Следовательно увеличивается

Блок внутренних регистров образует внутреннюю память МП и содержит регистры общего назначения (РОН) и специальные регистры. Общее количество регистров в МП колеблется в больших пределах. Основное их назначение—сокращение числа обращений к внешней памяти, что позволяет значительно уменьшить время выполнения одной команды, а следовательно, увеличить производительность микропроцессора.

Каркас реостатного преобразователя обычно выполняется из текстолита или пластмассы; применяются также каркасы из алюминия, покрытого или изоляционным лаком, или оксидной пленкой толщиной до 10 мкм, обладающей достаточно хорошими изоляционными свойствами. Алюминиевый каркас, сохраняя стабильность геометр иеских размеров, позволяет также за счет лучшей теплопроводности повысить плотность тока в обмотке и, следовательно, увеличить чувствительность преобразователя. Формы каркасов

При считывании с помощью «бегущего луча» считывающий элемент (световое пятно) можно довести до очень малых размеров (порядка 0,2—0,3 мм). Поэтому возникает возможность считывать знаки малых размеров и, следовательно, увеличить относительный объем информации, считываемой с одного документа. После считывания данные должны быть преобразованы в вид, удобный для ввода в вычислительную машину. Например, каждый знак, который после считывания записывается в виде матрицы из нулей и единиц (что соответствует белому и черному цвету в пределах поля знака), необходимо преобразовать в соответствующий код.

При считывании с помощь») «бегущего луча» считывающий элемент (световое пятно) можно довести до очень малых размеров (порядка 0,2—0,3 мм). Поэтому возникает возможность считывать знаки малых размеров и, следовательно, увеличить относительный объем информации, считываемой с одного документа. После считывания данные должны быть преобразованы в вид, удобный для ввода в вычислительную машину. Например, каждый знак, который после считывания записывается в виде матрицы из нулей и единиц (ч_то соответствует белому и черному цвету в пределах поля знака), необходимо преобразовать в соответствующий код.

а следовательно, увеличить обратный ток диода). На 16.18, а 1 — выводы.

С этой точки зрения одним из перспективных видов изоляции является бумажно-масляная. Главные изоляционные расстояния при ее применении возможно сократить почти вдвое, что в итоге позволяет уменьшить массу и габариты активной части и трансформатора в целом, а следовательно, увеличить предельную мощность трансформаторов. Однако процесс изготовления обмоток с бумажно-масляной изоляцией значительно сложнее, чем в трансформаторах с мае-лобарьерной изоляцией.

Существуют и другие применения сверхпроводимости, с которыми читатель может познакомиться в специальной литературе. Однако область применения низких температур в радиоэлектронике не исчерпывается'только-использованием явления сверхпроводимости. Более или менее глубокого-охлаждения требуют парамагнитные усилители, некоторые типы твердотельных и полупроводниковых лазеров (см. § 12.5), полупроводниковые фотоприемники для ИК области спектра (см. § 12.2) и ряд других приборов, которые-будут рассмотрены в последующих главах. Снижение рабочей температуры обычных элементов радиоустройств позволяет, как правило, резко снизить, шумы в них и, следовательно, увеличить обнаружительную способность приемных устройств.

возможным увеличить выработку тепла в ОКГ Q0 и экономию топлива 6ОКГ за счет глубокой утилизации физического тепла конвертерных газов, а следовательно, увеличить суммарную экономию 6Сум замещаемого топлива на промышленной ТЭЦ металлургического комбината за счет использования физического тепла и химической энергии конвертерного газа. Эти зависимости приведены на 2-4. Однако снижение температуры конвертерных газов за ОКГ в два раза ведет к увеличению экономии топлива лишь на 20—22%. Внедрение новых конструкций охладителей, обеспечивающих глубокую утилизацию физического тепла конвертерных газов, связано с увеличением затрат на изготовление поверхностей нагрева и значительным усложнением комплексной системы охлаждения и очистки газов. Зависимость суммарной экономии затрат, получаемой за счет использования физической и химической энергии конвертерных газов, от температурного напора газов в ОКГ иллюстрируется на 2-5. Кривая экономии затрат имеет ярко выраженный оптимум при температуре газов за ОКГ 800—850°С, т. е. при нижних значениях температур, принятых в настоящее время для охлаждения газов в схемах без дожига. Поэтому очевидно, что если снижение температуры газов за ОКГ ниже 800РС связано с увеличением удельных затрат в систему охлаждения в среднем на 12—15%, то такое направление утилизации физического тепла конвертерных газов является неэффективным.

Корпус точечных диодов герметичный. Он представляет собой керамический или стеклянный баллон 2, покрытый черной светонепроницаемой краской (во избежание проникновения света, так как кванты света могут вызвать генерацию носителей заряда вблизи р-п-перехода, а следовательно, увеличить обратный ток диода). На 1.18,а выводы обозначены 1.

учесть, что в существующих легководных энергетических реакторах глубине выгорания, равной 103 МВт-сут/т, соответствует обогащение ~0,1 % 235U (с учетом вклада в деление некоторой части образующегося плутония), то при наличии в активной зоне 236U для компенсации его отрицательного влияния на реактивность и для получения заданных характеристик реактора нужно повысить среднее начальное обогащение, т. е. затратить больше исходного сырья, больше разделительной работы и, следовательно, увеличить стоимость ЯТЦ. Таков «штраф» за лишнее содержание в активной зоне 236U помимо потерь в балансе 235U.

учесть, что в существующих легководных энергетических реакторах глубине выгорания, равной 103 МВт-сут/т, соответствует обогащение ~0,1 % 235U (с учетом вклада в деление некоторой части образующегося плутония), то при наличии в активной зоне 236U для компенсации его отрицательного влияния на реактивность и для получения заданных характеристик реактора нужно повысить среднее начальное обогащение, т. е. затратить больше исходного сырья, больше разделительной работы и, следовательно, увеличить стоимость ЯТЦ. Таков «штраф» за лишнее содержание в активной зоне 236U помимо потерь в балансе 235U.

контактом включает свою катушку на самопитание. Начинается асинхронный пуск синхронного двигателя СД; напряжение возбудителя В по мере разгона двигателя увеличивается, и, следовательно, нарастает его ток возбуждения; при достижении подсинхронной частоты вращения ротор двигателя под действием входного момента втягивается в синхронизм. Ток возбуждения двигателя регулируется реостатом ШР, установленным на пульте.

Для повышения устойчивости двигателя насоса при снижениях напряжения предусмотрено форсирование возбуждения двигателя. Контроль за напряжением осуществляется с помощью реле РФ, которое при снижении напряжения на 15% и более отпускает якорь и закрывает свой контакт в цепи катушки контактора форсирования К.Ф. Последний своим замыкающим контактом закорачивает часть реостата ШР; напряжение возбудителя поднимается, возрастает ток в обмотке возбуждения 0В СД двигателя, а следовательно, увеличивается и его максимальный момент.

возбудителя поднимается, возрастает ток в обмотке возбуждения ОВСД двигателя, а следовательно, увеличивается и его максимальный момент.

Дисперсия а2д растет с увеличением средней длины сообщения, равной 1/<7с. Дисперсия определяет разброс значений длины относительно среднего значения; это, в свою очередь, соответствует тому, что растет вероятность поступления большего числа единиц данных в память и, следовательно, увеличивается среднее значение задержки.

Приборы, в которых под действием света меняется электропроводность, называют фоторезисторами. В качестве материала для фоторезисторов применяют селен, сернистый таллий, сернистый свинец, сернистый висмут, сернистый кадмий и другие полупроводники. При освещении полупроводника увеличивается число электронов, переходящих в зону проводимости и, следовательно, увеличивается его электропроводность.

генерацией) носителей. С ростом температуры концентрация электронно-дырочных пар в полупроводнике увеличивается и, следовательно, увеличивается его электропроводность. Свободные электронно-дырочные пары могут образовываться также под действием других источников энергии, способных разрушить ковалентную связь, например при облучении.

При подаче на р-/7-переход обратного напряжения t/o6p слой пространственного заряда находится в неравновесных условиях, так как он дополнительно обедняется носителями заряда. При Uo6f> менее — (0,2— 0,3) В концентрация свободных носителей в слое пространственного заряда практически равна нулю. В этих условиях в слое пространственного заряда происходит термическая генерация электронно-дырочных пар, не уравновешенная противоположным процессом - рекомбинацией. При появлении электронно-дырочной пары электрическое поле слоя пространственного заряда выталкивает электрон в электрически нейтральную л-область, а дырку — в электрически нейтральную р-область, создавая обратный ток р-л-перехода, называемый током термогенерации. Ток термогенерации пропорционален объему слоя пространственного заряда, т.е. произведению площади р-/7-перехода на толщину этого слоя. С ростом t,'o6p толщина слоя пространственного заряда увеличивается и, следовательно, увеличивается ток термогенерации (приблизительно пропорционально VIC/06pl' .

Напротив, вязкость газов при повышении температуры возрастает, поскольку причиной возникновения касательного к слоям напряжения служит в этом случае диффузия молекул, которая сопровождается переносом количества движения из одного слоя в другой. С повышением температуры скорость движения молекул возрастает и, следовательно, увеличивается переносимое количество движения.

Для перевода ключа в выключенное состояние ко входу транзистора следует приложить запирающее напряжение, превышающее сумму напряжения отсечки и входного напряжения сигнала ?/вх. При подаче запирающего напряжения уменьшается наклон выходных характеристик ПТ в омической области и, следовательно, увеличивается выходное сопротивление. В выключенном состоянии выходная цепь представляет очень большое сопротивление /?,-закр, обычно превышающее 107 Ом, шунтированное емкостями Сс и и См.

В режиме насыщения или в инверсном режиме электрический переход п-п+ на границе скрытого слоя отражает дырки, инжектируемые из базы в коллектор. Поэтому при прямом смещении коллекторного перехода в структуре со скрытым слоем дырочная составляющая тока этого перехода ниже, чем в структуре без скрытого слоя, следовательно, увеличивается инверсный коэффициент передачи.

место падение напряжения в проводах, соединяющих сопротивления Rt и R-2. 85. Неверно. Изменение напряженности электрического поля приводит к изменению скорости движения электронов и, следовательно, к изменению тока. При этом сопротивление проводника не меняется. 86. Неверно. 87. Неверно. Прочтите консультацию № 81. 88. Неверно. При увеличении числа ветвей проводимость цепи растет и, следовательно, увеличивается ток /, что вызывает рост напряжения Uv, = IRm. При этом (/ = ?—t/BT уменьшается. 89. Правильно, так как запас энергии в конденсаторе ограничен. 90. Правильно. Разъяснение дано и консультации № 28. 91. Неверно. Оба источника находятся в одной ветви, и их можно заменить одним источником с ЭДС, равной Е, + />>. При этом сопротивления Ri—Rr, образуют смешанное соединение. 92. Неверно. График выражает линейную зависимость типа y — kx, или в принятых координатах с учетом закона Ома U==RI. Следовательно, /?==const. 93. Неверно. Если сопротивление Rt уменьшится, то уменьшается и R1K этого разветвления. Следовательно, увеличивается ток в цепи и напряжение и„~Ш„. Это приводит к уменьшению напряжения и токов /1 и /2 на разветвлении. 94. Неправильно. Проанализируйте распределение напряжения в зависимости от сопротивления.