Скоростью скольжения

Пользуясь этими решениями, можно построить семейства зависимостей &p(x/L) для .различных значений s. Оказывается, что вид этих зависимостей для разных значений s различается незначительно. Поэтому скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда этим способом обычно не измеряют. Экспериментальные данные сравнивают с теоретическими кривыми, полученными при s<(D/t)1/2 или sx»D. Измерения диффузионной длины проводят на образцах с очень малой или очень большой скоростью рекомбинации носителей заряда на поверхности.

Вследствие рекомбинации части инжектированных электронов с основными дырками базы плотность электронной составляющей тока эмиттера уменьшается на величину /рек. Поскольку плотность рекомбинационного тока определяется скоростью рекомбинации избыточных электронов во всей базовой области, ее можно выразить как

На 2.19 показаны зависимости граничной концентрации носителей заряда около идеального омического перехода с бесконечно большой скоростью рекомбинации (/), для реального омического перехода со скоростью рекомбинации, равной максимально возможной скорости движения носителей (2), и для реального омического перехода со скоростью рекомбинации, не превышающей максимальной скорости движения носителей (3).

мени (правая часть уравнения) с изменением п в этом объеме за счет протекания тока электронов (первый член левой части), а также за счет генерации 0„ или рекомбинации Rn электронов. Величина Rn называется темпом (скоростью) рекомбинации электронов и определяется уменьшением концентрации электронов в элементарном объеме в единицу времени вследствие рекомбинации. Темп генерации определяется увеличением концентрации электронов за счет теплового, ударного, оптического и других механизмов генерации. В условиях термодинамического равновесия рекомбинация электронов полностью уравновешивает их тепловую генерацию, поэтому Rn — Gn. Если нет ударной и оптической генерации, то генерация электронов возможна только за счет тепловой энергии. В этом случае можно говорить о результирующем эффекте генерации — рекомбинации, введя обозначение RG = R,, — Gn.

приводит к увеличению общей скорости рекомбинации электронов по сравнению со скоростью рекомбинации электронов, определяемой объемным временем их жизни.

Соотношение (1.32) широко применяется при анализе переходных (нестационарных) процессов в полупроводниковых приборах. При этом роль поверхности с высокой скоростью рекомбинации может играть не только сама поверхность кристалла, но и всевозможные границы одного кристалла, отделяющие области с различными свойствами. К числу таких границ относятся приконтактные области, являющиеся границей между полупроводником и металлом, а также электронно-дырочные переходы (гл. 2).

Выразим полный заряд Qn& избыточных электронов в базе через ток эмиттера. Для этого учтем, что база тонкая, а коллекторный переход, включенный в обратном на-правлении, экстрагирует из базы все подходящие к нему электроны. Он эквивалентен поверхности с высокой скоростью рекомбинации, поэтому QnB = /:-:4РБ, где /ПРБ — среднее время пролета электронов через базу (см. § 2.6).

Процесс рекомбинации характеризуют скоростью рекомбинации R, которая выражает число носителей (число пар носителей),

GaAs—Al,I.Ga1_a.As благодаря малому различию параметров решетки контактирующих материалов могут быть отнесены к этому классу гетеропереходов, характеризующихся низкой скоростью рекомбинации на гетерогранице [86]. ZIZI

Хсу с сотр. .рассуждали следующим образом: число носителей заряда в типичном импульсе взрывного шума, имеющего амплитуду 10~8А и длительность 1 мс, составляет по порядку величины 108. Крайне мало вероятно, чтобы при механизме, обусловливающем этот токовый импульс, все эти носители возбуждались независимо. Гораздо вероятнее такой процесс, при котором единичное событие приводило как бы к запуску потока всех носителей в таком импульсе. Такой процесс мог бы иметь место в том случае, когда только один генерационно-рекомбинационный центр был бы расположен в области дефекта с высокой скоростью рекомбинации. В качестве такого дефекта мог бы быть дефект типа металлического осаждения.

В большинстве применений требуется создание омического контакта к л-области, вольт-амперная характеристика которого является линейной, т.. е. подчиняется закону Ома. Кроме этого, он должен иметь малое сопротивление. Очевидно, линейность вольт-амперной характеристики может быть обеспечена лишь при использовании контакта с очень высокой скоростью рекомбинации. Минимальное же сопротивление контакта можно получить, если использовать для контакта материал с гораздо большей концентрацией, чем материал базы.

где Q0—Q =Qs — скорость вращения поля относительно ротора, называемая скоростью скольжения.

Для многих опор, работающих с большой удельной нагрузкой и малой скоростью скольжения, режим жидкостного трения неосу-

Частота э. д. с. статора совпадает с частотой сети fi=ni/7/60, так как на неподвижные обмотки статора вращающееся поле воздействует с синхронной скоростью /1ь Частота э. д. с. ротора определяется скоростью вращающегося поля относительно вращающегося ротора, которую называют скоростью скольжения: ns=ni—HZ.

дает со скоростью скольжения. Скорость вращения м. д. с. ротора в пространстве n\ = ns-\-nz, т. е. равна синхронной скорости. Следовательно, м. д. с. статора и ротора вращаются в пространстве с одинаковой скоростью и неподвижны относительно друг друга. Их сумма с учетом взаимной ориентации является той результирующей м. д. с., которая создает. вращающийся магнитный поток в рабочем режиме Двигателя. Результирующая м. д. с. относится к статору, являющемуся ведущим звеном в этом процессе. Отсюда вытекает следующее уравнение м. д. с.:

Скорость, с которой поле пересекает проводники обмотки ротора, называется скоростью скольжения ns, она равна

Относительно ротора поле взаимной индукции, представленное на 41-2, б комплексом Вт, вращается с угловой скоростью QS = Q! — Q, называемой угловой скоростью скольжения (соответственно в модели поле вращается относительно ротора со скоростью ш^ = MI — со). На 41-2 и др. скорость со! по отношению к статору показана на фоне статора; скорость со4. по отношению к ротору — на фоне ротора. Используя понятие скольжения поля по отношению к ротору

Частота ЭДС в статоре не зависит от скольжения, а определяется частотой тока в сети. Частота ЭДС в роторе определяется относительной скоростью вращения поля и ротора, так называемой скоростью скольжения

Пусть обмотка статора (якоря) трехфазной синхронной машины включена в сеть. Токи якоря при этом создают вращающееся поле, перемещающееся относительно несимметричного ротора со скоростью скольжения. Для анализа явлений при несимметричном роторе разложим вращающееся относительно него поле на два пульсирующих поля (см. § 22-2), одно из которых действует по продольной (d), а другое — по поперечной (q) оси ротора. Эти поля пульсируют со сдвигом по фазе на 90°, и частота их пульсации /2 = s/t. Кроме того, как и у асинхронной машины (см. § 24-2), рабочий процесс синхронной машины в асинхронном режиме можно привести к эквивалентному процессу при неподвижном роторе. Далее можно представить

Пусть обмотка статора (якоря) трехфазной синхронной машины включена в сеть. Токи якоря при этом создают вращающееся поле, перемещающееся относительно несимметричного ротора со скоростью скольжения. Для анализа явлений при несимметричном роторе разложим вращающееся относительно него поле на два пульсирующих поля (см. § 22-2), одно из которых действует по продольной (d), а другое — по поперечной (ф оси ротора. Эти поля пульсируют со сдвигом по фазе на 90°, и частота их пульсации /2 = s/j. Кроме того, как и у асинхронной машины (см. § 24-2), рабочий процесс синхронной машины в асинхронном режиме можно привести к эквивалентному процессу при неподвижном роторе. Далее можно представить себе, что у такой машины с неподвижным ротором на статоре вместо трехфазной обмотки имеется эквивалентная двухфазная обмотка, причем одна фаза этой обмотки создает магнитный поток, пульсирующий по продольной оси, а другая фаза — поток, пульсирующий по

Обозначим скорость вращения поля (синхронная скорость) через nlt а скорость вращения ротора через п2. Тогда разность «, — п2, называемая скоростью скольжения, будет представлять собой скорость ротора относительно поля, а отношение скорости скольжения к синхронной скорости, выраженное в процентах, называют скольжением s:

ротора со скоростью скольжения п = HI — na = Stti> но обмотка ротора сама вращается в направлении вращения поля статора со скоростью п2 = —tii (1 —s). поэтому поле ротора вращается со скоростью