Следовательно максимальноеСледовательно, максимальная мощность, отдаваемая в нагрузку, также пропорциональна частоте питающей сети. Результаты расчета сведены в табл. 3.14.
Волновое число а" и, следовательно, максимальная частота зависят от е' и tg б. Только для диэлектриков с малым углом потерь а" як /^i0^,e0e'. У большинства диэлектриков относительная магнитная проницаемость ц = 1. При этих ограничениях условие выбора частоты (9-30) имеет вид
Следовательно, максимальная температура стержня в точке хфхц обратно пропорциональна расстоянию от рассматриваемой точки до точки приложения импульса. Время, необходимое для достижения этой максимальной температуры, прямо пропорционально квадрату расстояния от точки приложения импульса.
Приемник не может отдавать вращающий момент больший, чем возникающий при бс- Следовательно, максимальная нагрузка на приемнике равна:
По кривой намагничивания ( 5-20) найдем напряженность магнитного поля Ямакс = 10 а/см; следовательно, максимальная я. с.
ставляет собой дифференциальное сопротивление нелинейного резистора. Следовательно, максимальная мощность передается нагрузке, когда в рабочей точке Rn =
Максимальная погрешность дискретности возникает при потере одного периода измеряемых импульсов, т. е. одного импульса: A./V = 1. Следовательно, максимальная относительная погрешность 8/ вычисляется по следующей
Следовательно, максимальная мощность рассеяния на транзисторе получается не при максимально возможном выходном напряжении, а при значении U% т = 0.64 ?к, соответствующем коэффициенту использования
Следовательно, максимальная мощность в нагрузке будет:
По кривой намагничивания ( 6-6) найдем напряженность магнитного поля Ямакс = 10 а/см; следовательно, максимальная н. с.
При всех достоинствах магнитных логических элементов (простота конструкции, высокая надежность, высокая помехоустойчивость и т. д.) эти элементы обладают одним существенным недостатком, сужающим их область применения,— относительно малым быстродействием. Это свойство вытекает из принципа действия элементов. Действительно, управляющий сигнал намагничивает сердечник в течение первой половины периода, а напряжение, соответствующее этому управляющему сигналу, появляется на выходе во второй половине периода. Таким образом, время реакции элемента на сигнал не менее половины периода. Следовательно, максимальная частота входных сигналов, на которые элемент успевает правильно реагировать, не превышает частоты питания, а практически и того меньше. Магнитные логические элементы на частоту 50 Гц допускают частоту входных сигналов 2 — 5 Гц, а элементы на 400 Гц,— частоту 10 — 40 Гц.
то, следовательно, максимальное значение этого момента будет соответствовать скольжению (14.31) :
При этом ток /з не должен превышать значения Ясляс?вн, так как иначе он будет разрушать информацию,. хранящуюся в сердечниках других числовых линеек (т. е, перемагничивать их). Следовательно, максимальное значение тока записи
то, следовательно, максимальное значение этого момента будет соответствовать скольжению ( 1 4.3 1 ) :
то, следовательно, максимальное значение этого момента будет соответствовать скольжению (14.31):
В закрытом состоянии потенциал анода вентиля определяется напряжением своей фазы, а потенциал катода - напряжением работающей фазы. Поэтому в непроводящую часть периода между анодом и катодом приложено линейное напряжение, следовательно, максимальное значение обратного напряжения ( 1 1 .5 , г) .
С длинноволновой стороны спектральный диапазон возбуждающего излучения, в пределах которого возможно лроводить измерения, ограничен спектральным диапазоном фотолюминесценции. Этому условию соответствует минимальное значение коэффициента поглощения amtn возбуждающего излучения. Изменение интенсивности фотолюминесценции при увеличении «-' тем больше, чем меньше диффузионная длина при Ln>'a~l. Следовательно, максимальное значение диффузионной длины, которое может быть измерено, определяется ашш , и тем больше, чем больие длина волны возбуждающего света.
определяется значением напряжения ui(t) на вторичной обмотке трансформатора. Следовательно, максимальное значение обратного напряжения, которое приложено к диоду в данной схеме, равно амплитудному значе-
Решение. На семейство анодных характеристик наносим линию нагрузки ( 4.14). Проектируя точку пересечения линии нагрузки с характеристикой, снятой при напряжении сетки t/c = 0 (условие работы без сеточных токов), на ось ординат, определим максимальное значение анодного тока: /атах=12 мА, следовательно, максимальное значение выходного напряжения ?/выхтаж==^атаж-<УК=1^Х
Структурная схема И'В-500 представлена на 22-1. Датчики, подсоединяемые к ИВ-БОО, объединяются в группы по 40. Наибольшее количество групп—12 (следовательно, максимальное количество датчиков—480). Могут использоваться термопары и термометры сопротивления, источники э. д. с. постоянного тока 0—50 мВ с внуг-ренним сопротивлением не более 300 Ом, датчики с унифицированным выходом (0—10, —ilO—0—10 В; 0—5, —5—0—15 мА), дифференциально-трансформаторные датчики и другие датчики переменного тока 50 Гц с выходным сигналом 0—1,0 В и более (с внутренним сопртивлением не более 300 Ом) и 0—5 мА.
Максимальное число в ячейке образуется при максимальном значении мантиссы (когда мантисса содержит во всех разрядах единицу: 0,11 ...12 « 1) и положительном порядке, имеющем максимальное значение (т. е. если все разряды порядка содержат единицу: 11 ...12= = 2* — 1). Следовательно, максимальное значение числа
Для получения заданного тока /0 и напряжения U0 напряжение на вторичной обмотке трансформатора в мостовой схеме должно иметь такое же значение, как напряжение на одной половине вторичной обмотки в схеме со средней точкой. Это позволяет прийти к выводу, что обратное напряжение, действующее на диод, в мостовой схеме в 2 раза меньше, чем в схеме со средней точкой. Действительно, в течение того полупериода, когда работают диоды VD1 и VD3, «анод» диода VD2, соединенный с точкой Б вторичной обмотки, имеет отрицательный потенциал. В то же время «катод» диода VD2 имеет положительный потенциал, равный потенциалу точки А вторичной обмотки трансформатора (падением напряжения на проводящем диоде VD1 можно пренебречь). Следовательно, максимальное значение обратного напряжения, приложенного к диоду VD2, равно амплитудному значению напряжения вторичной обмотки,
Похожие определения: Следующего уравнения Следующие допущения Следующие изменения Следующие номинальные Следующие показатели Следующие результаты Самозатухающего полиэтилена
|