Структурой показанной

Марки стали обозначают четырьмя цифрами: первая цифра означает класс по структурному состоянию и виду прокатки: 1 — горячекатаная изотропная, 2 — холоднокатаная изотропная, 3 — холоднокатаная анизотропная с ребровой текстурой; вторая цифра — содержание кремния: классы О, 1, 2, 3, 4, 5

Для листов сердечников электрических машин используют тонколистовую электротехническую сталь по ГОСТ 21427.0—75 — ГОСТ 21427.3—75. Указанные стандарты распространяются на горячекатаную и холоднокатаную сталь разных марок. Обозначение марок стали по ГОСТ 21427.0—75 состоит из четырех цифр, условно характеризующих основные свойства стали: первая —класс по структурному состоянию и виду прокатки (/ — горячекатаная изотропная*, 2 — холоднокатаная изотропная, 3 — холоднокатаная

Обозначения марок стали состоят из четырех цифр. Первая обозначает класс по структурному состоянию и виду прокатки, вторая — примерное содержание кремния, третья — группу по основной нормируемой характеристике. Эти три первые цифры в обозначении марки означают тип стали, а четвертая — порядковый номер типа стали.

Сталь подразделяют по структурному состоянию и виду прокатки на 3 класса: 1 - горячекатаную изотропную, 2 - холоднокатаную изотропную, 3 — холоднокатаную анизотропную с ребровой текстурой.

Для листов сердечников электрических машин используют тонколистовую электротехническую сталь по ГОСТ 21427.0—75 — ГОСТ 21427.3—75. Указанные стандарты распространяются на горячекатаную и холоднокатаную сталь разных марок. Обозначение марок стали по ГОСТ 21427.0—75 состоит из четырех цифр, условно характеризующих основные .свойства стали: первая — класс по структурному состоянию и виду прокатки (/ — горячекатаная изотропная*, 2 — холоднокатаная изотропная, 3 — холоднокатаная

Тонколистовая электротехническая сталь по ГОСТ 21427.0-75 разделяется на 38 марок и изготовляется в виде рулонов, листов и резаной ленты. Обозначения марок стали состоят из четырех цифр. Первая обозначает класс по структурному состоянию и виду прокатки; вторая — содержание кремния; третья — группу по основной нормируемой характеристике. Три первые цифры в обозначении марки — тип стали, а четвертая — порядковый номер типа стали.

Сталь подразделяют по структурному состоянию и виду прокатки на три класса: горячекатаную изотропную, холоднокатаную изотропную, холоднокатаную анизотропную с ребровой текстурой.

Обозначения марок холоднокатаной стали расшифровываются следующим образом: первая цифра 3 — класс по структурному состоянию и виду прокатки — холоднокатаная анизотропная с ребровой структурой; вторая цифра 4 — класс по содержанию кремния — свыше 2,8 до 3,8 % включительно; третья цифра — 1 или 0 — группа по основной нормируемой характеристике согласно примечанию к табл. 2.1; четвертая цифра от 1 до 8 — порядковый номер марки стали с улучшением магнитных свойств по мере возрастания этого номера.

Обозначения марок стали состоят из четырех цифр. Первая обозначает класс по структурному состоянию и виду прокатки; вторая — содержание кремния; третья — группу по основной нормируемой характеристике. Эти три первые цифры в обозначении марки означают тип стали, а четвертая — порядковый номер типа стали.

Сталь подразделяют по структурному состоянию и виду прокатки на три класса:

Класс по структурному состоянию и

Приведем типовые параметры транзисторов со структурой, показанной на 4.1.

Ниже приведены типовые параметры МЕП-транзисторов со структурой, показанной на 5.1.

Для транзистора с самосовмещенным затвором при L3 = 1,5 мкм и Ь = 1 мм получены следующие параметры: ?/Пор = 0,05 В, Ru = = 0,75 Ом, Sib = 87 мСм/мм. По сравнению с транзистором со структурой, показанной на 5.1, имеющим те же размеры, сопротивление истока меньше в 5 раз, а крутизна больше в 3 раза. В структуре с самосовмещенным затвором пробивное напряжение затвора определяется распределением концентраций примесей в л+-областях, так как они непосредственно примыкают к границам затвора. При энергии ионов 175 кэВ и дозе 1,7-Ю13 см~2 максимальная концентрация доноров в областях л+-типа 1-1018см-3, пробивное напряжение затвора 6 В. Недостатком данной структуры являются большие паразитные емкости затвор — исток и затвор — сток.

Для структуры на рис 7.20 наибольший заряд неосновных неравновесных носителей (дырок) накапливается в высокоомном эмиттер-ном слое 2 вследствие инжекции дырок из базовой области в режиме насыщения переключательного транзистора. Минимальная средняя задержка пропорциональна эффективному времени жизни дырок в этом слое и составляет 10...20 не. Режим предельного быстродействия, в котором достигается наименьшая средняя задержка (граница участков / и // на 7.27), представляет наибольший практический интерес, так как он применяется в большинстве цифровых устройств. Низкое быстродействие ЛЭ со структурой, показанной на 7.20, является его главным недостатком. Для уменьшения времени рассасывания при создании этой структуры невозможно использовать ее легирование золотом, так как при этом уменьшится и без того низкий коэффициент передачи Рд/п, понизится также величина ал>т.

' терным р-п переходом и связанный с этим слоем заряд дырок, что уменьшает время рассасывания и увеличивает коэффициент передачи p/vn. Повышение концентрации акцепторов в пассивной р+-базе уменьшает заряд электронов, накапливаемых в ней при включении переключательного транзистора, снижает сопротивление пассивной базы и увеличивает (iyvn- Распределение концентраций примесей в активной области базы, создаваемое диффузией акцепторов «вверх» — из подложки (см. 7.29, в), обеспечивает ускоряющее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, тем самым уменьшается их время пролета через базу. Напомним, что в активной базовой области переключательного транзистора со структурой, показанной на 7.20, существует тормозящее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, что связано с инверсным (по отношению к обычным п-р-п транзисторам) включением этого транзистора. Для данной структуры Рд'п = 30...300, ^зд.р.ср = 2,5 не при Рср = 0,4 мВт, работа переключения в области малых токов инжектора Апер = 0,2 пДж.

Таким образом, унифицированный комплекс аналоговых приборов позволяет создавать многоканальные контрольно-измерительные системы в соответствии со структурой, показанной на 20-1.

Для бездрейфового транзистора со структурой, показанной на 4.29, а, схема имеет вид, представленный на 4.31, а. Элементы, соответствующие одномерной теоретической модели,

Для дрейфового транзистора со структурой, показанной на 4.29, б, эквивалентная схема несколько другая. Барьерная емкость коллектора в данном случае перезаряжается через разные сопротивления. Часть этой емкости Скбар создает обратную связь, а часть емкости коллектора С"бар, соответствующая периферической базе, не дает обратной связи. Кроме того, из-за высоких рабочих частот, на которых работают дрейфовые транзисторы, в эквивалентной схеме целесообразно учитывать емкости между внешними выводами Скэ, Сэб, Ск6, а также объемное сопротивление коллектора.

Пусть задана ГСА Г и необходимо синтезировать на ПЛМ (s, t, q) схему МПА Мили с PY-структурой, показанной на 6.9. Для этого выполняются следующие процедуры.

Фактический параметр примитива cascade обязательно записывается в форме логической операции И или ИЛИ, один из операндов которой это константа или выход другого примитива cascade, а второй операнд — произвольная логическая функция. Возвращаемое значение функции cascade присваивается переменной типа node, которая может стать аргументом следующего примитива cascade или использоваться в одном (и только одном) логическом выражении в операторе присваивания. Во втором случае эта переменная должна объединяться по логике И либо ИЛИ с произвольной логической функцией для формирования сигнала. В БИС семейств FLEX такая запись интерпретируется структурой, показанной на 3.26. Здесь представлены две макроячейки, объединенные через каскадирующий буфер. Узел каскадирования, обозначенный С, в зависимости от записи фактического параметра примитива cascade выполняет операцию И либо ИЛИ, а

ческой зоны такого перехода при тепловом равновесии: уровень Ферми лежит выше дна зоны проводимости в n-области и ниже верха валентной зоны в р-области. Плотности основных носителей в приборе с зонной структурой, показанной на этом рисунке, составляют порядка 1019 см~3.

тиц фазы а, богатой свинцом, и свет- тектической структурой, показанной лых частиц фазы р\ богатой оловом на 12; Х200