Сеточного запирания

ных составляющих, которые мы в дальнейшем будем называть компонентами системы. Так, например, прокатный стан может быть представлен как совокупность клетей, редукторов, электродвигателей, преобразовательных агрегатов, усилителей, датчиков, регуляторов и т. д. Все эти устройства будут компонентами электромеханической системы-—прокатного стана. Вместе с тем нетрудно видеть, что каждая из компонент может рассматриваться в свою очередь как система. Так, клеть представляет собой механическую систему, состоящую из валков, станины, подшипников; редуктор состоит из валов, шестерен, подшипников, корпуса; преобразовательный агрегат, рассматриваемый как система, имеет компонентами управляемые вентили, трансформаторы, блоки сеточного управления и т. д.

Для каждой из групп специфичны не только детали конструктивного выполнения, но и режимы сеточного управления. Соотношения, связывающие значения напряжений и токов в сеточных цепях с возникновением разряда в анодных цепях (открыванием тиратронов), отражаются в сеточных характеристиках управления, которые мы здесь и рассмотрим применительно к релейным тиратронам.

При наличии сеточного управления начала прохождения тока через вентили: сдвинуты на угол a -f- Y по от~ ношению к началам положительных полупериодов, а окончания токов сдвинуты на угол а -f- у по отношению к отрицательным полупериодам напряжения ( 4-8, б и б). Коммутация тока происходит в этой схеме под действием фазного напряжения. По отношению к вступающему в работу вентилю это напряжение положительно, а по отношению к заканчивающему свою работу вентилю оно отрицательно. Скорость изменения тока в период коммутации ограничена напряжением е2 и реактивностью Ха трансформатора [Л. 86].

Один из применяемых вариантов схемы сеточного управления игнитроном, включающей также цепь подхватывающего анода, приведен на 4-67, а.

б) достижения, с другой стороны, возможно более быстрой деионизации промежутков между вставками и в отверстиях вставок с тем, чтобы остаточная 'концентрация зарядов но мешала добиться возможно более равномерного распределения напряжения между вставками, а также требующейся надежности сеточного управления. Это связано с ограничением размеров отверстий во вставках и сетках и выбором большей их высоты.

115. Долгих В. А. Восстановление сеточного управления в ионных приборах. — «Известия НИИ постоянного тока», № 11, 1965.

Для изменения фазы формируемого импульса применяется под-машичивание дросселя постоянным током. Магнитодвижущая сила (м.д. с.) обмотки подмагничивания алгебраически суммируется с м. д. с. первичной обмотки. Момент, когда результирующая м. д. с. достигает нулевого значения, сдвигается относительно со/ = 0(я) на тот или иной угол в зависимости от величины и направления тока (м. д. с.) обмотки подмагничивания. Следовательно, сдвигается и момент формирования управляющего импульса. Как уже указывалось, пик-дроссели чаще всего применяются в системах управления выпрямителей на экситронах. В качестве примера на 8.5 приведена система сеточного управления экситронами для выпрямителя по схеме с уравнительным реактором.

Конструктивно преобразователь СЧГ1-2 х800/1 выполнен в виде трех блоков: блока выпрямителя и двух генераторных блоков ( V.19). Блок выпрямителя разбит на три отсека. В первом отсеке — отсеке выпрямителя 0В размещены вентили выпрямителя, блок собственных нужд этих вентилей, блок смещения выпрямителя, импульсные изолировочные трансформаторы сеточного управления выпрямителя и элементы электромеханической блокировки блока. Во втором отсеке — отсеке фильтра ОФ — размещаются входные реакторы преобразователей (Др\ и Др2, V. 18). В третьем отсеке— отсеке управления ОУ — находятся элементы схемы автоматики, задающие генераторы и блок автоматического регулирования и

устройством сеточного управления экситронов. Постоянное напряжение 3300 В подводится через воздушные быстродействующие выключатели 1АВ, 2АВ на входные реакторы 1L, 2L инверторов. Каждый инверторный блок состоит из четырех экситронов Э1-15/7А (7Л—10Л, 11Л—14Л), шунтированных обратными выпрямителями (1В—4В, 5В—8В), собранными из последовательно соединенных кремниевых диодов типа ПВКЛ-200. Коммутирующие конденсаторы 1C, 2С включены через катушки индуктивности 3L—6L, 7L—10L. Напряжение средней частоты 1000 Гц, 2400 В подводится к нагревательным контурам (5С—11L, 6С—12L) через разделительные конденсаторы ЗС—4С и 'согласующие выходные трансформаторы 2Т, ЗТ.

На 5.5 представлены расчетные графики нагрузок прокатных станов. Для ртутно-выпрямительного преобразователя блюминга применена несимметричная система сеточного управления, что дало снижение пика реактивной мощности на 30 % по сравнению с обычной системой сеточного управления.

При проектировании электропривода, в частности с вентильными преобразователями, должны предусматриваться способы снижения • толчков и ограничения реактивной мощности, потребляемой преобразователями, а также мероприятия по ограничению уровней высших гармонических. Должны внедряться электро-приводы с покиженным потреблением реактивной мощности, а именно: встречно-последовательное управление преобразователями; несимметричные системы сеточного управления: схемы искусственной коммутации; двухзонное регулирование; специальный трансформаторный агрегат, включающий анодный трансформатор и встроенный управляемый источник реактивной мощности.

2-56. Сопоставление кривой восстановления сеточного запирания (электрической прочности тиратрона) щ с кривыми нарастания анодного напряжения иЛ1 п и(„ (а); фактические кривые времени восстановления сеточного напнранпя у тиратронов ТХЗБ п ТХ4Б (б) и тиратрона МТХ-УО (в).

Для того чтобы не произошло преждевременного возникновения разряда в тиратроне, нарушающего режим работы, параметры зарядного конденсатора Сг, разделительного реактора Li и колебательного контура Ьк — Ск выбирают такими, чтобы результирующее напряжение на тиратроне становилось бы положительным только после восстановления у тиратрона сеточного запирания.

3-11. ВОССТАНОВЛЕНИЕ СЕТОЧНОГО ЗАПИРАНИЯ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОЧНОСТИ ТИРАТРОНОВ

Началу возрастающего во времени воздействия отрицательного поля на электроны, проходящие через сеточные отверстия, соответствует участок //. Быстрое восстановление сеточного запирания на этом участке, определяемом длительностью 91, соответствует снижению концентрации ионов в оболочках в связи с рекомбинацией зарядов на стенках.

На завершающем /// участке кривой восстановления сеточного запирания, являющемся более пологим, наличие ионов в сеточных отверстиях поддерживается почти исключительно за счет их прихода из соседних объемов, где деионизация происходит более медленно из-за большего удаления стенок. К концу участка III прибор приобретает максимальное выдерживаемое им прямое напряжение при заданном напряжении смещения на сетке

3-62. Кривая спада сеточного тока (а) и построение по ней кривой восстановления сеточного запирания (б).

Изменяющееся во времени распределение поля в области анодно-сеточного узла в период восстановления сеточного запирания у односеточного вентиля показывают для трех моментов времени кривые, приведенные на 4-68, а. Они построены применительно к линии, проходящей вдоль междуэлектродного промежутка через центр сеточного отверстия, когда сетке сообщен отрицательный потенциал — С7С, а аноду — последовательно нулевой и положительные потенциалы -\-UAZ и ?7аз.

ток. Верхняя сетка выполняет функции управляющей, а нижняя — экранирующей. Наличие последней способствует более быстрой деионизации предсеточного пространства управляющей сетки, что приводит к сокращению времени восстановления сеточного запирания. Падение напряжения в дуге составляет 24—26 В, а перегрузочная способность прибора по току в соот-нстствии с ГОСТ, т. е. игнитрон выдерживает перегрузку 25% в течение 15 мин, 50% в течение 2 мин и 100% 11 течение 10 с.

деионизации до предельно достижимого минимума и тем самым уменьшить время восстановления сеточного запирания в вентиль введен, кроме двух сеток (управляющей и экранирующей), также деионизационный фильтр с высоко развитой поверхностью.

Время восстановления сеточного запирания, зависящее: а) от скорости спада прямого тока dia/dt; б) уровня сеточного смещения Есо\ в) значения сеточного сопротивления Лс, достигает, как показывают применительно к одному из типов экзитронов прямые, построенные на 4-80, б, значений 50—150 мкс, когда dijdt не превышает 106 А/с и Есо = —400 В. При отсутствии фиксации катодного пятна и более слабо развитой деионизационной поверхности время деионизации превышает 300—400 мкс,

г) Восстановление сеточного запирания тиратрона после гашения разряда............. 211