Сопротивление балластного

Это сопротивление аналогично сопротивлению /?вых, зависит от напряженности магнитного поля и возрастает при ее увеличении. С физической точки зрения это можно объяснить тем, что при увеличении напряженности магнитного поля уменьшаются подвижность носителей и длина их свободного пробега.

При наладке и испытаниях устройства для измерения напряжения в цепях схем с транзисторами и операционными усилителями применяются ламповые и транзисторные вольтметры с высоким входным сопротивлением (не менее 100 кОм/В). Очень удобен при наладке устройств электронный осциллограф, позволяющий наблюдать форму и приблизительно оценивать величину напряжений постоянного и переменного токов. При необходимости в исследовании формы тока в цепи, не содержащей линейных активных сопротивлений, цел-есообразно включить последовательно в схему небольшое активное сопротивление (аналогично миллиамперметру). Падение напряжения на нем прямо пропорционально току и может наблюдаться на экране осциллографа.

В тех случаях, когда лишние потерн энергии не имеют значения, можно приблизиться к характеристике источника тока, повышая э.д.с. источника и увеличивая его внутреннее сопротивление. Аналогично, включая параллельно с источником тока ветвь с большой проводимостью, можно получить генератор, характеристика которого приближается к источнику напряжения.

Если источник питания содержал внутреннее сопротивление и э. д. с., то, полагая э. д. с. равной нулю, следует оставлять в его ветви внутреннее сопротивление. Аналогично в случае источника питания, представленного источником тока с параллельной ветвью, следует, разрывая ветвь источника тока (т. е. полагая /==0), оставлять включенной параллельную ветвь с внутренним сопротивлением.

няется уменьшением длины канала (до L — AL) и соответствующим уменьшением сопротивления канала. Таким образом, в активной (усилительной) рабочей области (при ^си>^сигр) ПТУП по отношению к внешней цепи представляется источником постоянного тока /сгр и имеет большое выходное сопротивление (аналогично МДП- и биполярному транзисторам в активной области).

где R6 — сопротивление балластного резистора, ограничивающего ток через лампу.

где t/0 — входное напряжение; /ст — ток, протекающий через стабилитрон; /и — ток нагрузки; R5 — сопротивление балластного резистора.

2.9. На 2.9 приведена электрическая схема газового стабилизатора напряжения с газоразрядным стабилитроном типа СГ4С. Определить сопротивление балластного резистора /?б и мощность Р«, выделяемую на нем, если ток на прямолинейном участке вольт-амперной характеристики стабилитрона изменяется от минимального значения /min = 5 мА до максимального /тах = 40 мА. Значение стабилизированного выходного напряжения ?/'вых = 150 В, а напряжение на входе t/BX = 240 В, сопротивление нагрузочного резистора /?н= ЮкОм.

2.12. Определить ток стабилитрона газового стабилизатора напряжения (см. 2.9), если напряжение на входе t/,x = = 200 В, напряжение на выходе ?/,ых •* 150 В, ток нагрузки /„ = 5 мА, сопротивление балластного резистора /?в = 2,5 кОм.

6.8. Для схемы 6.8, а полупроводникового стабилизатора напряжения с кремниевым опорным диодом VD определить пределы изменения напряжения ?/„ = 7,85 В на нагрузочном резисторе RH = 12,5 кОм, если напряжение источника питания U= 12 В изменяется в пределах ±10%. Сопротивление балластного резистора Rr, — 1000 Ом, вольт-амперная характеристика диода представлена на 6.8,6. Нелинейностью вольт-амперной характеристики на рабочем участке пренебречь.

6.10. Для полупроводникового стабилизатора напряжения на кремниевом диоде, схема которого представлена на 6.8, а, определить допустимые пределы изменения напряжения +-Д// на входе, а также коэффициент стабилизации /С(1, если напряжение питающей сети U = 12 В, сопротивление балластного резистора RU = 1000 Ом, напряжение на нагрузочном резисторе U „ = 7,6 В, отклонение напряжения на нагрузке Д(УИ = ± 0,4 В, а сопротивление нагрузочного резистора /?, = 10 кОм.

При изменениях напряжения UK меняется ток I, протекающий через сопротивление балластного резистора, за счет изменения тока стабилитрона /ст.

Наличие вентиля VT обеспечивает прохождение тока в цепи рабочей обмотки Юр только в одном направлении. При ненасыщенном сердечнике индуктивное сопротивление рабочей обмотки во много раз превышает сопротивление балластного резистора R7, поэтому напряжение на R7 очень мало. В момент насыщения сердечника МУ индуктивное сопротивление рабочей обмотки резко снижается, и основная часть напряжения питания прикладывается к резистору R7'. Это напряжение подается на вход тиристора через ограничивающий резистор R1. Для защиты от случайного возникновения на управляющем электроде отрицательного потенциала параллельно входу тиристора включается диод VI'.

Сопротивление балластного резистора (кОм), необходимого для эксплуатации ламп, можно рассчитать по формуле

5.4. На 5.4 представлена схема стабилизатора напряжения. Определить напряжение на вь ходе стабилизатора UВЬ1Х.Ном. если ^вх.ном = 50 В, сопротивление балластного резистора #6 = 0,25кОм. Дг.нные

Полное электрическое сопротивление головки обычно измеряют по схеме на 4-22 при постоянстве амплитуды тока. Сопротивление балластного резистора ^1 должно не менее чем в 20 раз превышать сумму ориентировочного максимального полного электрического сопротивления громкоговорителя и Выходного сопротивления звукового генератора ЗГ. Сопротивление образцового резистора R^ должно быть известно и иметь один порядок с предполагаемым сопротивлением головки. Напряжение, кода-ваемое на головку, должно быть не более напряжения, соответствующего 0,1 Р^оя "З частоте 1 кГц.