Светящейся поверхности

ция — законченная часть технологического процесса, выполняемая на одном рабочем месте, например сверление отверстий в детали, штамповка пластин магнитопровода, намотка, нанесение покрытия. Операции делятся на установи, позиции и переходы.

оформления приборов (крышки, кронштейны и т. п.). Следует отметить, что и в этом случае после литья обычно необходима обработка отливки механическими или электрофизическими методами: обработка точных поверхностей, сверление отверстий малых диаметров, нарезание резьбы, фрезерование узких прорезей и пазов? и т. п.

относятся резка заготовок оснований, резка прокладок, фрезерование контура плат и окон в них, сверление отверстий и т. п.

В случае применения комбинированного позитивного метода вначале выполняются сверление отверстий и металлизация, а затем травление меди с пробельных мест [56].

Схема технологического процесса изготовления МПП методом металлизации сквозных отверстий на травящемся диэлектрике с получением рисунка схемы наружных слоев методом сеткографии приведена на 3.35. Основными этапами процессы являются: а-— изготовление заготовок фольгированного диэлектрика и стеклоткани и выполнение базовых отверстий. При нарезке заготовок необходимо предусмотреть технологический припуск на размещение контрольных элементов; б — подготовка поверхности заготовок химическим способом и нанесение рисунка монтажа внутренних слоев МПП; в — травление меди с пробельных мест и удаление защитного слоя рисунка (раздубли-вание); г — прессование МПП; д — сверление отверстий; е —• подтравливание диэлектрика в отверстиях; ж — предварительное меднение (затяжка) гальваническим методом; з — получение рисунка монтажа наружных слоев МПП методом сеткографии (сет-кографический станок должен обеспечивать совмещения рисунка с погрешностью не более ±0,05 мм); и — гальваническое меднение и нанесение защитного металлического покрытия; к — удаление защитного слоя краски, травление меди с пробельных мест.

Лучше всего поддаются ультразвуковой размерной обработке материалы, обладающие большой ударной хрупкостью: стекло, керамика, кварц, сверхтвердые сплавы; например с успехом осуществляется сверление отверстий в рубинах для миниатюрных подшипников в фильерах из сверхтвердых сплавов. Часто этот процесс может заменить дорогую и трудоемкую механическую обработку алмазными инструментами.

-»• -*• Сверление отверстий Изготовление оригиналов

а — изготовление заготовки, б — высадка канавки, в — высадка фланца, г — обрубка фланца, д — сверление отверстий, е — изготовление отверстия под коллекторный вывод, ж — чистовая обработка двух поверхностей фланца, з — развертывание отверстия, « — цековка и окончательное развертывание отверстий

а— изготовление заготовок фольгированного диэлектрика / и стеклоткани 2; б—получение рисунка схемы внутренних слоев МПП; в — травление меди с пробельных мест; удаление защитного слоя рисунка (раздубливание); г — выполнение межслойных соединений между внутренними и наружными слоями; д — прессование МПП; е — получение рисунка схемы наружных слоев, нанесение лака, сверление отверстий, химическое меднение отверстий, удаление лака; м — гальваническое меднение, нанесение защитного металлического покрытия; з — удаление резиста (раздубливание), травление меди с пробельных мест, осветление защитного металлического покрытия, механическая обработка МПП, технологическая защита

Метод металлизации сквозных отверстий (МСО) объединяет изготовление отдельных слоев (химическое травление фольги с пробельных участков), их прессование, сверление отверстий с последующей металлизацией ( 94).

а — изготовление заготовок фольгированного диэлектрика /, и стеклоткани 2; б — получение рисунка схемы внутренних слоев МПП; в — травление меди с пробельных мест, удаление резиста (раздубливание); г — прессование МПП; д — получение рисунка схемы наружных слоев фотоспособом; е — нанесение слоя лака, сверление отверстий; 0k — подтравливаиие диэлектрика; з — химическое меднение отверстий, удаление лака; ч — гальваническое меднение, удаление защитного слоя рисунка (раздубливание); к — травление меди с пробельных мест, осветление металлического покрытия, механическая обработка МПП, технологическая защита

где а — угол между перпендикуляром к светящейся поверхности и направлением, в котором определяется яркость.

яркость — сила света, излучаемая светящаяся поверхность в данном направлении и приходящаяся на единицу площади проекции светящейся поверхности на площадь, перпендикулярную данному направлению. Яркость характеризует зрительное восприятие (видимость) предметов, излучающих световой поток по направлению к глазу человека. Единица яркости — кандела на квадратный метр (кд/м2 ).

Вольт-амперная характеристика стабилитрона UCT =Д/СТ) приведена на 2.3. Напряжение зажигания тлеющего разряда l/з всегда превышает напряжение стабилизации и„. При установившемся тлеющем разряде свечение покрывает только часть поверхности катода и через стабилитрон проходит минимальный ток /сттш- Небольшое повышение напряжения на электродах стабилитрона приводит к увеличению светящейся поверхности катода и разрядного тока. При максимальном токе /сттах светится вся поверхность катода. Следовательно, рабочим участком характеристики является участок, соответствующий разности токов 1„ты - /ящт-

Под яркостью понимается отношение силы света в данном направлении к проекции светящейся поверхности на плоскость, перпендикулярную тому же направлению. Два тела, имеющие в одном направлении одинаковую яркость, обладают одинаковой интенсивностью излучения.

Яркость свечения. Параметр, который определяется силой света, излучаемого в направлении наблюдателя одним квадратным метром равномерно светящейся поверхности. Яркость (кд/м2)

Яркость свечения экрана — это сила света, излучаемого 1 м2 светящейся поверхности экрана в направлении наблюдателя. Равномерно светящаяся поверхность площадью 1 м2, излучающая в направлении наблюдателя свет силой в одну свечу, имеет яркость одну канделу на квадратный метр (кд/м2). Яркость свечения экрана современных осциллографических ЭЛТ составляет несколько де-

Яркость поверхности В определяется отношением силы света в данном направлении к площади проекции светящейся поверхности на плоскость, перпендикулярную к тому же направлению ( IV.2):

ственно, а яркость исследуемого объекта 8 ослабляется оптическим клином 3. Угол по ворота клина, соответствующий равенству яркостей, отсчитывается по шкале указателя 7. Прибор имеет два предела измерения, для чего последовательно с клином вводится нейтральный светофильтр 2 с поглощением, равным поглощению толстого края клина, и отсчет производится по второй шкале вплоть до удвоенного значения яркостей. Сравнение яркостей при определении температуры тел с достаточной площадью светящейся поверхности происходит следующим образом. Если яркость объекта больше яркости образцового излучателя, то нить лампы ( 24.6, а) видна в виде черной тени на более ярком фоне объекта. Если же,

ка, вызывающего катодолюминесценцию, Спектр поглощения —диапазон длин волн, в котором происходит наиболее интенсивное поглощение энергии возбуждения люминофором. Спектр излучения определяет цвет испускаемого свечения и характеризуется длиной волны ?imax с наибольшей интенсивностью излучения. Яркость с в е ч е н и я — отношение силы света равномерно светящейся поверхности к площади ее проекции. После прекращения возбуждения (например, потока фотонов или электронов) яркость свечения люминофора постепенно убывает. Длительность послесвечения т определяется отрезком времени, в течение которого яркость свечения убывает в е раз (е — основание натуральных логарифмов); величина т характеризует продолжительность воз- , бужденного состояния атома или молекулы. Энергетический выход — отношение энергии в виде люминесценции к поглощенной энергии. Квантовый выход — отношение количества излученных люминофором квантов света к количеству поглощенных квантов. Кристаллические решетки люминофоров имеют дефекты, расстояния между которыми исчисляются несколькими периодами решетки. Поэтому можно считать, что этим дефектам соответствуют локальные уровни электронных состояний, расположенные в запрещенной зоне. Локальные уровни, (ловушки) способны захватывать и отдавать электроны или дырки. Если локальный уровень расположен вблизи зоны проводимости, то его можно считать ловушкой электронов, уровень вблизи валентной зоны можно рассматривать как ловушку дырок. Активаторы чаще всего создают локальные уровни (ловушки), расположенные на такой глубине (от края зоны проводимости), что переход с них электронов в зону проводимости затруднен, а возможен лишь их захват. Ловушки этого вида будут центрами люминесценции, так как наиболее часто здесь осуществляется люминесцентное излучение, вследствие рекомбинации электрона с дыркой. Электроны, переброшенные, например, под воздействием квантов света в зону проводимости, обладают большими скоростями порядка 108 см/сек и поэтому попав туда, они быстро распределяются по^так называемым уровням локализации электронов (переходы 2 ->• 3; 2 -> 3', 2 -> 4' ( 14.6). Электрон находится в такой ловушке, имея колебательное состояние, но он не может перейти в зону проводимости, пока не получит дополнительную (тепловую или световую) энергию. Аналогичные переходы совершает дырка (переходы электронов 5 -»• / и 5'-»- /). Если электрон

Под яркостью понимается отношение силы света в данном направлении к проекции светящейся поверхности на плоскость, перпендикулярную тому же направлению. Два тела, имеющие в одном направлении одинаковую яркость, обладают одинаковой интенсивностью излучения.

формой и размерами светящейся поверхности, потреб-