениями:

Важное практическое значение для оценки асинхронных двигателей имеют их пусковые свойства. Эти свойства в основном определяются следующими величинами: пусковым током /Пуск и начальным пусковым вращающим моментом М пуск, плавностью и экономичностью пускового процесса, длительностью пуска. В каталогах обычно указывается кратность пускового значения величины к ее номиналь-

Выпрямительные сварочные установки собирают из полупроводниковых элементов, обладающих свойством проводить ток только в одном направлении. В обратном направлении полупроводники практически не пропускают электрический ток. Основные свойства полупроводникового элемента характеризуются следующими величинами: 1) допустимой плотностью вы-

Важное практическое значение для оценки асинхронных двигателей имеют их пусковые свойства. Эти свойства в основном определяются следующими величинами: пусковым током /,,уск и начальным пусковым вращающим моментом М плавностью и экономич-

Важное практическое значение для оценки асинхронных двигателей имеют их пусковые свойства. Эти свойства в основном определяются следующими величинами? пусковым током /цуск и начальным пусковым вращающим моментом Л/в п плавностью и экономич-

Источниками постоянного тока могут быть генераторы, аккумуляторы, гальванические.элементы, термопары, фотоэлементы и др. В них электрическая энергия получается путем преобразования других видов энергии: механической, химической, тепловой, лучистой. Характеризуют источники чаще всего следующими величинами: электродвижущей силой (э. д. с.) Е, которая равна напряжению на разомкнутых зажимах источника; номинальным током /н, номинальным напряжением UH, номинальной мощностью Рн.

При этом потоке магнитное состояние системы в исходном положении {до перемещения) характеризуется следующими величинами: индукцией в полукольцах и зазорах В -- Ф/S = 2,6 Тл; напряжениостями магнитного поля в полукольцах Н1 — (tg (тд] В))/гпц\ — 9397 А/м и в зазорах //2 =

В рассматриваемом примере тиристорные вентили состоят из двух параллельных цепей по 400 последовательно соединенных тиристоров. Каждый из этих тиристоров характеризуется следующими величинами: U'0 = \ В; RT--

Точность работы вращающегося трансформатора характеризуется следующими величинами:

Проникающее ИИ вызывает обратимые и необратимые изменения электрических параметров приборов, материалов и аппаратуры, что связано с нарушениями в структуре материалов, изменениями химического состава (активацией), сильной ионизацией атомов в изделиях и окружающей среде. Как правило, эффекты, вызываемые источниками импульсной радиации, приводят к обратимым изменениям электрических параметров изделий. Отметим некоторые характеристики наиболее мощных источников ИИ. На расстоянии 1 км от центра ядерного взрыва интегральный поток нейтронов Ф« (3-4-5) • 101в нейтр/см2 [25]. Излучение в активной зоне мощного реактора (1000 МВт) характеризуется следующими величинами: плотность потока нейтронов N~ 1014Ч-1015 нейтр/(см2-с), мощность дозы у-излуче-ния Pv~103 А/кг. При мощности реактора 100 KBTPV~ ~10-' А/кг, Л/~1010 нейтр/(см2-с). Частицы галактических лучей обладают очень высокой энергией (108—1020эВ), но плотность потока их очень мала. На спутнике за год доза облучения ?>« Ю^ч-Ю"1 Дж/кг (1—10 рад).

Протоны внутреннего пояса дают экспозиционную дозу на поверхности аппарата 10'°, а за слоем защиты 105 рад/год. Излучение искусственных радиационных поясов Земли характеризуется следующими величинами: Z)~105 Гр (107 рад/год), P~\Q-l-±-lQ~3 А/кг. Максимально возможная годовая доза, обусловленная потоками электронов из искусственных радиационных поясов, может на поверхности аппарата составлять 106—107 Дж/кг (108—109 рад), а с учетом корпуса аппарата—103—104 Дж/кг (105— 108 рад). Таким образом, радиационная обстановка на борту околоземных космических объектов определяется в основном протонами внутреннего радиационного пояса и электронами искусственных радиационных поясов Земли. Рассмотрим основные эффекты, обусловливающие влияние радиации на электрофизические свойства полупроводниковых материалов. Под действием ИИ в кристаллической решетке полупроводников возникают различного рода дефекты, которые приводят к образованию энергетических уровней в запрещенной зоне. Ионизирующее излучение вызывает изменение таких электрофизических характеристик материала, как подвижность ц, время жизни носителей заряда т, концентрация электронов, диффузионная длина, что отражается на характеристиках приборов. Образование «глубоких» энергетических уровней в запрещенной зоне вызывает увеличение скорости объемной рекомбинации (§ 1.6), т.е. уменьшение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике.

Пример 64-8. Режим работы машины постоянного тока с параллельным возбуждением характеризуется следующими величинами: Е = 205 В; /я = 72 А; /в = 1,8 A; Ry =- 0,208 Ом; сумма потерь (без потерь в параллельной обмотке возбуждения и в цепи якоря) Рт + Рм + Рд = 730 Вт. Определить напряжение и КПД для режима двигателя и генератора.