Сопротивление составляет

чим выходное сопротивление (сопротивление, измеренное на выводах а и Ь) гцых = г/2 ( 1.25, в). По (1.34) искомый ток

Для нелинейных элементов наряду со статическим сопротивлением (сопротивление в данной точке характеристики Z = U/I = tg a) рассматривается и динамическое сопротивление (сопротивление, определяемое производной в данной точке Z' = dUldl = tg 3). Как следует из сравнения характеристик, представленных на 5.1, а, б,

Входное сопротивление (сопротивление короткого замыкания трансформатора):

Если принять I/O «О, сопротивление вторичной обмотки, приведенное к первичной обмотке,

Z: = ZK — <", — jxSl = 38 + / 27,7 — 20 — / 12,7 «a 18 + / 15 ом. Сопротивление нагрузки, приведенное к первичной обмотке, ZH = f»2ZH = 2* • 25 L 45' = 100 L 45° = 70,7 + / 70,7 ом.

Темповое сопротивление. Сопротивление неосвещенных фоторезисторов имеет широкий диапазон значений: Ят = 102-т-10в Ом. Наибольшее значение RT имеют сернисто-кадмиевые фоторезисторы (105_ю» Ом).

Входное сопротивление — сопротивление прибора со стороны входа. Если во время уравновешивания сопротивление меняется, то параметром считают входной ток.

чим выходное сопротивление (сопротивление, измеренное на выводах д и ft) r = г/2 ( 1.25,в). По (1.34) искомый ток

чим выходное сопротивление (сопротивление, измеренное на выводах а и Ь) г = г/2 ( 1.25, в). По (1.34) искомый ток

Проверка переключающих устройств типа РНТ производится снятием круговой диаграммы работы устройства. Состояние контактов избирателя, предызбирателя и контактора осуществляется при ревизии силового трансформатора, когда к переключающему устройству имеется свободный доступ. От ручного привода поворачивают вал, наблюдают за работой контактов избирателя во всех положениях и проверяют переходное электрическое сопротивление контактов, регулировку контактных пружин.

Измерение сопротивления постоянному току производится методом падения напряжения или при помощи мостов, непосредственно измеряющих электрическое сопротивление. Сопротивление измеряется в той среде, в которой они нормально работают. Ток в электрической цепи при этом не должен превышать '/з номинального значения тока контактов.

Отношение Llw часто называют числом квадратов, укладывающихся в длине резистора, а удельное поверхностное сопротивление — сопротивлением квадрата. Для полупроводниковых резисторов, создаваемых базовой диффузией, это сопротивление составляет 60...250 Ом/П, эмиттерной — 2...5 Ом/П.

125 Ом/П при глубине залегания р-л-перехода 1,9 мкм. Для образования эмиттерных областей проводится диффузия фосфора. Глубина залегания перехода эмиттер—база 0,9 мкм, удельное поверхностное сопротивление составляет 4,5 Ом/П.

величина которого практически постоянна. Резистор R2 подает отрицательное напряжение на анод диода Д3 через микроамперметр \иА и диод Д4, чтобы уменьшить до нуля начальный ток этого диода. Шкал» микроамперметра градуируется в герцах или килогерцах. Переход, с одного предела измерений на другой осуществляется изменением емкости конденсатора С и сопротивления шунтирующего резистора R,n, подключаемого к микроамперметру, т. е. изменением числителя и знаменателя в формуле (13.3). Погрешность измерителей частоты типа: 43-7 не превышает ±1,5% на частотах до 200 кгг{ и ±2% на частотах до 500 кгц. Входное сопротивление составляет не менее 500 ком.

Ограниченно-разъемное контактное соединение может осуществляться прижимом контактируемых поверхностей с помощью жесткого (земляная клемма на несущей конструкции), упругого металлического ( 2.20) или эластичного полимерного контакта ( 2.21). Эластичный контакт может быть получен путем нанесения на силиконовую резину или покрывающую ее по-лиимидную пленку проводящих линий ( 2.21, г, д), а также с помощью эластомера с наполнителем из мелкодисперсного серебра, меди, никеля, графита ( 2.21, з). При использовании позолоченных проводящих линий переходное сопротивление составляет около 0,003 Ом. В зависимости от количества наполнителя

Устройство выборки-хранения может быть выполнено в виде конденсатора С, который с помощью ключа подключается на некоторое, обычно весьма малое время к источнику сигнала ?/вх (t) и заряжается до значения напряжения сигнала в этот момент времени. После этого производится подключение конденсатора С ко входу операционного усилителя А ( 122, а). Операционный усилитель включен по схеме повторителя с коэффициентом передачи К — 1 и имеет очень высокое входное сопротивление: /?вх = = 108ч-1010 Ом. Вследствие этого напряжение сигнала на конденсаторе в режиме хранения практически постоянно и изменяется с весьма малой скоростью, определяемой в основном током утечки самого конденсатора (выполняемого обычно на основе высококачественных диэлектриков — полиэтилена, фторопласта) и в лучших схемах не превышает единиц милливольт в I с, В быстродействующих схемах в качестве ключа используют биполярные или полевые МОП-транзисторы ( 122, б), работающие в режиме обогащения. При отсутствии сигнала управления МОП-транзистор имеет очень высокое сопротивление, достигающее 1013 Ом, и конденсатор оказывается отключенным от источника сигнала. При подаче на затвор импульса управления транзистор полностью открывается (при этом сопротивление составляет несколько десятков — сотен Ом) и конденсатор подключается к источнику сигнала на заданное время, запоминая тем самым значение сигнала в момент отсчета,

5) малое потребление энергии из цепи, где происходит измерение. Это достигается высоким входным сопротивлением электронной измерительной аппаратуры (для электронных мик-ровольтметров постоянного тока входное сопротивление составляет от 10 до 300 МОм);

электрода. В зависимости от химического состава и толщины стеклянного электрода его сопротивление составляет от 0,5 до 200 Мом. Кроме того, сопротивление стеклянного электрода сильно зависит от температуры ( 7-28) [Л. 38]. При уменьшении температуры сопротивление электрода резко возрастает, что практически препятствует использованию стеклянных электродов при температуре ниже 1—2° С.

ное объемное сопротивление составляет 1013—1014 Ом-м при 20° С, 1012 Ом-м при 150° С, tg 8 при 50 Гц равен 0,0007—0,009. Детали из поликарбоната прозрачны и при воздействии электрической дуги не склонны к образованию проводящих мостиков, что очень важно для деталей низко-вольтной выключающей аппаратуры. Изделия отличаются высокой стабильностью свойств и размеров при нагревании.

В высокостабильных стабилизаторах выходное сопротивление составляет доли Ома.

В ключе с общим эмиттером передаточное сопротивление составляет всего единицы ом, поэтому на практике /(огр » 0 и при насыщении. Несколько большую величину имеет передаточное сопротивление в ключе с общей базой (гбп>гэп), но эта схема на практике редко применяется.

заметить, что фаза выходного напряжения при изменении полярности входного напряжения изменяется на 180°. При использовании кремниевых диодов схема может работать с дрейфом, не превышающим 1 мкВ7мин. Поскольку вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов практически не начинаются е нуля, диодные модуляторы начинают работать при сравнительно больших входных напряжениях (порядка 10 мВ), т. е. чувствительность таких модуляторов невелика. Более высокую чувствительность (до 1 мВ) имеют транзисторные модуляторы. Принцип работы транзисторного модулятора поясняет 15.7. К выводам база — эмиттер транзистора подается переменное напряжение Uon. Динамическое сопротивление эмиттер — коллектор включено в цепь входного сигнала. В один из полу периодов переменного напряжения транзистор оказывается запертым и его внутреннее динамическое сопротивление составляет десятки мегом. При этом цепь входного сигнала можно считать разомкнутой и напряжение ?/Вых практически равно нулю. В следующий-полупериод, когда к выводам база — эмиттер приложено прямое напряжение, внутреннее динамическое сопротивление транзистора резко падает, достигая нескольких ом; в этом случае напряжение UBb!K почти равно напряжению UBli. Следовательно, транзистор работает в режиме ключа.