Скоростью поверхностной

Кроме качественных, ПР определяется рядом технических характеристик: номинальной грузоподъемностью, погрешностями позиционирования и отработки траекторий, скоростью перемещения, числом степеней подвижности, ходом манипулятора, степенью подвижности, рабочим пространством и зоной обслуживания. Номинальная грузоподъемность ПР — наибольшее значение массы предметов производства или технологической оснастки, включая массу захватного устройства, при которой гарантируется их удержание и обеспечение установленных значений эксплуатационных характеристик. Погрешность позиционирования рабочего органа манипулятора характеризуется отклонением его положения от положения заданного управляющего программой.

Физической основой разнообразных процессов, происходящих в радиотехнических устройствах, является существование специфической фирмы материи, называемой электромагнитным полем. В конце XIX в'. Д. К. Максвелл сформулировал основные уравнения электродинамики, которые подытожили всю совокупность эмпирических сведений об электромагнитных явлениях и установили волновой характер электромагнитного поля. Оказалось, что все без исключения электромагнитные поля, изменяющиеся во времени, волнообразно распространяются в пространстве, причем скорость света в вакууме (с=2,99793 *108 м/с) является предельно возможной скоростью перемещения в пространстве любых материальных объектов.

Описание свойств транзистора с помощью входных и выходных статических характеристик не является достаточно полным. Статические характеристики снимаются при сравнительно медленных изменениях напряжений и токов на электродах, поэтому частотная зависимость параметров, вызываемая конечной скоростью перемещения носителей зарядов в транзисторе, не проявляется. Для более полного описания электрических свойств транзисторов применяются методы, основанные на представлении транзистора в виде электрической модели (эквивалентного четырехполюсника).

Преимущества метода резания проволокой состоят в еще меньшей по сравнению с методом резания полотнами ширине реза и сравнительно высокой производительности, обусловленной большой скоростью перемещения проволоки (100 — 200 м/с).

В осциллографах с регистрацией на фотопленке, требующей химической обработки, скорость записи ограничивается преимущественно динамическими характеристиками осциллографических гальванометров и наибольшей скоростью перемещения фотоленты лентопротяжным механизмом.

В осциллографах с регистрацией на фотопленке, требующей химической обработки, скорость записи ограничивается преимущественно динамическими характеристиками осциллографических гальванометров и наибольшей скоростью перемещения фотоленты лентопротяжным механизмом.

Для того чтобы разрешить это противоречие, применяют различные методы: форсирование разгона двигать ля перемещения электрода путем подачи на него повышенного напряжения: (для уменьшения времени его разгона), сокращение времени (а следовательно, и пути) его выбега перед остановкой (путем применения эффективного торможения — например, противотоком), введение пропорциональности между скоростью перемещения электрода и возмущением, регулирование по производной возмущения и т. Д. Однако самым радикальным способом является значительное снижение момента инерции (а следовательно, и запасенной кинетической энергии) привода механизма перемещения электрода (сам регулятор, по крайней мере, современный, выполненный на полупроводниковых приборах практически безынерционен). Так как основной момент инерции системы заложен в .якоре двигателя, то именно момент инерции последнего и надо уменьшать. В этом отношении большие надежды возлагают на новый двигатель с якорем на печатных схемах: момент инерции ротора этого двигателя в несколько раз меньше обычного. Другой путь — замена электромеханического привода на гидравлический, благодаря несжимаемости жидкости остановка такого привода осуществляется почти мгновенно. Гидравлический привод получил наряду с электромеханическим также

Пусть в некоторой точке линии при х = л:, и t = tt значение функции /,(f, — xjv) равно F,. Это значение функция /[ будет принимать во всех точках линии, где х > х{ с запозданием во времени, равным (х — x{)/v и обусловленным конечной скоростью перемещения волны по линии.

Линейная периодическая развертка характеризуется частотой развертки, размахом пилообразного напряжения, коэффициентом нелинейности, скоростью перемещения луча или коэффициентом развертки.

При движении ракеля верхняя поверхность трафарета остается чистой, но при этом количество пасты, застывшей в нижней его части, не регулируется. Эта величина определяется реологией пасты и связанными с ней скоростью перемещения ракеля и временем отделения трафарета от подложки. Чем меньше расстояние между краями линий рисунка, тем больший объем пасты осаждается на этих поверхностях, что приводит к снижению переноса пасты. Увеличение расстояния между краями пропорционально увеличивает объем переносимой пасты. 278

Скорость резания v при строгании (м/мин) является линейной скоростью перемещения резца или заготовки.

Из (2.25) видно, что Sn и Sp выражают относительную долю избыточных носителей заряда, ежесекундно рекомбинирующих в единице площади поверхности полупроводника, эти коэффициенты имеют размерность скерости и называются скоростями поверхностной рекомбинации электронов и дырок. Связь между скоростью поверхностной рекомбинации и временем жизни т в общем случае установить трудно, найдены решения этой задачи только для частных случаев.

где s — коэффициент пропорциональности, называемый скоростью поверхностной рекомбинации. Это соотношение используют в качестве граничного условия совместно с уравнением непрерывности (3.7). Скорость поверхностной рекомбинации зависит от условий обработки поверхности, а также от внешних услозий. Она может изменяться в широких пределах, для кремния, например, ее значение лежит в пределах от единицы до 106 см/с.

В том случае, когда скоростью поверхностной рекомбинации можно пренебречь, решение задачи значительно упрощается. Дей-

Во время протекания тока для образцов с малой скоростью поверхностной рекомбинации носителей заряда неравенство (3.43) в приконтактной области выполняется, а следовательно, рекомбинацией на поверхности можно пренебречь. Диффузию носителей заряда также можно не учитывать, потому что напряженность электрического поля в области контакта достаточно велика. Таким образом, распределение носителей заряда в образце к моменту окончания инжектирующего импульса тока можно определить из уравнения

Следует отметить, что изложенные ранее методы определения параметров полупроводников с помощью спектральных характеристик фотопроводимости получены на основе анализа фотопроводимости при выполнении условия электронейтральности как в объеме, так и на поверхности образца. Другими словами, при анализе предполагалось, что обязательно существующая вблизи поверхности образца область пространственного заряда не оказывает существенного влияния на рекомбинацию носителей заряда и фотопроводимость, а состояние поверхности можно характеризовать скоростью поверхностной рекомбинации. Введение скорости поверхностной рекомбинации предполагает наличие квазиравновесия между носителями заряда на поверхности и в объеме полупроводника. Из анализа следует, что существование приповерхностных изгибов энергетических зон, значительно превышающих среднюю тепловую энергию носителей заряда, нарушает такое равновесие уже при низких интенсивностях процессов рекомбинации на поверхности. Это приводит к качественным изменениям характеристик фотопроводимости.

На освещенной поверхности эпитаксиального слоя диффузионный поток электронов в плоскости х=0, направленный в сторону этой поверхности, определяется скоростью поверхностной рекомбинации s. При этом граничное условие

не зависящему от коэффициента поглощения, а для образца с малой скоростью поверхностной рекомбинации (s
при жидкостном травлении в сильнокислых средах может наблюдаться изменение скорости травления вследствие аномалии адсорбции протонов плоскостями кристалла с различной плотностью упаковки атомов. В большинстве же случаев скорость процесса травления ограничивается либо диффузией компонентов травителя или продуктов реакции в растворе, либо непосредственно скоростью поверхностной химической реакции. В зависимости от того, какая стадия процесса, диффузионная или кинетическая, протекает наиболее медленно, и сам характер, и результаты процесса травления оказываются различными.

что связано с переходом процесса в кинетическую область, где скорость окисления ограничивается скоростью поверхностной реакции. Это подтверждается проявляющейся при низких температурах зависимостью скорости окисления от ориентации поверхности кремния и от уровня легирования материала ( 8.7).

Рост стеклообразной фазы определяется как скоростью диффузии МехОу к поверхности раздела стекло — оксид, так и скоростью поверхностной реакции. При диффузии фосфора скорость поверхностной реакции значительно выше скорости диффузии, т. е. имеет место диффузионное ограничение процесса в целом.

Некоторые поверхностные состояния создают вблизи середины запрещенной зоны энергетические уровни, которые являются уровнями рекомбинационных ловушек. Рекомбинационными ловушками могут быть только быстрые поверхностные состояния, так как время перехода носителей на медленные поверхностные состояния очень велико. Явление поверхностной рекомбинации принято характеризовать скоростью поверхностной рекомбинации носителей заряда, которая определяется как отношение плотности потока носителей заряда у поверхности полупроводника к избыточной концентрации этих носителей у поверхности, т. е.