Следовательно концентрация

в котором вычитаемая величина riVHl(r\ +r ) характеризует последовательную отрицательную обратную связь. Следовательно, коэффициент усиления напряжения неинвертирующего усилителя

где /Б/п — амплитуда синусоидального тока базы. Следовательно, коэффициент усиления мощности

В асинхронной машине магнитное поле создается токами статора, а индуктированные токи ротора стремятся ослабить это поле. В синхронной машине постоянный ток ротора (ток возбуждения) создается независимым источником питания, поэтому его можно произвольно регулировать, воздействуя тем самым на поле машины. Это создает новые возможности регулирования реактивной (намагничивающей) составляющей тока статора, что позволяет изменять реактивную мощность и, следовательно, коэффициент мощности машины при заданной нагрузке, на валу.

Следовательно, коэффициент усиления по напряжению

Обычно рассматривают нормированную амплитудно-частотную характеристику /С//Со=<р(7.) ( 2.14). На нижних частотах влиянием емкостного элемента С0 пренебрегают, поскольку его сопротивление Хс становится еще больше, чем в рабочем диапазоне частот. В то же время на нижних частотах сопротивление Хс = 1/(шиСс) также становится большим (емкость Сс равна десятым долям и единицам микрофарад). Падение напряжения на конденсаторе связи Сс с уменьшением частоты возрастает, выходное напряжение уменьшается и, следовательно, коэффициент усиления также уменьшается.

Следовательно, коэффициент усиления напряжения КЕ = (G, + Gt)l(Gn + G{ - G3K) * 8,5.

На З.З.а показана структура типичного БТ п-/7-п-типа, который используется в схемах с непосредственными связями, а также в схемах РТЛ, ЭСЛ и ЭПЛ, а на 3.3,6 — структура БТ p-n-p-типа с вертикальным расположением /?-л-переходов и с коллектором в виде подложки (технологически совместим с транзистором типа п-р-п). Очевидно, что транзисторы подобного типа, расположенные на одном кристалле, имеют общий коллектор. Это ограничивает их применение. На 3.3,в приведена структура БТ типа р-п-р с горизонтальной структурой. Ширина базы и, следовательно, коэффициент усиления по току такого БТ определяется расстоянием между окнами, протравливаемыми в оксиде кремния для создания эмиттера и коллектора. В этой структуре трудно контролировать ширину базы, поэтому небольшие колебания ее могут вызвать значительные изменения коэффициента усиления.

в котором вычитаемая величина ril/Hl(ri +.r ) характеризует последовательную отрицательную обратную связь. Следовательно, коэффициент усиления напряжения неинвертирующего усилителя

где /Бш — амплитуда синусоидального тока базы. Следовательно, коэффициент усиления мощности

в котором вычитаемая величина riUHl(rl + ro ) характеризует последовательную отрицательную обратную связь. Следовательно, коэффициент усиления напряжения неинвертирующего усилителя

где /Бт — амплитуда синусоидального тока базы. Следовательно, коэффициент усиления мощности

Следовательно, концентрация электронов проводимости в полупроводниках типа п с донорной примесью является суммой концентрации электронов, перешедших с локальных уровней в зону проводимости, и электронов валентной зоны, перешедших в зону проводимости. Запрещенная зона между валентной зоной и зоной проводимости значительно больше запрещенной зоны между локальными уровнями и зоной проводимости, поэтому концентрация электронов, поступивших в зону проводимости с локальных уровней, значительно больше концентрации электронов, перешедших в зону проводимости из валентной зоны.

При переходе электронов из валентной зоны в зону проводимости в первой образуются дырки, которые также являются носителями заряда. Следовательно, в полупроводниках с электронной электропроводностью, кроме основных носителей зарядов — электронов, имеются неосновные носители заряда — дырки, при этом концентрация электронов значительно больше концентрации дырок.

Из (2.78) следует, что для получения минимальных обратных токов в диоде необходимо снижать удельное сопротивление (повышать уровень легирования п-/7-областей). Тепловой ток, при прочих равных условиях, обратно пропорционален ширине запрещенной зоны полупроводникового материала. Действительно, с уменьшением ?g возрастает nt (1.17), а следовательно, концентрация неосновных носителей заряда, образующих тепловой ток (2.76). Так, для кремния, имеющего ширину запрещенной зоны &g = 1,2 эВ, тепловой ток при Т = 300 К будет на шесть порядков меньше, чем для германия, имеющего <§s = = 0,72 эВ.

Собственная концентрация п,-=2,5-1019 м~3. Следовательно, концентрация дырок

В режиме обеднения ( 3.6, б) энергетические зоны вблизи границы раздела полупроводник — диэлектрик изгибаются вверх. Следовательно, концентрация электронов у поверхности полупроводника ниже, чем в объеме, и приповерхностный положительный связанный заряд QB будет обусловлен нескомпенсированными ионами донорной примеси. В предположении, что обедненная область полностью лишена подвижных носителей заряда и отделена от объема полупроводника резкой границей, распределение плотности заряда имеет прямоугольную форму, как показано на 3.6, б. Для одномерной модели напряженность электрического поля является линейной функцией, а электростатический потенциал и энергия электронов — параболическими функциями расстояния от границы раздела диэлектрик — полупроводник. Заряд Q«, возникающий в обедненной области протяженностью хп,

При увеличении степени обеднения приповерхностного слоя, находящегося в режиме обеднения, некоторому значению напряженности внешнего электрического поля будет соответствовать положение уровня Ферми, в точности совпадающее с серединой запрещенной зоны полупроводника ( 3.6, в). Следовательно, концентрация дырок в приповерхностном слое будет превышать концентрацию электронов, т. е. тип электропроводности этого

Следовательно, концентрация исследуемого вещества определяется либо по значению установившегося тока электролиза при заданном постоянном потенциале, либо при постоянном заданном токе временем выделения вещества.

обратный ток коллекторного р-п перехода. Ток /?0 значительно больше тока /эо, так как концентрация доноров в коллекторе меньше концентрации акцепторов в базе, следовательно, концентрация дырок (неосновных но- 3.16 сителей) в коллекторе, определяющая значе-

Следовательно, концентрация исследуемого вещества определяется либо по значению установившегося тока электролиза при заданном постоянном потенциале, либо при постоянном заданном токе временем выделения вещества.

и результате реакции на этой поверхности появится газ В(с) я осадок М(тв), следовательно, концентрация компонента А должна измениться в .приповерхностном слое, что IB свою очередь окажется на "Скорости реакции. Следовательно, в приповерхностном слое концентрация компонентов будет иной, чем IB свободном потоке.

Следовательно, концентрация электронов в га-полупроводнике за счет ионизации донорных атомов растет с температурой по экспоненциальному закону, что на 9-17 отображается отрезком прямой АВ, тангенс (i угла наклона которой пропорционален энергии ионизации доноров A?^ = Ес — Ел. В этом интервале температур процесс генерации пар зарядов пренебрежимо мал и в случае отсутствия акцепторных, примесей неосновных носителей зарядов — дырок в полупроводнике почти нет.