Следовательно проводимость

Сигнал с коллектора транзистора через резистор R1 в противофазе с входным сигналом поступает во входную цепь каскада, причем оба сигнала подключены к одной точке устройства (базе транзистора), следовательно, происходит вычитание токов, что и определяет обратную связь как параллельную ООС. Поскольку сигнал обратной связи снимается с выхода каскада, т. е. с нагрузки (и исчезает при ее КЗ), данная ООС является связью по напряжению.

Таким образом, в триггерах записывается и дополнительная двоичная информация, поступающая на входы регистра. На выходах регистра, работающего в режиме хранения, имеются логические нули. При подаче «1» на шину «Вывод» переключится элемент Э3 и на выходе у1 появится «1», а на выходе у2 останется «О». Следовательно, происходит считывание записанной информации.

Схема температурной стабилизации с параллельной отрицательной обратной связью ( 6.36) отличается тем, что резистор R6 включают не в цепь —?К9, а в точку а, имеющую потенциал коллектора. Если с повышением температуры выходные характеристики транзистора перемещаются вверх (см. 6.34), то при этом увеличивается ток коллектора и уменьшается напряжение на коллекторе, а следовательно, происходит уменьшение тока /б, которое приведет к стабилизации рабочей точки. Для оценки качества стабилизации служит коэффициент нестабильности:

житься по оси результирующего поля, а следовательно, происходит некоторое искажение синусоидальной зависимости М = /(б). Форма кривой М — /(9) обусловлена тем, что магнитный поток возбуждения Ф„ (полюсов ротора) и суммарный поток ?ф сдвинуты между собой, как и векторы EQ и U, на один и тот же угол 9, причем векторы Фр и ? Ф опережают соответственно Е0 и U на угол я/2.

тельные лампы. Эти лампы имеют, как правило, две управляющие сетки, на каждую из которых могут подаваться сигналы разных частот. В результате одновременного воздействия на анодный ток двух переменных напряжений в анодной цепи ламп возникают токи комбинационных частот и, следовательно, происходит преобразование частот.

Из-за неравномерности амплитудно-частотной Z((o) и нелинейности фазочастотной (3(со) характеристик резонансного контура .огибающие напряжения, соответствующие модулирующим частотам Qit, изменяются и приобретают различные фазовые сдвиги p/j, вследствие чего форма результирующей огибающей напряжения искажается и не повторяет форму огибающей тока. Следовательно, происходит искажение информации, передаваемой с помощью AM.

Обратное напряжение на переходе увеличивает перекрытие зон б?, т.е. qU0up = E$p — ?ф „. Энергетическая диаграмма перехода для этого случая приведена на 3.18,6. Напротив занятых электронами уровней в зоне проводимости «-области находятся занятые энергетические уровня валентной зоны р-области, и туннелирование электронов из «- в р-область маловероятно. Соответственно напротив занятых электронами уровней р-области оказываются свободные изоэнергетические уровни зоны проводимости «-области. Следовательно, происходит туннелирование электронов из р- в «-область а через диод протекает обратный ток /обр.тун ( 3.18,5). При увеличении Uo6p число перекрывающихся свободных в «-области и занятых в р-области уровней растет, повышается число электронов, которые могут туннелировать через переход, обратный ток диода резко подскакивает.

При заряде реакция идет в обратном направлении и, следовательно, происходит восстановление активной массы электродов. При заряде и разряде концентрация электролита остается неизменной.

При возрастании тока в цепи транзисторов VT2 и VT3 напряжения на этих резисторах возрастают и в противофазе попадают на входы транзисторов, соответственно уменьшая их входное напряжение и, следовательно, выходной ток. Чем больше сопротивление резисторов R2 и R3, тем эффективнее действует защита. Однако в этом случае возрастает выходное сопротивление, так как применена обратная связь по току, и, следовательно, происходит соответствующее уменьшение напряжения на нагрузке. Более эффективна схема, в которой основную роль в защите от перегрузок играют транзисторы VT2 и VT3 ( 1.9,6). R2 и R3 имеют незначительное сопротивление {20...30 Ом). При нормальных для схемы токах оба эти транзистора закрыты. Если возникнет перегрузка или короткое замыкание, ток в транзисторах VT4 и VT5 возрастает, на резисторах R2 и R3 создается падение

Выше (§§ 245—246) мы рассматривали цепь, в которой активные и реактивные сопротивления были соединены последовательно. Посмотрим теперь, каким образом можно найти соотношение между напряжением и током в цепи, состоящей из ветвей, соединенных параллельно, в которой, следовательно, происходит разветвление переменного тока.

ние сварочной цепи, что вызывает увеличение тока. Следовательно, происходит саморегулирование дуги. Таким образом, сложный автоматический регулятор можно заменить простым механизмом подачи электродной проволоки с постоянной скоростью от асинхронного корот-козамкнутого двигателя.

Следовательно, проводимость G=I/U складывается из двух проводимостей объемной <Я,=ЛЛУи поверхностной Gv=iyU:

Найдем условие резонанса токов. Согласно определению, ток совпадает по фазе с напряжением U. Следовательно, проводимость контура должна быть чисто активной, а реактивная проводимость равна нулю:

Следовательно, проводимость всей цепи равна сумме проводимо-стей параллельно соединенных приемников.

То обстоятельство, что параметры коронирующей линии определяются средним моментом напряжения, а не средним напряжением, имеет физическое объяснение. Чем ближе к концу линии расположен элемент dx, тем больше напряжение на нем, а следовательно, проводимость g'x, т. е. элементы с наибольшей активной проводимостью сосредоточены в конце линии. Каждый коронирующий элемент dx создает активный ток dl ~ = g'x V (х) dx, который протекает через участок линии длиной х, вызывая соответствующее падение напряжения; очевидно, оно зависит не только от проводимости элемента, но и от расстояния х, т. е. тоже возрастает по мере увеличения х.

В примесном полупроводнике при комнатной температуре примесь практически полностью ионизирована и, следовательно, проводимость будет определяться, свободными подвижными носителями заряда, электронами и дырками в п- и р-полупроводниках соответственно

Ь!сли одно из сопротивлений Zb Z2 активное, а другое реактивное, то их отношение — мнимая величина. Следовательно, проводимость Уав чисто реактивна:

На 1.1 приведена энергетическая диаграмма полупроводника. На ней показаны нижняя граница (дно) зоны проводимости Еп и верхняя граница (потолок) валентной зоны Еъ. Между уровнями энергии Еп и ЕВ расположена зона запрещенных значений энергии электронов. Разность Еп—Ев представляет собой ширину запрещенной зоны Д?3, которая является важнейшим электрофизическим параметром полупроводников и диэлектриков. С ростом АЕ3 число электронно-дырочных пар и, следовательно, проводимость собственного полупроводника, уменьшаются, а удельное сопротивление возрастает. Принято относить к полупроводникам вещества с А?3<ЗэВ, а к диэлектрикам — вещества с А?3>ЗэВ. Из-за большого значения Д?3 концентрации свободных носителей заряда в диэлектриках пренебрежимо малы даже при высоких температурах, что обусловливает высокое удельное сопротивление р>Ю10Ом-см. Удельное сопротивление полупроводников в зависимости от Д?3 может изменяться в широких пределах (10~4—1010Ом-см). У металлов р<Ю~4Ом-см и сохраняется низким даже при T—Q К из-за существования свободных электронов в частично заполненной зоне проводимости.

При 7<ГМакс концентрация собственных носителей мала (n,
На 1.2, б показаны графически энергетические зоны твердого тела. По вертикальной оси этой диаграммы откладывается уровень энергии, которой обладают электроны. Горизонтальная ось — безразмерная. Шириной запрещенной зоны определяется электропроводность материала. Следовательно, проводимость того

Следовательно, проводимость, шунтирующая сигнальный контур, будет

Следовательно, проводимость для системы из электрода и его зеркального изображения равна: