Схематическое устройство

Двухбазовые диоды — неудачное название приборов, представляющих собой полевые транзисторы с р — n-переходом, в которых на затвор подается напряжение, создающее ток в прямом направлении. В основание прибора инжектируются неосновные носители, которые благодаря выбору веществ и подбору количества примесей имеют значительно большую подвижность, чем основные, и это приводит к резкому увеличению проводимости основания. Изменение гроводимости за счет инжектировалных неосновных носителей заряда может быть сделано очень большим, так что процесс нарастания тока в основании носит лавинный характер. Чаще двухбазовые диоды включаются при запирающем потенциале на затворе, но при обратном потенциале стока. При повышении потенциала стока сверх некоторого предельного р — «-переход открывается и процессы в приборе развиваются так, как это было описано выше. Схематическое обозначение двухбазового диода приведено на 4.23, в.

6.5. Структура тиристора с катодным управлением (а) и его условное схематическое обозначение (б), структура тиристора с анодным управлением (в) и его условное схематическое

Симистор — это симметричный тиристор, который предназначен для коммутации в цепях переменного тока. Он может использоваться для создания реверсивных выпрямителей или регуляторов переменного тока. Структура симметричного тиристора приведена на 6.8 а, а его схематическое обозначение на 6.8 б. Полупроводниковая структура симистора содержит пять слоев полупроводников с различным типом проводимостей и имеет более сложную конфигурацию по сравнению с тиристором. Вольт-амперная характеристика симистора приведена на 6.9.

Входная цепь ОУ обычно выполняется по дифференциальной схеме, а это значит, что входные сигналы можно подавать на любой из двух входов, один из которых изменяет полярность выходного напряжения и поэтому называется инвертирующим, а другой не изменяет полярности выходного напряжения и называется — неипвертирующим. Условное схематическое обозначение дифференциального операционного усилителя приведено на 8.1 а. Инвертирующий вход можно отмечать кружочком или писать около него знак минус (-). Неинвертирующий вход или совсем не отмечается, или около него пишется знак плюс (+). Два вывода ОУ используются для подачи на него напряжения питания +Е„ и -Еп. Положительное и отрицательное напряжение питания обычно имеют одно и то же значение, а их общий вывод одновременно является общим выводом для входных и выходного сигналов (в дальнейшем выводы питания изображаться не будут).

Графическая зависимость выходного напряжения от разности входных напряжений приведена на 9.1 а, а условное схематическое обозначение компаратора приведено на 9.16. Как видно из обозначения, компаратор напряжения помимо основных сигнальных входов может иметь служебные входы различного назначения: стробирования, балансировки, согласования уровней и др.

Рис, 13.2. Асинхронный 5Д-триггер (а) и его условное схематическое обозначение (б)

13.3. Синхронный SR-триггер (а) и его условное схематическое обозначение (б)

13.4. УЛГ-триггер (а) и его условное схематическое обозначение (б)

13.5. D-триггер (а) и его условное схематическое обозначение (б)

13.6. /)-триггер, тактируемый фронтом (а), и его условное схематическое обозначение (б) 134

интвертирующего усилителя (б) и условное схематическое обозначение неинвертирущего

Схематическое обозначение и устройство типового плоскостного диода приведено на рисунке 4-5. Здесь на кристаллодержателе / ' с контактным выводом 2 крепят кристалл германия с вплавленным кусочком (каплей) индия. От пружинящего электрода 3 отходит внутренний вывод 4, заканчивающийся наружным выводом 5. Это устройство помещено в герметичный корпус 6 с изолятором 7.

2.5. Схематическое устройство индукционного токового реле

a — внешний вид: б — схематическое устройство двухсеточного (б) и односеточного (в) тиратронов; условное обозначение односеточного (г) и многосеточного (d) тиратронов

3.10. Внешний вид точечного кремниевого диода (а) и его схематическое устройство (б); вольт-амперные характеристики германиевого диода Д9В (кривая 1) и кремниевого диода Д106 (кривая 2) (в)

3.22. Схематическое устройство и условное обозначение тиристора (а), его конструкция (б) и вольт-амперные характеристики (в)

Схематическое устройство и условное обозначение такого транзистора показано на 3.23, а. В пластинку rt-германия, называемую •базой 3 транзистора, с обеих сторон вплавляют кусочки индия. Кусочек индия / меньшего размера образует эмиттерный переход, так как назначение его — инжектировать в базу 3 неосновные носители зарядов — дырки. Кусочек индия 2 большей величины образует коллекторный переход. Назначение коллектора — «собирать» неосновные носители зарядов, инжектированные в базу из эмиттера. Эмиттер, база и коллектор имеют омические контакты для соединения с внешней цепью.

а — схематическое устройство и условное обозначение; б — разрез транзистора; в — принцип действия; г — схема включения; д — примерная картина перемещения зарядов и рекомбинации носителей

а — схематическое устройство и условное обозначение; б — принцип действия

3.40. Схематическое устройство (а), условное обозначение (б), схема включения (в) полевого транзистора и его статические вольт-амперные характеристики; схематическое устройство (д) и схема включения (е) МОП-транзистора

15-3. Схематическое устройство барабанной канальной печи

15-4. Схематическое устройство 15-5. Схематическое устройство двухкамерной канальной печи канальной печи с ванной прямо-

применяют диэлектрическую изоляцию отдельных областей в кристалле с использованием двуокиси крем- ( ния. Двуокись кремния обладает хорошими изолирующими свойствами и малой диэлектрической проницаемостью. Схематическое устройство участка микросхемы с диэлектрической ИЗОЛЯЦИеЙ Показано рис ,, 3. Транзистор с балочными вы-на 11.2. Не останавливаясь под- водами: