Следовательно транзистор

Векторная диаграмма напряжений для трансформатора с соединением Y/Y <РИ<5. 2.4, а и б) строится следующим образом.' Для ориентировки векторов вторичных напряжений относительно первичных какие-либо выводы обмоток трансформатора (например выводы А и а) соединяются проводом. В ревультате их потенциалы выравниваются^ поэтому точки 4 и а на векторной диаграмме трансформатора (2.4,6) совпадают. Поскольку направления фазных э.д.с. первичных обмоток трансформатора одинаковы ( 2, 4,а), то на векторной диаграмме 2. 4,6 векторы ха,ув, и ге. совпадают соответственно с векторами ХА, УВ и 1C . Далее по векторам фазных э.д.с. строятся векторы линейных э.д.с. вторичных обмоток. Чтобн по векторной диаграмме определить группу соединения трансформатора, берут угол сдвига между какими-лшо одноименными линейными напряжениями первичной и вторичной обмотоя по часовой стрелке и делят его на 30 градусов. Так, на 2.4,6 угол сдвига между векторами >\В и ав составляет 360 градусов. Следовательно, трансформатор, изображенный на 2. 4, а, инее т группу соединения У/у - QJ/

Как и трансформаторы тока трансформаторы напряжения имеют погрешность, которая зависит от нагрузки на вторичной обмотке трансформатора напряжения: при повышении нагрузки погрешности возрастают, и наоборот. Следовательно, трансформатор напряжения, как и трансформатор тока, в зависимости от нагрузки может работать в различных классах точности: 0,5; 1; 3. Наивысший класс точности считается номинальным классом точности данного трансформатора напряжения.

Угловая погрешность представляет собой угол между векторами напряжения первичной и вторичной обмоток и учитывается для классов 0,2; 0,5. Погрешности зависят от значения нагрузки на вторичной обмотке трансформатора напряжения: при повышении нагрузки погрешности возрастают, и наоборот. Следовательно, трансформатор напряжения, как и трансформатор тока, в зависимости от нагрузки может работать в различных классах точности, а именно: 0,5; 1; ,'->. Наивысший класс точности считается номинальным классом точности данного трансформатора напряжения.

обмотка трансформатора тока включается последовательно с приемником энергии, и ток в пей равен току нагрузки. Вторичная обмотка трансформатора замкнута на амперметр, имеющий очень малое сопротивление. Следовательно, трансформатор тока практически работает в режиме короткого замыкания, и с большой степенью точности отношение вторичного тока к первичному равно коэффициенту трансфор-

Эти же уравнения по второму закону Кирхгофа являются уравнениями для двух элементарных контуров Т-образной цепи 11.9 при принятых на ней направлениях токов; следовательно, трансформатор, т. е. цепь с индуктивной связью, может быть заменен эквивалентной схемой с кондуктивной связью контуров.

Измерительный трансформатор тока, схема включения которого изображена на 11-24, работает в других условиях. Первичная обмотка трансформатора тока включается последовательно с приемником энергии, и ток в ней равен току нагрузки. Вторичная обмотка трансформатора замкнута на амперметр, имеющий очень малое сопротивление. Следовательно, трансформатор тока практически работает в режиме короткого замыкания, и с большой степенью точности отношение вторичного тока к первичному равно коэффициенту трансформации. Это условие выполняется тем точнее, чем меньше требуемая намагничивающая МДС трансформатора, т. е. чем меньше магнитная индукция в магнитопроводе. Для получения малой погрешности измерения трансформаторы тока рассчитываются так, чтобы их магнитопроводы были не насыщены.

В отличие от всех рассмотренных ранее трансформаторов первичный ток в этом случае, равный току нагрузки, не зависит от сопротивления вторичной цепи. Поэтому при увеличении сопротивления цепи вторичной обмотки увеличиваются напряжение обмотки и магнитный поток магнитопровода, режим работы трансформатора отдаляется от режима короткого замыкания и точность его работы уменьшается. Следовательно, общее сопротивление измерительных приборов, включаемых последовательно во вторичную цепь трансформатора тока, не должно превышать определенных допустимых значений, указанных в паспорте трансформатора. Номинальный ток амперметров, применяемых для включения с трансформаторами тока, обычно имеет стандартное значение 5 А.

Сопротивления катушек приборов, подключаемых к вторичной обмотке трансформатора напряжения, очень большие. Следовательно, трансформатор работает в режиме, равносильном режиму холостого хода (ток во вторичной цепи при включенных приборах весьма мал). Поэтому падения напряжения в обмотках трансформатора незначительны по сравнению с номинальными значениями напряжений [/,„ и (./2„, указываемыми в паспорте трансформатора. Следовательно, для трансформаторов напряжения можно считать t/j « El и U2 к Е2. Коэффи-

Следовательно, трансформатор тока при разомкнутой вторичной цепи представляет опасность для обслуживающего персонала, а увеличение магнитных потерь в стали и :з. д. с. ?2, вместе взятые, могут привести к пробою изоляции и, как следствие, к короткому замыканию на землю со стороны высокого напряжения.

обозначения зажимов. Обмотку ВН мы будем считать первичной обмоткой, а обмотку НИ — вторичной. Системы линейных и фазных первичных и вторичных напряжений предполагаются симметричными. Так как вторичная обмотка как бы повторяет первичную, то звезда ах, by и cz вторичных фазных напряжений и треугольник abc вторичных линейных напряжений совпадают соответственно по фазе со звездою АХ, BY и CZ и треугольником ABC фазных и линейных первичных напряжений ( 15-12). Таким образом, угол сдвига вторичного линейного напряжения относительно первичного равен нулю и, следовательно, трансформатор принадлежит к группе Y/Y— 12 (а = 0° или а = 30°х12).

Вторичная обмотка трансформатора замкнута на амперметр, имеющий очень малое сопротивление. Следовательно, трансформатор тока практически работает в режиме короткого замыкания и с большой степенью точности отношение вторичного тока к первичному равно коэффициенту трансформации. Это условие выполняется тем точнее, чем меньше требуемая намагничивающая н. с. трансформатора, т. е. чем меньше магнитная индукция в сердечнике. Для получения малой погрешности трансформаторы тока рассчитываются так, чтобы их сердечники были ненасыщены. В отличие от всех рассмотренных ранее трансформаторов первичный ток в этом случае, равный току нагрузки, не зависит от сопротивления вторичной цепи. Поэтому при увеличении сопротивления цепи вторичной обмотки увеличивается напряжение обмотки и магнитный поток сердечника, трансформатор отдаляется от режима короткого замыкания и точность его работы уменьшается. Следовательно,- общее сопротивление измерительных приборов, включаемых последовательно во вторичную цепь трансформатора тока, не должно превышать определенных допустимых значений, указанных в паспорте, трансформатора. Номинальный ток амперметров, применяемых для включения с трансформаторами тока, обычно имеет стандартную величину 5 а.

На 8.27 приведена схема такого элемента И — НЕ. Транзистор Т3 выполняет функции эмиттерного повторителя с нагрузкой в виде транзистора Tt. При воздействии сигнала «1» на все входы транзистор Т2 насыщен, как показано ранее. Следовательно, транзистор Tt также насыщен из-за высокого потенциала на его входе (точка а), создаваемого эмиттерным током транзистора Т2 на резисторе R3. Благодаря низкому потенциалу коллектора транзистора Т2 (точка б) транзистор Т3 закрыт. При воздействии сигнала «О» хотя бы на один из входов транзистор Г2 закрывается, а транзистор Т3 открывается из-за повышения потенциала точки б и работает как эмиттерный повторитель. Диод Д служит для обеспечения режима смещения транзистора Т3, т. е. для того, чтобы этот транзистор был закрыт при насыщенном транзисторе Тг. Прямое напряжение на диоде Д составляет около 0,5 В и служит для запирания транзистора Т3. Это напряжение создается даже при очень малых (порядка микроампер) токах закрытого транзистора Т3.

Следовательно, транзистор работает в активном режиме.

Следовательно, транзистор VT2 будет в режиме отсечки, так как напряжение на его базе, рассчитанное при минимальном напряжении на VD2, положительно относительно эмиттера и больше, чем рассчитанное по (3.40).

При подаче на один из входов напряжения логического «О» (например, (/КЭН«0,1В) через один из диодов Дг, Д2 потечет ток и напряжение в точке А будет равно сумме напряжений /7КЭН и падения напряжения на диоде Дг (Д2). При этом напряжение в точке В (на базе 7\) близко к нулю. Следовательно, транзистор T! закрыт и напряжение на выходе элемента равно напряжению источника питания Е„, т.е. напряжению иг. Если к обоим входам приложено напряжение {/! (напряжение ?.„), то диоды Дг и Д2 смещаются в обратном направлении. За счет протекания тока в цепи, состоящей из /?!, Дэ, Д4 и /?3, напряжение на базе 7\ имеет достаточно высокое значение, транзистор входит в режим насыщения и напряжение на выходе элемента равно U0 (примерно ?/кэн). Таким образом, элемент выполняет логическую функцию И—НЕ. Поскольку нагрузкой данного базового элемента являются, как правило, аналогичные элементы, то описанные состояния существенно не изменяются. Поэтому логические уровни U0 и 1)г практически не зависят от числа элементов нагрузки, подсоединенных к выходу элемента. Следовательно, помехоустойчивость не изменяется. На 1.22 приведена передаточная характеристика элемента ДТЛ при ?„ = 4В.

Поскольку запоминающая среда РПЗУ электрически изолирована, заряд, инжектированный в нее, оказывается «захваченным» и информация сохраняется даже после отключения напряжения питания. Заряд, накопленный в запоминающей среде, вызывает появление инверсного канала в МДП-транзисторе. Следовательно, транзистор находится в открытом состоянии. Поскольку запись информации производится электрическим путем, час-1Ь элементов накопителя МДП-транзисторов будут открыты, что соответствует записи «1», а часть — закрыты, что соответствует записи «О».

Если оба перехода транзистора смещены в обратном направлении, то через них могут проходить обратные неуправляемые токи. При этом в коллекторной цепи проходит ток /к = /кб о, а в базовой /б = — /Кб о- Напряжение на коллекторе UK3 OTC практически равно напряжению источника питания ?к. Следовательно, транзистор в области отсечки III представляет собой разомкнутый ключ ( 2.18, s).

Следовательно, транзистор работает в режиме насыщения.

Следует обратить внимание на тот факт, что дырки поступают в канал не только из подложки, но также из слоев р-типа истока и стока. Именно слои р-типа и являются основными «поставщиками» дырок в канал. Это объясняется тем, что концентрация дырок в таких слоях практически неограничена, тогда как в подложке n-типа дырок мало. С ростом отрицательного напряжения на затворе проводимость канала увеличивается. Следовательно, транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения. Канал транзистора изолирован от объема подложки высокоомным слоем объемного заряда ионов, образующихся из закрепленных в кристалли-

Напряжение на базе транзистора VT2 ?/вэ2 — U° + t/кэнас!. что ниже его порога отпирания ?/вэпор2- Напомним, что напряжение ^вэпор на 2 ...3 фт ниже напряжения база — эмиттер в режиме насыщения [3]. Следовательно, транзистор VT2 закрыт и его коллекторный ток близок к нулю. Через резистор R2 в выходную цепь ЛЭ1 течет ток /вх, являющийся входным током для ЛЭ2: /вх = /ыР/ь где /si — ток базы транзистора VT1 в элементе ЛЭ2\ рл — инверсный коэффициент передачи этого транзистора. Чтобы ток /вх был достаточно малым, необходимо уменьшать Рл- Способ уменьшения рл рассмотрен в § 3.3.

Если оба перехода транзистора смещены в обратном направлении, то через них могут проходить обратные неуправляемые токи. При этом в коллекторной цепи протекает ток IK = Ля> а в базовой — ток /6 = -/«о- Напряжение на коллекторе (Лгэ.отс практически равно напряжению источника питания ?к. Следовательно, транзистор в области отсечки III представляет собой разомкнутый ключ.

Выходная статическая ВАХ п-р-п транзистора, включенного по схеме с ОБ, имеет большое сходство с ВАХ ГСТ. Следовательно, транзистор, включенный по схеме с ОБ, может выполнять функцию ГСТ. Однако на практике в микросхемах для реализации ГСТ используют не один, а два и более транзисторов, параметры которых практически идентичны.