Свободного пространства

где T'd и Tj' - постоянные времени изменения свободного переходного

Выясним связь коэффициента затухания с качеством протекания свободного переходного процесса. Для этого рассмотрим свободный переходный процесс после малого возмущения. Свободный переходный процесс находится как

Показатели затухания можно определить экспериментально по записям осциллограмм свободного переходного процесса. На 8.9, а приведены зависимости о от отношений амплитуд колебаний, измеренных за половину периода AI/AQ и за полный период А2/А0.

—начальные значения соответственно свободного переходного и сверхпереходного токов в той же цепи.

-- i'dcB/o/—начальные значения соответственно свободного переходного и сверхпереходного токов в той же цепи.

Так, при отсутствии демпферных обмоток постоянную времени затухания свободного переходного тока прямой последовательности любого (п) вида короткого замыкания при чисто индуктивной цепи статора можно определять по выражению (9-18), записанному в общем виде:

Далее, согласно (14-44) и (14-45) постоянные времени затухания свободного переходного тока при разных видах короткого замыкания (конечно, в одной и той же точке) связаны неравенствами:

Постоянные времени затухания свободного переходного тока по (14-44):

соответствующими расчетными значениями э. д. с. и реактивности. Естественно возникает вопрос: можно ли применить другие практические методы расчета переходного процесса (в частности, метод расчетных кривых) и возможно ли вообще в таких условиях найти, например, постоянную времени затухания свободного переходного тока?

Что касается определения периодической слагающей тока синхронной частоты, то Н. Н. Щедрин [Л. 12] впервые обосновал и показал, что при отсутствии условий самовозбуждения эта слагающая тока подчиняется тем же закономерностям, что и в чисто индуктивной цепи с соответственно уменьшенной (за счет введенной в цепь емкости) внешней индуктивностью. Другими словами, установку продольной компенсации можно учитывать, вводя в схему соответствующую отрицательную реактивность. Так, согласно (9-18) постоянная времени затухания свободного переходного тока синхронной частоты для машины без демпферных обмоток будет:

На том же рисунке представлена кривая относительного изменения постоянной времени затухания свободного переходного тока синхронной частоты в зависимости от степени компенсации. Как видно, при ^=0,5 это снижение составляет примерно 25%.

Заливка — это процесс заполнения лаками, смолами или компаундами свободного пространства между изделием и специальной съемной формой. Он проводится в вакууме (остаточное давление 4.. .6,5 кПа) при атмосферном или повышенном давлении. Выбор метода заливки определяется конструкцией изделия и технологическими свойствами заливочной массы. Технологический процесс включает фиксацию изделий в подготовительной форме, заливку дозирующим устройством обезгаженной однородной смеси и ее отверждение при комнатной или. повышенной температуре, которое длится от нескольких часов до одних суток. Для улучше-

Эффективное распределение ресурса памяти между программами не может быть статическим, т. е. не может производиться предварительно до пуска программы. В процессе обработки программ потребности в ресурсе памяти отдельных программ изменяются, что заранее не может быть учтено. Необходимо распределять память между программами динамически непосредственно в ходе вычислительного процесса, т. е. осуществлять динамическое распределение памяти. При этом должна обеспечиваться возможность независимой работы программистов над своими программами, подлежащими мультипрограммной обработке. Динамическое распределение памяти не должно приводить к дроблению ее свободного пространства — фрагментации памяти, затрудняющему ее использование. Это достигается организацией одноуровневой виртуальной памяти, допускающей адресацию на все адресное пространство. Размер его определяется количеством разрядов, которые могут быть использованы для представления адреса.

• не менее 4 MB свободного пространства на жёстком диске;

.'де Z—атомное число; е — заряд электрона; т —масса электрона; h — постоянная Планка; п — главное квантовое число орбиты; ео — диэлектрическая проницаемость свободного пространства.

Диэлектрическая проницаемость свободного пространства ео= =8,86-Ю-12 Ф/м.

Магнитная проницаемость свободного пространства ца= =4я-10-7 Гн/м=1,257-10-6 Гн/м.

Уравнение (3.13) называют основным уравнением радиолокации для свободного пространства [21]. При известном пороговом сигнале РСтт, который определяется выражениями (3.4) и (3.5), основное уравнение позволяет определить максимальную дальность действия радиолокатора Ртах- Уравнение (3.13) связывает дальность действия РЛС с основными техническими характеристиками станции.

Уравнение (3.20) называют обобщенным уравнением радиолокации. Уравнение (3.13) называют основным уравнением РЛС для свободного пространства и в отличие от (3.20) оно составлено без учета потерь сигнала в реальной системе.

Непременным условием эффективного излучения энергии антенной является наличие достаточного объема свободного пространства, в котором линии магнитного поля связаны с линиями электрического поля. Излучающая способность устройств, где этот объем мал (например, плоских конденсаторов), невелика.

В СИ, в отличие от СГС, магнитная проницаемость ц свободного пространства является величиной размерной и называется магнитной постоянной: ц,0 = 4л • 10~7ям 12,57~~7 Гн/м; аналогично электрическая

В СИ, в отличие от СГС, магнитная проницаемость ц свободного пространства является величиной размерной и называется магнитной постоянной: ц„ = 4л • 10~7ж 12,57~7 Гн/м; аналогично электрическая