Свойствами материала

в цепи с емкостями можно объяснить упругими свойствами диэлектрика конденсатора — стремлением связанных зарядов диэлектрика

У однослойных индуктивных катушек, выполненных из провода без изоляции, стабильность собственной емкости и добротности при воздействии влаги определяется свойствами диэлектрика каркаса, у многослойных катушек, кроме того, — свойствами изоляции провода и пропиточных материалов. Защиту катушек от влаги можно осуществлять пропиткой лаками, заливкой компаундами или помещением их в герметично запаянный футляр, как это показано на 7.13, а.

Из жидких веществ свойствами диэлектрика обладают химически чистая вода, многие органические вещества, естественные и искусственные масла (трансформаторное масло, совол и т. д.). Жидкие диэлектрики также имеют изотропные свойства. Высокие изоляционные качества этих веществ зависят от чистоты. Например, изоляционные свойства трансформаторного масла при поглощении из воздуха влаги .снижаются.

где А — радиационная постоянная, которая определяется свойствами диэлектрика, См-м"1; Л — показатель, изменяющийся для различных диэлектриков от 0,5 до 1,0.

Для изготовления дрейфовых транзисторов используется также пленарная технология. Устройство пленарного транзистора показано на 12-1, б. В Планерной технологии,4 широко применяемой при производстве интегральных схем, области базы и эмиттера в исходной пластине создают методом локальной диффузии. Исходная пластина re-кремния предварительно окисляется; на ее поверхности формируется тонкая пленка двуокиси кремния Si02, обладающая свойствами диэлектрика и стойкая к воздействиям окружающей среды и многих химических веществ.

Для изготовления дрейфовых транзисторов используется также пленарная технология. Устройство пленарного транзистора показано на 12-1, б. В Планерной технологии,4 широко применяемой при производстве интегральных схем, области базы и эмиттера в исходной пластине создают методом локальной диффузии. Исходная пластина re-кремния предварительно окисляется; на ее поверхности формируется тонкая пленка двуокиси кремния Si02, обладающая свойствами диэлектрика и стойкая к воздействиям окружающей среды и многих химических веществ.

Свойства диэлектрической прокладки определяют параметры конденсатора. Структура конструкции конденсатора постоянной емкости определяется физическими свойствами диэлектрика и материала обкладок, а также способом их использования.

Сопротивление изоляции .конденсатора определяется свойствами диэлектрика и конструкционными особенностями конденсатора. Качество изоляции, конденсатора характеризуется постоянной времени, которая определяется приведенным сопротивлением изоляции, выражающимся произведением величины сопротивления изоляции в мегомах на емкость в микрофарадах (МОм-мФ). Размерность этой величины — секунда.

По Максвеллу, все среды обладают свойствами диэлектрика и проводника и их разделение в технике обусловлено лишь областью применяемых частот.

В слабых полях большинство материалов обычно подчиняется закону Ома и имеет удельную проводимость, не зависящую от толщины образца и природы электродов, т. е. определяемую объемными свойствами диэлектрика. Наиболее вероятные механизмы проводимости в большинстве диэлектрических пленок, которые находятся в аморфном состоянии, при температурах , близких к 20 °С — электронно-примесная и ионная.

Ротор гистерезисного микродвигателя ( 11.18) состоит из массивного кольца /, изготовленного из магнитно-твердого материала и алюминиевой или стальной втулки 2. При пуске вращающий момент микродвигателя обусловлен как явлением гистерезиса при перемагни-чивании ферромагнитного материала ротора, так и асинхронным моментом. Возникновение гистерезисного момента микродвигателя можно пояснить с помощью его модели, приведенной на 11.19, где вращающееся магнитное поле статора условно заменено кольцевым вращающимся магнитом 2. Ротор двигателя при нама! ничивании кольца 1 представляет собой постоянный магнит, в котором ось намагничивания из-за явления гистерезиса отстает от оси вращающеюся магнитного поля статора. Отставание характеризуется углом гистерезисного сдвига Эг и обусловливает возникновение тангенциальных ги-стерезисных сил Fr, а следовательно, и гистерезисного момента Мг. Так как значение угла Ог связано только со свойствами материала ротора, то Мг является постоянным по значению для конкретного двигателя и тем больше, чем шире петля г истерезиса ма! нитно-твердо! о материала рогора.

Важнейшими свойствами материала сердечников для импульсных трансформаторов явд-як>тся значения импульсной проницаемости д,п в зависимости от .длительности импульса1 и перепад индукции, имеющий место в течение действия импульса. . ••;,,,,•

Так как о определяется свойствами материала контактов и является постоянным, то очевидно, что реальная площадь контактирующих поверхностей независимо от поверхности контакта определяется силой прижима контактов. Характер зависимости сопротивления контакта от значения контактного давления ( 10.13, б) показывает, что увеличение контактного давления целесообразно только до некоторого предела FK = FK raln, при котором сопротивление уже достаточно

Поскольку величина гистерезисного сдвига аг для данной машины определяется только магнитными свойствами материала активной части ротора и тем больше, чем шире гистерезисная петля, величина тангенциальных сил и создаваемый ими момент вращения постоянны и не зависят от частоты вращения. Механическая характеристика гистерезисного двигателя приведена на 11.15.

Наличие локализованных состояний в запрещенной зоне и их распределение по энергиям существенно влияют на электрофизические, оптические и другие свойства некристаллических полупроводников. В свою очередь, количество, а также распределение локализованных состояний по энергиям определяются взаимным расположением атомов, или атомной (молекулярной) структурой материала. Отсутствие дальнего порядка в расположении атомов некристаллических полупроводников приводит к тому, что при одном и том же химическом составе материала его структура (взаимное расположение атомов), а следовательно, и свойства могут быть различными. Эта особенность некристаллических полупроводников, с одной стороны, позволяет управлять при неизменном химическом составе свойствами материала, изменением его структуры в процессе изготовления образцов, а с другой стороны, делает необходимым при производстве приборов на основе некристаллических полупроводников контролировать не только химический состав, но и атомную структуру исходного материала.

• Температура ограничивается физическими, химическими и электрическими свойствами материала.

где tg б, tg бд, tg боб — тангенс угла диэлектрических потерь в конденсаторе, диэлектрике, обкладках и выводах соответственно. Потери в диэлектрике обусловлены свойствами материала диэлектрика на определенной частоте f и определяются суммой миграционных и дипольно-релаксационных потерь:

В магнитных полупроводниках при температурах, меньших температуры магнитного упорядочения в (точки Кюри), появля-естя как бы дополнительная по сравнению с обычными немагнитными полупроводниками степень свободы — магнитный порядок. Между магнитным порядком и полупроводниковыми свойствами материала (электрическими, оптическими) имеются взаимосвязь и взаимовлияние, которые и вызывают разнообразные, свойственные исключительно этим материалам, эффекты. Например, вследствие зависимости зонной структуры от величины магнитного момента при понижении температуры до значений, меньших в, в магнитных полупроводниках наблюдается аномально сильный сдвиг края полосы поглощения. При этом ширина запрещенной зоны может как уменьшаться, так и увеличиваться. Магнетосо-противление в магнитных полупроводниках существенно больше, чем в обычных, и максимально вблизи точки Кюри. Возникает оно прежде всего из-за воздействия внешнего поля на намагниченность, а не непосредственно на носитель заряда, как в обычных полупроводниках. Эти эффекты обусловлены влиянием намагниченности на оптические и электрические свойства вещества. Существуют эффекты и обратного порядка. Имеются сообщения

Качество защиты поверхности слоем лака или компаунда в каждом конкретном случае определяется свойствами материала покрытия и условиями эксплуатации прибора. Поэтому выбор состава лака или компаунда производят в соответствии с эксплуатационными требованиями для данного типа прибора. Технологические свойства покрытий могут быть в значительной мере улучшены путем введения различных органических и неорганических добавок — наполнителей, пластификаторов и др.

ет от оси вращающегося магнитного поля статора на некоторый угол 6 г гистерезисного сдвига, вследствие чего возникают тангенциальные составляющие fT сил взаимодействия между полюсами ротора и потоком статора ( 10.8, а). Поскольку для данной машины угол бг определяется только свойствами материала ротора, танген-

Намагничивающая сила якорной обмотки намагничивает цилиндр ротора, в результате чего при синхронном вращении он становится постоянным магнитом. Во время пуска и при асинхронном ходе поток, создаваемый якорной обмоткой, вращается относительно ротора и перемагничивает его активный цилиндр. Если бы ротор был выполнен из магнитомягкого материала, то вектор, определяющий направление потока в цилиндре ротора, точно совпадал бы с вектором вращающегося потока статора ( XII.41, а). Вследствие сильно выраженного гистерезиса имеет место сдвиг векторов на угол Эг. При этом поле~в воздушном зазоре искажается ( XII.41, б). Угол Ог отставания потока в роторе не^зависит от частоты перемагничивания, он спределяется лишь магнитными свойствами материала цилиндра. Поэтому создающийся в двигателе гистерезисный электромагнитный момент Мт не зависит от скорости вращения двигателя (линия 2, X 11.42).