Ступенчатым расположением

1 С помощью специальных мер (применение обратной связи и высококачественных материалов) получают значительно большие коэффициенты усиления. Однако при этом их величины ограничиваются вредным действием различных помех, в частности ступенчатым изменением намагниченности [Л. 7, стр. 27].

В качестве альтернативы по отношению к электровзрывным коммутаторам ведутся разработки в направлении реостатной коммутации [2.2], когда рабочая перемычка не разрушается под действием тока, а многократно изменяет свое сопротивление (в десятки и сотни раз) из-за нагрева током. Например, при нагревании ленты из стального сплава от температуры жидкого азота до 600° С ее сопротивление меняется в 70 раз [2.2]. Для других материалов (нелинейных сопротивлений) эта цифра достигает 250 [2.14]. Реостатная коммутация может реализовываться устройствами со ступенчатым изменением сопротивления и скользящими контактами [2.2]. Обычно коммутатор реостатного типа используется на первых ступенях коммутации с последующим обострением переключения тока во времени.

Рассмотрим аналоговые электронные вольтметры. Вольтметры постоянного напряжения имеют структурную схему, представленную на 10.5. С помощью входного делителя напряжения устанавливают пределы измерения. Усиленное усилителем постоянного тока (УПТ) напряжение поступает на аналоговый индикатор. Входной делитель коммутируется переключателем, выведенным на переднюю панель прибора. В УПТ предусматривают меры для уменьшения дрейфа нуля; кроме усиления УПТ выполняет функцию согласования высокого входного сопротивления делителя напряжения с низким сопротивлением стрелочного индикатора. У вольтметров с высокой чувствительностью УПТ выполняют по схеме преобразования напряжения с отрицательной обратной связью, охватывающей весь УПТ. В этом случае входной делитель отсутствует, а изменение пределов измерения производят ступенчатым изменением коэффициента усиления УПТ. Входное напряжение поступает непосредственно на преобразователь УПТ.

3) испытания на предельную отрицательную температуру в камере холода со ступенчатым изменением температуры: — 40, — 60, — 75, — 90, — 105, — 125, — 150° С. Электрические параметры измеряют до и после 30-минутной выдержки при каждой температурной нагрузке;

тельно подключаемой секции. На 1.8, д, е изображена «матричная» конструкция конденсатора со ступенчатым изменением емкости в широком диапазоне. Обкладки 1 и 3 конденсатора представляют собой гребенки, которые разделены общим диэлектрическим слоем 4. В местах пересечения пленочных проводников, принадлежащих разным слоям, образуются секции конденсатора, которые можно отсоединить путем разреза проводника на заданном участке.

В настоящее время широко применяются магазины, состоящие из двух блоков, например магазин емкостей типа Р5025. Первый блок этого магазина имеет три декады со ступенчатым изменением емкости от 0,001 до 1,111 мкФ (переключатели рычажные) и одну декаду с плавным изменением емкости от 0,0001 до 0,001 мкФ. Второй блок имеет две декады со ступенчатым изменением емкости от 1,0 до 110 мкФ (втычные контакты). Наибольшее значение емкости магазина составляет 111,111 мкФ. Магазин типа Р5025 предназначен для работы в диапазоне частот от 40 Гц до 30 кГц Погрешность первого блока не превышает 0,1% второго — 0,5%.

1 С помощью специальных мер (применение обратной связи и высококачественных материалов)' получают значительно большие коэффициенты усиления. Однако при этом их величины ограничиваются вредным действием различных помех, в частности ступенчатым изменением намагниченности [Л. 6, стр. 27].

Металлические реостаты. Металлические реостаты с воздушным охлаждением получили наибольшее распространение. Их легче всего приспособить к различным условиям работы как в отношении электрических и тепловых характеристик, так и в отношении различных конструктивных параметров. Реостаты могут выполняться с непрерывным или со ступенчатым изменением сопротивления.

Реостаты со ступенчатым изменением сопротивления ( 17-5 и 17-6) состоят из набора резисторов 1 и ступенчатого переключающего устройства.

вия, руднотермические печи), является изменение длины дуги, часто комбинируемое со ступенчатым изменением питающего напряжения. В вакуумных дуговых установках, у которых градиент потенциала столба дуги мал по сравнению с ка-тодно-анодным падением напряжения, такой способ неэффективен и основным способом регулирования тока является плавное изменение напряжения источника питания. В настоящее время некоторые установки питают от источника тока, источника, который поддерживает ток в цепи дуги неизменным при изменениях сопротивления разрядного промежутка. Источник питания такого рода может быть осуществлен либо с помощью обратной связи, воздействующей на сопротивления силового контура установки, либо на принципе параметрического резонанса.

На 19-4 для упрощения показан трубопровод со ступенчатым изменением диаметра. Б пределах каждого участка сохраняется формула (19-5), которую целесообразно представить в виде

Структуры. На 6.1.5 показаны поперечные сечения a-Si-ТПТ, пригодных для интеграции. ТПТ со ступенчатым расположением электродов, в которых затворный электрод формируется на противоположной стороне по отношению к электродам стока и истока, показаны на 6.1.5, а, а компланарные ТПТ, в которых все три электрода располагаются на одной стороне, - на 6.1.5, б. Основная масса ТПТ изготавливается на подложках из стекла или плавленого кварца. Однако

Влияние толщины пленки a-Si, которое может характеризоваться сопротивлением между электродом стока или истока и границей раздела a-Si/подззтворный диэлектрик, еще более затрудняет анализ характеристик- a-Si-ТПТ со ступенчатым расположением электродов. В

Для получения более высоких динамических характеристик желательно создание приборов со структурой неперекрывающихся электродов. Существуют ТПТ со ступенчатым расположением электродов, как показано на 6.1.6, но сообщения об их электрических свойствах отсутствуют.

Из логических устройств с применением a-Si-ТПТ были исследованы схемы с инверторами в интегральном исполнении. Интегральный инвертор типа обеднение - обогащение состоял из ТПТ со ступенчатым расположением электродов и нагрузочного сопротивления, которым служил слой п +-a-Si [4]. Этот инвертор работал при напряжении питания 15 В. Инвертор типа обогащение - обогащение состоял из двух компланарных ТПТ, в которых в качестве подзатворного диэлектрика использовался SiO2, химически осажденный из газовой фазы в реакторе пониженного давления. Геометрическое бета-отношение в таком инверторе, т.е. отношение величины W/L ключевого и нагрузочного транзисторов, составляло около 20; максимальное усиление слабого сигнала равнялось 2 при питающем напряжении 10В [23].

Инвертор типа обогащение — обеднение был изготовлен на двух одинаковых по размерам ТПТ со ступенчатым расположением электродов. Они содержали пленку a-Si, полученную в дуговом разряде, и подзатвор-ный диэлектрик из Si02, полученного в реакторе пониженного давления методом ХГФО.

щая a-Si-ТПТ со ступенчатым расположением электродов (длина канала 40 мкм, ширина 500 мкм, S-N-подзатворный диэлектрик получен плазменным химическим осаждением). По причине большой нагрузочной емкости 10 пФ время топ, необходимое для насыщения потенциала V через конденсатор С„, составляло > 200 мкс. Панель с мерцающими нематическими жидкими кристаллами работала при напряжении на затворе 15 В. Было достигнуто 250 линий на дисплей при времени кадра 25 мс. В принципе возможно сканирование 1000 линий на дисплей.

В работе Каваи и др. также изготовлялась матрица 7x5 при использовании a-Si-ТПТ со ступенчатым расположением электродов при ширине канала 40 и длине 2400 мкм (химически осажденная в плазме SiO2). Светозащитный слой был нанесен поверх a-Si-ТПТ. Такая панель с мерцающими нематическими жидкими кристаллами имела 40 линий на дисплей при 10 В на затворе и 10 В на стоке. В принципе ожидается 500 линий на дисплей.

Структуры. На 6.1.5 показаны поперечные сечения a-Si-ТПТ, пригодных для интеграции. ТПТ со ступенчатым расположением электродов, в которых затворный электрод формируется на противоположной стороне по отношению к электродам стока и истока, показаны на 6.1.5, а, а компланарные ТПТ, в которых все три электрода располагаются на одной стороне, - на 6.1.5, б. Основная масса ТПТ изготавливается на подложках из стекла или плавленого кварца. Однако

Влияние толщины пленки a-Si, которое может характеризоваться сопротивлением между электродом стока или истока и границей раздела a-Si/подззтворный диэлектрик, еще более затрудняет анализ характеристик- a-Si-ТПТ со ступенчатым расположением электродов. В

Для получения более высоких динамических характеристик желательно создание приборов со структурой неперекрывающихся электродов. Существуют ТПТ со ступенчатым расположением электродов, как показано на 6.1.6, но сообщения об их электрических свойствах отсутствуют.

Из логических устройств с применением a-Si-ТПТ были исследованы схемы с инверторами в интегральном исполнении. Интегральный инвертор типа обеднение — обогащение состоял из ТПТ со ступенчатым расположением электродов и нагрузочного сопротивления, которым служил слой п +-a-Si [4]. Этот инвертор работал при напряжении питания 15 В. Инвертор типа обогащение - обогащение состоял из двух компланарных ТПТ, в которых в качестве подзатворного диэлектрика использовался SiOj, химически осажденный из газовой фазы в реакторе пониженного давления. Геометрическое бета-отношение в таком инверторе, т.е. отношение величины W/L ключевого и нагрузочного транзисторов, составляло около 20; максимальное усиление слабого сигнала равнялось 2 при питающем напряжении 10В [23].