Свойствами полупроводника

Входной контроль направлен на совершенствование ТП и улучшение качества герметизации. Контролируются технологические и физико-механические свойства используемых материалов, качество деталей, применяемых для защиты от окружающей среды, и функционирование герметизируемых изделий. Наиболее важными технологическими свойствами материалов являются вязкость, текучесть, легкость извлечения изделий из формы, усадка, прочность сцепления с выводами, жизнеспособность, степень эк-зотермичности и др.

ших воздушных зазорах ход кривой намагничивания определяется в основном не магнитными свойствами материалов, а конструкцией цепи.

В книге описаны свойства, методы получения и области применения новых материалов электронной техники: полупроводниковых, магнитных, диэлектрических и лазерных. Показана связь между составом, структурой, физическими и химическими свойствами материалов, технологией их производства и параметрами изготовляемых приборов.

в процентах, вызванное изменением параметра на один процент. В результате проведенного исследования получена система уравнений, которая при любом изменении исходных данных позволяет наметить комплекс мероприятий для максимального отрицательного приращения обобщенной стоимости двигателя. В частности, могут быть рассчитаны лимитные цены на новые материалы, т. е. такие цены, которые в сочетании с новыми свойствами материалов дают нулевое приращение целевой функции — обобщенной стоимости двигателя.

Электрическое сопротивление (большее или меньшее) имеют все элементы электрических цепей (провода и кабели, обмотки электрических машин, аппаратов, приборов и т. д.). В этих случаях сопротивление не создается преднамеренно, а обусловлено свойствами материалов.

Существует два основных способа управления свойствами материалов:

Аналогично можно расчленить на компоненты ненадежности любое изделие. Компоненты ненадежности, являясь продуктами определенного частичного технологического цикла, представляют своего рода технологические модули, переносимые из разработки в разработку и сравнительно медленно эволюционирующие в ходе технического развития. Изучение и моделирование кинетики процессов, происходящих в выделенных компонентах ненадежности, позволяет установить причинную связь между геометрией компонентов,-свойствами материалов, эксплуатационными факторами и временем наработки изделия до отказа. В свою очередь, в компоненте! могут действовать несколько механизмов отказа.

в процентах, вызванное изменением параметра на "один процент. В результате проведенного исследования получена система уравнений, которая при любом изменении исходных данных позволяет наметить комплекс мероприятий для максимального отрицательного приращения .обобщенной стоимости двигателя. В частности, могут быть рассчитаны лимитные цены на новые материалы, т. е. та.кие цены, которые в сочетании с новыми свойствами материалов дают нулевое приращение целевой функции — обобщенной стоимости двигателя.

та.х, весьма разнообразны и сложны. Они определяются как конструкцией контактов, свойствами материалов проводников, так и условиями, существующими во внешней среде и в электрической цепи при замкнутом положении контактов, при их разомкнутом положении и в процессах включения и отключения [20].

(окисляемость, способность к образованию сульфидов); механические (плотность, прочность при растяжении, прочность при смятии или твердость); молекулярные (упругость паров, летучесть оксидов, растворимость газов); атомные (потенциал ионизации); электротехнические (стойкость к механическому износу, мостико-вон, дуговой эрозиям, свариваемость, контактное сопротивление). Электротехнические показатели определяются перечисленными выше физическими свойствами материалов, их структурой, конструктивным исполнением контакт-детален и всего контактного узла, свойствами дугогасителыюй или нскрогасительпой системы, окружающей средой и, наконец, режимом работы контактов.

Поскольку магнитные свойства материалов для магнито-проводов имеют значительный разброс, в программе ПР предусмотрена возможность моделирования разных кривых намагничивания (на постоянном и на переменном токе). С этой целью в набор данных со свойствами материалов по условной метке записывается табличная зависимость B = f(H), и она может быть использована в ПР. Важно, чтобы метка, играющая роль ключа для считывания данных из набора, записывалась абсолютно одинаково при создании набора и при указании ее в составе исходных данных для ПР.

Гидрогенизация аморфного кремния, как уже указывалось, позволила эффективно управлять его электрофизическими свойствами путем легирования. Между тем многие свойства полупроводника определяются шириной его запрещенной зоны, которая при легировании не изменяется (или изменяется незначительно). В целях расширения возможностей управления оптическими, фотоэлектрическими и электрическими свойствами полупроводника при изготовлении различных приборов наряду с гидрогенизированным аморфным кремнием применяют его сплавы с германием a-Si.r Ge,^: Н, углеро-

Эффект Холла, на основе которого работают датчики, связан со свойствами полупроводника, помещенного в магнитное поле. Если через проводник, имеющий проводимость n-типа, пропустить ток, то при воздействии поперечного магнитного поля Я ( 10.1) носители заряда — электроны смещаются к боковой грани пластинки полупроводника. При этом на электроны действует сила Лорен-иа /L = g v H, где и — средняя скорость носителя заряда; Я — напряженность магнитного поля.

Полупроводниковые приборы основаны на эффектах, обусловленных переносом заряда в твердом теле и предназначены для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Параметры полупроводниковых приборов определяются как геометрическими размерами, так и свойствами полупроводника, из которого изготовлен прибор.

где А — коэффициент, зависящий от удельного сопротивления полупроводника и размеров рабочего тела; В — коэффициент температурной чувствительности, определяемый свойствами полупроводника; Т — температура, К.

Особенности механизма дифференциального травления прежде всего определяются наличием химических ограничений, когда суммарная скорость процесса травления зависит в основном от скорости протекания поверхностных химических реакций, энергетический барьер которых связан со свойствами полупроводника в поверхностном слое. Наличие любого дефекта в поверхностном слое приводит к понижению барьера реакции и тем самым к увеличению ее скорости. Дефект (например, выход дислокации) будет «растравливаться». Скорость же травления вследствие зависимости от кристаллографического направления — анизотропная величина, и это обусловливает характерную форму ямок травления на каждой кристаллографической плоскости. Вид ямок травления на основных плоскостях Ge с низкими индексами после обработки в дифференциальном травителе показан на 2.7.

где YP — коэффициент рекомбинации, определяемый свойствами полупроводника; я, — концентрация свободных электронов; pi — концентрация свободных электронов; pt — концентрация дырок в собственном (беспримесном) полупроводнике.

где у — коэффициент пропорциональности, значение которого определяется свойствами полупроводника, он не равен коэффициенту А из (2.1) и в (2.2) и (2.3) имеет размерность скорости.

тде /нас — ток насыщения, определяемый свойствами полупроводника и концентрацией носителей в нем.

перехода стремится к постоянной величине — Is, называемой током насыщения. Как следует из (1.108), ток Is определяется электрофизическими свойствами полупроводника, на основе которого изготовлен р-п переход.

Скорость генерации носителей Уген (как и скорость рекомбинации Урек) определяется свойствами полупроводника и его температурой. Скорость реком-•бинации, кроме того, пропорциональна концентрации электронов и дырок, так как чем больше количество носителей, тем вероятнее, что их встреча завершится рекомбинацией. Учитывая, что в установившемся режиме должно существовать динамическое равновесие (скорость генерации Vrea должна быть равной скорости рекомбинации V к), получим

где ур — коэффициент рекомбинации, определяемый свойствами полупроводника: nt — концентрация свободных электронов; pi — концентрация свободных электронов; р{ — концентрация дырок в собственном (беспримесном) полупроводнике.

Параметр Z связан с фундаментальными свойствами полупроводника, такими, как: а) приведенный уровень Ферми д* = q /КГ (где k - постоянная Больцмана), которым можно управлять, изменяя кон-