Свободной составляющей

Вдоль плоской свободной поверхности пьезоэлект-рика могут распространяться поверхностные волны двух типов: ПАВ Рэлея (Рэлей, 1885 г.), имеющие две компоненты механического смещения, одну продольную, другую поперечную и при определенных условиях — чисто сдвиговые (поперечные) ПАВ (Гуляев, Блюстейн, 1968 г.), вектор смещения которых параллелен поверхности и перпендикулярен волновому вектору.

С помощью основного уравнения гидростатики можно определить давление Р в любой точке М, расположенной в жидкости на глубине А от свободной поверхности жидкости ( 29) :

Если взять любую другую точку на глубине h\, то в ней P = Po-\-pghi. Таким образом, давление, приложенное к свободной поверхности, передается во все точки жидкости без изменения (закон Паскаля).

При течении жидкости в трубе переменого сечения с учетом ее несжимаемости объемные расходы должны быть равны между собой в любом сечении потока (например, для сечений ом и 012) в каждый момент времени (Q = const). Так как для coi сечения Q, = Viu>i, а для и2 сечения Q2= V2a>2, то ПРИ условии Q,==Q2 получаем Vicoi = = V2a)2, называемое уравнением неразрывности. При известном расходе по этому уравнению можно вычислять скорости потока жидкости в трубе с переменным живым сечением либо выбирать требуемое сечение трубопроводов по заданным расходу и скоростям. Уравнение неразрывности хорошо иллюстрируется увеличением скорости течения рек в местах их сужения. Движение жидкости в реке или канале, характеризующиеся наличием свободной поверхности, называется безнапорным, тогда как ее перемещение в сплошь заполненной трубе является напорным.

При движении потока без свободной поверхности, например воды в заполненной трубе, называемом напорным, размер / принимают равным внутреннему диаметру круглой трубы. Ламинарный режим устойчив в том случае, когда VD/v<956. При Re>956 течение потока будет турбулентным.

В БИС на биполярных транзисторах используются сверхбыстродействующие логические элементы в виде одно-или двухступенчатых токовых ключей (ЭСЛ, МЭСЛ, ЭФЛ), логические элементы среднего и высокого быстродействия (ТТЛ, ТТЛШ, И2Л, И3Л) [2, 4, 5]. Для повышения плотности компоновки элементов на кристалле широко используются различные виды изоштанарной технологии, КИД-технология [1,3] и ее модифицированный вариант ( 2.5) с комбинированной изоляцией полупроводниковых областей и «пристеночными» эмиттерами. Интересной особенностью КИД-структур является использование высоколегированной свободной поверхности кристалла (материал п+-типа) в качестве шины источника питания + ?/„п-

изменении уровня рассматриваемой точки линии тока давление в движущейся струе не изменяется *. Иными словами, работа против сил гравитации не производится Это объясняется тем, что при постоянной плотности жидкости сила тяжести элемента жидкости на любой глубине уровновешивается подъемной силой, приложенной к этому же элементу со стороны окружающей жидкости. Однако последнее утверждение справедливо лишь до тех пор, пока наблюдаемая частица жидкости со всех сторон окружена другими частицами этой же жидкости. В других случаях, например на свободной поверхности воды, находящейся под атмосферным давлением, или на границе слияния двух жидкостей, сила гравитации ни в коем случае не может быть исключена из рассмотрения.

* Для варианта горизонтальной кристаллизации F+ const и поэтому процесс-проводят с равномерным уменьшением скорости кристаллизации рабочего расплава, пропорциональным величине его свободной поверхности Fo(l—g), где F0 — площадь начальной поверхности расплава. •• При Сп =0.

Решение. По уравнению (3) из табл. 6 площадь свободной поверхности расплава составляет

Для ПЭС построение статических характеристик возможно только для бассейна. Для свободной поверхности моря существует только одна независимая характеристика— мареограмма (см. 1.13), т. е. изменение уровня моря во времени при различных фазах луны.

Из курса гидравлики известно, что скорость движения волны возрастает с увеличением ее высоты. Поэтому следует ожидать, что максимальная скорость волны будет на ее гребне, т. е. в наивысшей точке профиля волны над дном водотока. В результате этого будет наблюдаться так называемое перекашивание волны, при котором лобовая (фронтальная) ее часть будет укорачиваться и приобретать больший уклон свободной поверхности по сравнению с тыльной. Но так как при возрастании уклона скорость течения будет также увеличиваться, то последняя будет выше на лобовой части, чем на тыльной, следовательно, будет наблюдаться увеличение длины волны и понижение ее высоты по мере удаления ее от начального створа ( 9.1). Это в свою очередь повлечет за собой уменьшение переносимого волной расхода. Описанное явление носит название распластывания, или затухания волны.

Так как в цепи разрядки емкостного элемента нет источника ЭДС, то дифференциальное уравнение (5.24) однородное и его общее решение состоит только из свободной составляющей (5.20) :

Общее решение однородного дифференциального уравнения второго порядка (5.28) состоит только из свободной составляющей:

Таким образом, во время переходного процесса ток в цепи состоит из синусоидальной составляющей и свободной составляющей, убывающей экспоненциально ( 5.11, б). Практически через интервал времени Зт после замыкания ключа свободной составляющей можно пренебречь.

Для определения свободной составляющей напряжения на емкостном элементе иСса однородное уравнение (8.4) перепишем в виде

Выражение для свободной составляющей напряжения иСс„ определяется решением однородного дифференциального уравнения

ная составляющая напряжения на конденсаторе испр = 0, и напряжение ис равно свободной составляющей, определяемой из уравнения

Для свободной составляющей тока справедливо уравнение

Это означает, что ток в переходный период равен свободной составляющей, а принужденная составляющая равна нулю, так как в цепи после коммутации источников питания нет.

Уравнение для свободной составляющей тока

Из анализа этих зависимостей видно, что начальное значение свободной составляющей тока зависит от момента включения, т.е. от начальной фазы язе э.д.с. источника. Если гзе— <р= 0, то согласно (8.45) /,.„ = 0, следовательно, коммутация не повлечет за собой переходного процесса. Сразу же после включения установится принужденный ток

Начальное значение свободной составляющей тока будет максимальным при ф, = =^е — <р = 90°. При этом 'св(О) = 1т- Если постоянная времени т = Иг значительно больше периода приложенного напряжения, то свободная составляющая за половину периода принужденной составляющей тока не успевает существенно уменьшиться. Поэ-