Сопротивление эмиттерной

Можно заметить, что величина ?/Z, представляет собой ток короткого замыкания, возникающий в данной цепи при ZH = 0. Далее следует учесть, что выражение ZHZj/(ZH + Zi) описывает сопротивление элементов Zj и ZH, соединенных параллельно. Отсюда приходим к выводу, что исходную активную цепь можно эквивалентно заменить двухполюсником, который содержит источник тока с комплексной амплитудой / = ?/Zj-; элемент Z,, ранее включавшийся последовательно с источником ЭДС, теперь присоединен параллельно источнику тока ( 3.6,6).

называемый добротностью контура, характеризующий качество колебательной системы. Числителем здесь служит реактивное сопротивление элементов L или С на резонансной частоте, которое называют характеристическим сопротивлением контура

Если в цепи к. з. имеются элементы с различными напряжениями (при наличии силовых трансформаторов в расчетной схеме), то необходимо сопротивление элементов цепи привести к одной (базисной) величине напряжения. За базисное напряжение принимают среднее номинальное напряжение той ступени, на которой принята точка к. з. В этом случае

Определение сопротивлений цепи КЗ. Расчет для отдельных элементов осуществляется по паспортным или справочным данным, и ведут его в именованных единицах, выражая сопротивление элементов в миллиомах.

2. Сопротивление элементов автомата QF2:

Индуктивное сопротивление элементов сети при колебаниях тока нагрузки вызывает не только колебания амплитуды напряжения, но и его фазы. Для предприятий, имеющих собственные ТЭЦ, колебания амплитуды и фазы напряжения приводят к колебаниям электромагнитного момента, активной и реактивной мощностей генераторов, что отрицательно сказывается на экономичности и устойчивости работы станции в целом.

где /?и.п — сопротивление элементов импульсного прерывателя (тиристоров и индуктивности L), по которым замыкается ток 1а.

Zz = TJ, + jxz — сопротивление элементов цепи в

У разрядников серии РВС сопротивление элементов должно соответствовать данным табл. 4.2. Разрядники монтируются в колонну из отдельных элементов. Для более равномерного распределения напряжения рекомендуется монтировать разрядник из элементов одной группы. Элемент с меньшим сопротивлением должен располагаться ближе к проводу (шине), находящемуся под напряжением, а элемент с большим сопротивлением устанавливается ближе к фундаментной плите (земле).

Рассмотрим цепь, активное сопротивление элементов которой г, индуктивность L и емкость С (см. 2-12). Полное сопротивление такой цепи

Эквивалентное сопротивление элементов системы

ным питанием идет по пути уменьшения площади, занимаемой элементом. Одним из вариантов конструкции является структура с инжектором, размещенным в глубине кристалла. На 2.22 изображена структура, в которой в качестве инжектора использована /?+-подложка. На подложке р+-типа создается тонкий эпитак-сиальный n-слой. Горизонтальный п+-слой под эмиттером уменьшает сопротивление эмиттерной области, общей для нескольких транзисторов.

Для транзисторной структуры в диодном включении t/nep — это напряжение на том переходе (или на обоих переходах в схеме 5), который используется в данной схеме. Сопротивление Л5 также зависит от схемы включения: это может быть либо сопротивление базы, либо сопротивление коллектора, либо их сумма. Сопротивление эмиттерной области пренебрежимо мало из-за высокой концентрации примесей в ней.

Как уже указывалось, емкость цепи эмиттера шунтирует резистор R3 для переменной составляющей тока. Если на средних и высоких частотах полосы пропускания усилителя Хсэ=0, то с уменьшением частоты сигнала сопротивление эмиттерной емкости увеличивается. Результирующее сопротивление параллельно соединенных Яа и Са увеличивается и на нем появляется заметное падение

Малосигнальная эквивалентная схема варикапа приведена на 3.16,а. В схеме LB — элементы индуктивности выводов прибора (порядка нескольких микрогенри); конденсатор СКОрп^1,5 пФ учитывает емкость корпуса; резистор ГЦ=ГЭ-\-ГБ моделирует омическое сопротивление базы ГБ с сопротивлением омического контакта и сопротивление эмиттерной области гэ с аналогичным контактом; резисторы гдиф, Ry учитывают дифференциальное сопротивление и сопротивление утечки перехода; конденсатор Спер (CW) — эквивалент емкости перехода (барьерной емкости). На частотах до нескольких десятков мегагерц параметрами схемы LB и Скорп можно пренебречь ввиду их малости и ограничиться упрощенной схемой (на рисунке обведена штриховой линией). Сопротивление перехода при обратном напряжении на варикапе определяется сопротивлением утечки Ry. Типовое значение #у> 1 МОм.

Сопротивление эмиттерной области обычно пренебрежимо мало по сравнению с сопро-тивлением базы из-за высокой концентрации примесей.

где /?э — сопротивление эмиттерной нагрузки постоянному току, обусловливающее динамический режим работы усилительного каскада; /?„ — сопротивление внешней нагрузки.

Rie — сопротивление эмиттерной цепи для переменного тока

где Ri—сопротивление эмиттерной нагрузки для переменного тока. Однако за счет присутствия во входной цепи резисторов Яы, Кьг ( 5.59а) результирующее входное сопротивление

где Rie — сопротивление эмиттерной нагрузки, образованной параллельно соединенными Reo и входным сопротивлением транзистора Т" со стороны его эмиттера R"in; так как R"in одновременно' представляет собой выходное сопротивление каскада ОК, то его величину следует находить по выражению (4.46), в котором Ri заме-

Рассмотрим причины снижения усиления в области нижних частот в схеме усилителя без коррекции АЧХ ( 111, а). Так как с понижением частоты входного сигнала сопротивление конденсатора С2 и падение напряжения Uti на нем увеличиваются, на базу транзистора VT2 поступает все меньшее напряжение t/Bx2, что равносильно снижению усиления каскада на транзисторе VT1. Снижение усиления происходит также потому, что с понижением частоты сопротивление шунтирующего конденсатора СЗ увеличивается, а следовательно, увеличивается полное сопротивление эмиттерной цепи транзистора VT1 и падение напряжения на ней, т. е. каскад охватывается ООС тем более глубокой, чем ниже частота сигнала.

где Ri — сопротивление нижней части базы; /о — постоянная, определяемая параметрами исходного материала, контактов и геометрией структуры; % — параметр, характеризующий обратную связь, ао — проводимость базы в •отсутствие инжекции. Дифференциальное сопротивление эмиттерной цепи

где JRi — сопротивление нижней части базы длиной 1Х. Дифференциальное сопротивление эмиттерной цепи