Ступенчатым регулированием

25. Найдите сопротивление и паразитную емкость ионно-легирован-ного резистора (см. 6.3) с топологией, как на 6.1, б, при а = 100 мкм, Ь = 5 мкм, Nя,л = 1013 см-2, \лр = 300 см2/(В • с), концентрации доноров в эпитаксиальном слое Л^д.эп = 101в см ~3, напряжениях на концах резистора относительно подложки (/г = = 1 В, ?/2 = 4 В, (У„.п = 5 В. Формулу для расчета емкости следует получить самостоятельно, применив формулу для барьерной емкости плоского р-п перехода со ступенчатым распределением примесей [3]. Емкостью и сопротивлением краевых (контактных) областей можно пренебречь. Ответ: R » 42 кОм, CR — = 0,08 пФ.

магнитными проводимостями воздушного зазора. Поэтому кривая поля в воздушном зазоре определяется как распределением МДС, так и распределением магнитных проводимостей этого зазора. В результате кривая индукции В, создаваемая обмоткой со ступенчатым распределением МДС, приобретает сложную форму ( 4.6) и ее можно представить как сумму кривых индукций Вг, действующих в пределах каждого зубцового деления tt. Гармони^

ние Пуассона (1.33). Рассмотрим простейшую модель р-п-перехода со ступенчатым распределением примесей ( 2.5, а). Предположим, что распределение плотности объемного заряда К(х) в переходе можно аппроксимировать функцией, показанной на 2.5, б сплошными линиями. При этом не учитываются заряды электронов и дырок, а границы перехода считаются резкими [реальное распределение К(х) показано штриховыми линиями].

На 2.13 приведены зависимости напряжения лавинного пробоя от концентрации примесей в базе для р-л-переходов со ступенчатым распределением примесей в германии, кремнии и арсениде галлия (сплошные кривые). Чем больше ширина запрещенной зоны, тем большую энергию должен набрать носитель в электрическом поле р-/г-перехода, чтобы могла произойти ударная ионизация. Поэтому большему значению A?13(GaAs) соответствует и большее напряжение пробоя. При повышении температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается, что объясняется уменьшением длины свободного пробега носителей. При меньшей длине пробега требуется большая напряженность электрического поля для того, чтобы носители приобрели энергию, достаточную для ударной ионизации.

ния пробоя неплоских переходов со ступенчатым распределением примесей можно использовать графики на 2.15. Здесь по оси абсцисс отложено отношение радиуса кривизны к толщине обедненного слоя плоского пере" хода (2.6) при его напряжении пробоя, определяемом по графикам 2.13 (сплошные кривые). На 2.15 по оси ординат отложено отношение напряжения пробоя цилиндрического 1 и сферического 2 переходов к напряжению пробоя плоского перехода. В планарных переходах (типа 2.1,а) пробой происходит на краевых участках, для которых напряжение пробоя ниже, чем для плоского участка. Около поверхности напряжение пробоя сильно зависит от поверхностного заряда (см. §1.8). Положительный поверхностный заряд повышает концентрацию электронов в базе л-типа у поверхности, что приводит к уменьшению толщины обедненного слоя у поверхности и напряжения пробоя. Поэтому пробой планарных р+-п-переходов в кремнии происходит у поверхности.

В несимметричном р+-п-переходе со ступенчатым распределением примесей Q0e = qSNL0(,(U) и с учетом (2.6)

Зависимость емкости от напряжения называется вольт-фарадной характеристикой. Для р+-л-перехода со ступенчатым распределением примесей в безразмерных коорди-

Критическая мощность канала с неравномерным тепловыделением является минимальной из рассчитанных по формулам (6.67), (6.68). Трудоемкость расчетов сокращается, если эпюру тепловыделения аппроксимировать ступенчатым распределением. В этом случае эквивалентная длина находится из соотношения

1 — обычный СЭ с толщиной фронтального n-слоя и>=0 4 мкм и концентрацией 'доноров на поверхности JVo=5-101BCM-s; 2 — «фиолетовый» СЭ с w—0.1—0.2 мкми JVB=5-1018 смга; 3 — СЭ на основе структуры со ступенчатым распределением примеси во фронтальном слое.

5.15. Зависимость коэффициента собирания от длины волны света для диодов, полученных двухэтапной диффузией фосфора (/), ионно-лучевым методом (2) и для диода со ступенчатым распределением примеси (3)

На 5.15 представлена спектральная зависимость коэффициента собирания для кремниевых фотоприемников, полученных двухэтапной диффузией фосфора и ионно-лучевым методом легирования. Здесь для сравнения приведен аналогичный график для фотодиода со ступенчатым распределением примеси. Видно, что гауссовское распределение примеси (кривая 2) обеспечивает высокую чувствительность в коротковолновой области спектра.

переменный (реостат) со ступенчатым регулированием

Реостаты, используемые в системах автоматического регулирования, бывают проволочные и жидкостные. Чаще всего применяют проволочные реостаты с плавным или ступенчатым регулированием сопротивления. В связи с тем, что такой способ регулирования не является экономичным, эти реостаты монтируют лишь в цепях малой мощности.

многоскоростные двигатели (Л=564-355 мм) на две, три и четыре частоты вращения — для привода механизмов со ступенчатым регулированием частоты вращения (металлообрабатывающие станки, механические колосниковые решетки, некоторые виды, лебедок и т д.);

переменный (реостат) со ступенчатым регулированием

переменный (реостат) со ступенчатым регулированием

То же, но со ступенчатым регулированием

В настоящее время наиболее широко применяют дугогасящие заземляющие реакторы с плавным регулированием тока плунжерного типа РЗДПОМ и дугогасящие заземляющие реакторы со ступенчатым регулированием тока типа РЗДСОМ. Плавное регулирование тока в реакторах плунжерного типа осуществляется изменением воздушного зазора в магнитной цепи, которое производится реверсивным электроприводом, действующим на плунжер реактора, в зависимости от соотношения напряжений на обмотках реактора и задаваемого опорного напряжения сети. Ступенчатое регулирование тока в реакторах выполняется при отключенном от сети реакторе вручную с помощью штурвала.

То же, но со ступенчатым регулированием ~^~-

многоскоростные двигатели (А=56-=-355 мм) на две, три и четыре частоты вращения — для привода механизмов со ступенчатым регулированием частоты вращения (металлообрабатывающие! станки, механические колосниковые решетки, некоторые виды лебедок и т д.);

То же, но со ступенчатым регулированием .'•-^-

Многоскоростные электродвигатели применяются для привода механизмов со ступенчатым регулированием частоты вращения (металлообрабатывающие станки, лебедки).