Существенно изменилось

Однако электрические свойства идеального кристалла кремния существенно изменяются при добавлении в него примесей других химических элементов. В качестве примесей применяются обычно элементы либо из V (сурьма Sb, фосфор Р), либо из III группы (галлий Са, индий In) периодической системы.

Обеспечение устойчивости и высокого качества регулирования возможно соответствующим выбором основных элементов системы или изменением в нужном направлении их динамических свойств местными обратными связями, которые могут быть созданы в исполнительном элементе, усилителе и в регулируемом объекте. При этом весьма существенно изменяются свойства элементов, охваченных обратной связью.

При понижении температуры ниже нормальной материалы, как правило, не только не ухудшают электроизоляционные свойства, а даже имеют .тенденцию улучшать их. Однако механические свойства материалов при низких температурах существенно изменяются: материалы теряют эластичность и гибкость, становятся более хрупкими. Нередко в компаундах, резинах и подобных им материалах при охлаждении образуются трещины. • .. ,,

Условия работы электрооборудования, п частности электроизоляционных материалов, существенно изменяются в тропическом климате. По характеру воздействия на материалы и изделия тропической климат разделяется на влажный и сухой.

Однако электрические свойства идеального кристалла кремния существенно изменяются при добавлении в него примесей других химических элементов. В качестве примесей применяются обычно элементы либо из V (сурьма Sb, фосфор Р), либо из III группы (галлий Са, индий in) периодической системы.

Однако электрические свойства идеального кристалла кремния существенно изменяются при добавлении в него примесей других химических элементов. В качестве примесей применяются обычно элементы либо из V (сурьма Sb, фосфор Р), либо из III группы (галлий Ga, индий In) периодической системы.

Существенный недостаток такого усилителя, это отсутствие фазовой чувствительности. Действительно, полярность выходного сигнала зависит только от направления включения детектирующего элемента и не зависит от полярности входного сигнала. Характеристики усилителя существенно изменяются при охвате его внешней цепью глубокой ОС. R этом случае, так как полярность выходного сигнала определяется лишь включением детектирующего элемента и не зависит от полярности входного сигнала, при одной полярности входного сигнала усилитель оказывается охваченным глубокой отрицательной ОС и сигнал на его выходе равен нулю. При другой полярности входного сигнала связь оказывается положительной и в усилителе происходит скачок — выходной сигнал достигает максимума.

По мере совершенствования технологии топологические размеры, в частности длина канала, непрерывно снижаются. При этом основные характеристики и параметры транзисторов существенно изменяются, что необходимо учитывать.

Потери в обмотках Я„ (потери в меди) пропорциональны квадрату тока и существенно изменяются при изменении нагрузки двигателя. Потери на гистерезис и вихревые токи в магнитопроводе Рс (потери в стали) практически не зависят от нагрузки, так как магнитный поток асинхронного двигателя при изменении нагрузки почти не меняется. Механические потери Ямех обусловлены трением в подшипниках и о воздух вращающихся частей двигателя. Добавочные потери Рыб определяются пульсациями магнитного потока вследствие зубчатого строения магнитопровода и другими трудно учитываемыми факторами. Добавочные потери невелики и составляют при номинальной нагрузке около половины процента от подводимой мощности.

Существенно изменяются и разнообразятся алгоритмы работы ИС при наличии взаимосвязи между измеряемыми величинами или при некоторых других измерительных ситуациях. Особенности таких ситуаций будут рассматриваться в соответствующих главах.

На ранних этапах развития устройств телемеханики из большого многообразия при проектировании выбирались электронные схемы, например на транзисторах, проводились расчет и экспериментальная отработка функциональных узлов и элементов в виде триггеров, импульсных генераторов, логических элементов и т. п. Затем после макетирования выбиралась и разрабатывалась индивидуальная конструкция устройства. При переходе на микросхемы этапы проектирования существенно изменяются. При индустриальном проектировании нет необходимости рассчитывать и экспериментально отрабатывать подавляющее большинство функциональных элементов и узлов в виде логических схем, триггеров, счетчиков, диодных матриц и т. п.

В настоящее время положение существенно изменилось благодаря внедрению силовых полупроводниковых преобразователей. Они дают возможность преобразовывать частоту переменного тока, что позволяет плавно и в широких пределах регулировать угловую скорость вращающегося магнитного поля, а следовательно, экономично и плавно регулировать частоту вращения асинхронных и синхронных двигателей. Двигатель постоянного тока стоит значительно дороже, требует большего ухода и изнашивается быстрее, чем двигатель переменного тока. Тем не менее в ряде случаев предпочтение отдается двигателю постоянного тока, позволяющему простыми средствами изменять частоту вращения электропривода в широких пределах (3:1,4:1 и более).

В настоящее время положение существенно изменилось благодаря внедрению силовых полупроводниковых преобразователей. Они дают возможность преобразовывать частоту переменного тока, что позволяет плавно и в широких пределах регулировать угловую скорость вращающегося магнитного поля, а следовательно, экономично и плавно регулировать частоту вращения асинхронных и синхронных двигателей. Двигатель постоянного тока стоит значительно дороже, требует большего ухода и изнашивается быстрее, чем двигатель переменного тока. Тем не менее в ряде случаев предпочтение отдается двигателю постоянного тока, позволяющему простыми средствами изменять частоту вращения электропривода в широких пределах (3:1, 4 : 1 и более).

В настоящее время положение существенно изменилось благодаря внедрению силовых полупроводниковых преобразователей. Они дают возможность преобразовывать частоту переменного тока, что позволяет плавно и в широких пределах регулировать угловую скорость вращающегося магнитного поля, а следовательно, экономично и плавно регулировать частоту вращения асинхронных и синхронных двигателей. Двигатель постоянного тока стоит значительно дороже, требует большего ухода и изнашивается быстрее, чем двигатель переменного тока. Тем не менее в ряде случаев предпочтение отдается двигателю постоянного тока, позволяющему простыми средствами изменять частоту вращения электропривода в широких пределах (3:1,4:1 и более).

Положение с применением для защиты полупроводниковой элементной базы существенно изменилось в 60-е годы после разработки и начавшегося внедрения в разные области интегральной микроэлектроники со все возрастающей степенью интеграции, когда в одном кристалле удается «упаковывать» очень большое число микроэлементов (резисторов, конденсаторов, триодов и т.д.). Поэтому в настоящее время как у нас, так и за рубежом разработаны и начинают широко внедряться защиты, использующие микроэлектронную элемент-

ния. Большое значение при применении полупроводниковых схем придается реализации логической части, так как измерительные органы в современных исполнениях не имеют контактов, которые могли бы осуществлять логические операции. Первыми начали использоваться для защит диодные схемы сравнения. За ними появились диодно-транзи-сторные и транзисторные защиты, но они не полностью оправдали возлагавшиеся на них надежды в части потребляемых мощностей от первичных измерительных преобразователей и надежности. Положение существенно изменилось при внедрении в релестроении интегральной микроэлектроники, совершенствование которой относится к 60-м годам.

За несколько последних лет существенно изменилось «лицо» вычислительной техники. Утратил в значйтель-н. "чнщни свое значение сам термин «вычислительная маш •"горый все чаще заменяется термином «вы-

Полупроводниковые ТЭГ. Положение существенно изменилось в связи с открытием полупроводников, занимающих промежуточное положение между проводниками и изоляторами. Носителями зарядов в полупроводниках могут быть электроны (полупроводники га-типа) и «положительные дырки» (полупроводники р-типа). У собственно полупроводников имеются приблизительно в равном количестве носители зарядов двух видов.

Наряду с увеличением добычи нефти существенно изменилось ее размещение. Раньше почти вся добыча нефти была сосредоточена в районах, прилегающих к предгорьям Восточных Карпат. В настоящее время созданы нефтедобывающие районы на юго-западе (Олтения) и на юге в равнинной части страны.

Синхронные электродвигатели долгое время мало применялись в электроприводе, в частности в системе собственных нужд электростанций. Однако в последние годы положение существенно изменилось, так как они обладают рядом преимуществ по сравнению с асинхронными электродвигателями.

Положение с применением для защиты полупроводниковой элементной базы существенно изменилось в 60-е годы после разработки и начавшегося внедрения в разные области интегральной микроэлектроники со все возрастающей степенью интеграции, когда в одном кристалле удается «упаковывать» очень большое число микроэлементов (резисторов, конденсаторов, триодов и т.д.). Поэтому в настоящее время как у нас, так и за рубежом разработаны и начинают широко внедряться защиты, использующие микроэлектронную элемент-

ния. Большое значение при применении полупроводниковых схем придается реализации логической части, так как измерительные органы в современных исполнениях не имеют контактов, которые могли бы осуществлять логические операции. Первыми начали использоваться для защит диодные схемы сравнения. За ними появились диодно-транзи-сторные и транзисторные защиты, но они не полностью оправдали возлагавшиеся на них надежды в части потребляемых мощностей от первичных измерительных преобразователей и надежности. Положение существенно изменилось при внедрении в релестроении интегральной микроэлектроники, совершенствование которой относится к 60-м годам.

Однако в последние годы, главным образом благодаря работам А. Ф. Иоффе и его сотрудников, положение существенно изменилось, так как в термобатареях стали применяться полупроводники. Т.э. д. с. у полупроводников гораздо больше, чем у металлов, и может достигать для некоторых веществ 0,1 в на 100° С; это в десятки и сотни раз больше, чем т. э. д. с. у металлов. Кроме того, теплопроводность у полупроводников меньше, чем у металлов, так что бесполезный переход тепла о; горячих спаев к холодным уменьшается. Вследствие этих причин к. п. д. полупроводниковых термогенераторов оказалось возможным увеличить до 6—8% (это соответствует к. п. д. не очень хорошей паровой машины). Поэтому можно думать, что термоэлектрические генераторы тока в будущем приобретут практическое значение, по крайней ческих установок малой мощности.