Структурными изменениями

Структурный синтез технологических решений базируется на выработке норм соответствия между элементами структуры изделия и элементами ТП. Структура изделия представляется как некоторая совокупность взаимосвязанных обрабатываемых областей. В качестве структурных элементов проектирования технологии используются технологические переходы. Отдельно взятые технологические переходы, как и технологические операции, не дают полной информации о закономерностях обработки изделия. Для решения задачи проектирования необходимо наряду со структурными элементами использовать элементарные планы обработки изделия. Под элементарным планом понимается структурный элемент ТП, являющийся устойчивым и неизменным при производстве различных изделий. Он образовывается этапами, операциями и переходами ТП, где под этапом следует понимать часть ТП, включающую однородную по характеру и точности обработку изделия. Этапы, операции и переходы можно рассматривать как логические средства реализации элементарных планов обработки, а оборудование, оснастку и инструмент—как технические средства ее реализации. В основе любого элементарного плана обработки лежат объективные физико-химические предпо-

Для ИМС среднего (СИС) и малого (МИС) уровня интеграции разрабатывают функциональные схемы. Структурными элементами функциональных схем комбинационных систем являются логические элементы ( 3.9). Структурными элементами функциональных схем последовательностных систем (система с памятью) являются триггеры и логические элементы ( 3.10).

Модели полупроводников с электронной и дырочной электропроводностью представлены на 3.17, а. Основные носители заряда в полупроводнике п-типа - электроны - на рисунке обозначены знаком минус. Ионизированные атомы донорной примеси, будучи структурными элементами, не принимают участия в электропроводности. На рисунке они обозначены знаком плюс в кружке. Дырки, которые в электронном полупроводнике также имеют место.на рисунке не изображены, потому что они являются неосновными носителями заряда и концентрация их по сравнению с концентрацией электронов невелика. Аналогичные обозначения сделаны и для дырочного полупроводника.

На 8.1 представлена электрическая схема панели типа ЭПА-305, основными структурными элементами которой являются УК и ЭМК.

мых бесконтактных сопротивлений, импульсных модуляторов, импульсных трансформаторов, усилителей напряжения, аналоговых элементов счетно-решающей техники в режимах перемножения, деления, суммирования, интегрирования и т. п. Они являются основными структурными элементами логических систем цифровых устройств.

Устройства ввода и вывода зарядовых пакетов являются обязательными структурными элементами ПЗС. Они позволяют преобразовывать выходные сигналы (уровни напряжения) в сигнальные зарядовые пакеты, а на выходе осуществлять обратное преобразование.

Основными носителями зарядов в веществе, т. е. частицами, которым присущи электрические свойства, являются' электроны, заряженные отрицательно, и протоны с положительным зарядом. Они входят в состав атомов всех веществ, являясь их- основными структурными'элементами. '• >

а) ток электронной проводимости, обусловленный движением электронов, являющихся структурными элементами вещества;

Током переноса, или конвекционным током, называется ток, обусловленный движением заряженных тел или элементарных частиц, не являющихся структурными элементами сред, в которых они движутся. Примером тока переноса может служить поток электронов в вакууме, а также перенос зарядов водяным паром, пылевым потоком, движущимися телами и т. п.

Электрические переходы используются практически во всех полупроводниковых при- /У,см~3 борах и являются их важней-шими структурными элементами. Физические процессы в переходах лежат в основе принципа действия большинства полупроводниковых приборов.

При длительной работе под напряжением ток через твердые и жидкие диэлектрики с течением времени может уменьшаться или увеличиваться. Уменьшение тока со временем говорит о том, что электропроводность материала была обусловлена ионами посторонних примесей и уменьшалась за счет электрической очистки образца. Увеличение тока со временем говорит об участии в нем зарядов, являющихся структурными элементами самого материала, и о протекающем в нем под напряжением необратимом процессе старения, способном постепенно привести к разрушению — пробою диэлектрика.

В некоторых материалах ориентация молекул под действием поля сопровождается структурными изменениями, что приводит к изменению размеров образца. Эти явления носят обратимый и необратимый характер и позволяют создавать линейные и нелинейные устройства. Подобные процессы называются пьезоэлектрическим эффектом, а материалы, в которых наблюдается явление пьезоэффекта, — пьезоэлектриками. К таким материалам относится турмалин, кварц, сегнетова соль, цинковая обманка и др. На пьезоэлектрическом эффекте основана работа некоторых радиотехнических функциональных приборов — кварцевых генераторов и кварцевых фильтров. К функциональным приборам относятся также ультразвуковые линии задержки, работающие на объемных акустических волнах. Эти устройства позволяют задерживать сигналы на время от долей микросекунды до десятков миллисекунд. Широко используются твердотельные линии задержки из плавленого кварца, стекла и металлов.

Из известных методов подгонки элементов (механический, термический, химический и др.) в производстве нашел применение метод локального испарения материала элемента с помощью лазерного луча. Данный метод не связан с загрязнениями и структурными изменениями элементов микросхемы и обладает высокой производительностью. Среднее время подгонки резистора составляет 6 с, что при номинальной трудоемкости одной платы порядка 20 мин делает его экономически целесообразным даже при больших допустимых отклонениях (±20%) и малом числе элементов на плате (4—6) *.

добротность 100—750. При обратной связи с выхода на вход резо-нистора можно получить тональный генератор, подобный широко известному камертонному генератору. Разработаны и применяются резонисторы и для более высоких частот, приблизительно до 1 МГц. В некоторых материалах ориентация молекул под действием поля сопровождается структурными изменениями, что приводит к изменению размеров образца. Эти явления носят обратимый и необратимый характер и позволяют создавать линейные и нелинейные устройства. Подобные процессы называются пьезоэлектрическим эффектом, а материалы, в которых наблюдается явление пьезоэф-фекта, — пьезоэлектриками. К таким материалам относятся турмалин, кварц, сегнетова соль, цинковая приманка и др. На пьезоэлектрическом эффекте основана работа некоторых радиотехнических функциональных приборов — кварцевых генераторов и кварцевых фильтров. К функциональным приборам относятся также ультразвуковые линии задержки, работающие на объемных акустических волнах. Эти устройства позволяют задерживать сигналы на время от долей микросекунды до десятков миллисекунд. Широко используются твердотельные линии задержки из плавленого кварца, стекла и металлов.

Из известных методов подгонки элементов (механический, термический, химический и др.) в производстве нашел применение метод локального испарения материала элемента с помощью лазерного луча. Данный метод не связан с загрязнениями и структурными изменениями элементов микросхемы и обладает высокой производительностью. Среднее время подгонки резистора составляет 6 с, что при номинальной трудоемкости одной платы порядка 20 мин делает его экономически целесообразным даже при больших допустимых отклонениях (±20%) и малом числе элементов на плате (4—6) *.

тации могут существенно изменяться в связи со структурными изменениями материала.

Уравнения долговечности типа (4.16*) стали Х18Н10Т и 1Х18Н12Т имеют равные величины коэффициентов Ъ, отражающих энергию активации разрушения, и разные величины параметров т Л (203 и 82 соответственно). Это различие можно объяснить структурными изменениями при ползучести.

Исследования связи кинетики залечивания в ^-области после завершения фазового превращения со структурными изменениями при высокотемпературном нагреве позволили установить следующее:

Обоснованное долгосрочное прогнозирование ценообразования на энергетические ресурсы в международной капиталистической торговле представляет собой сложную задачу. В капиталистическом мире существует достаточно тесная связь между ценами на энергетические ресурсы, спросом на них и структурными изменениями энергетического хозяйства. В долговременном разрезе противоречивый механизм ценообразования капиталистического общества выступает как один из основных регуляторов изменения соответствующих пропорций в энергетическом комплексе и направлений научно-технического прогресса в его развитии. При этом важно, что процесс ценообразования находится под воздействием монополистического и частично государственного регулирования.

Сокращение численности населения хотя и имеет некоторые очевидные преимущества в отношении ослабления остроты проблемы энергетика — окружающая среда, но. выдвигает тем не менее ряд проблем. Среди них отметим экономические трудности, вызываемые структурными изменениями в жизни общества. Вероятно, снизится объем производства в отраслях промышленности, производящих товары

Структура топливно-энергетического баланса. За период с 1955 по 1979 г. потребление энергоресурсов в мире возросло с 3295 до 9560 млн. т условного топлива, т. е. увеличилось почти в 3 раза, или в среднем на 4,5% ежегодно. Этот интенсивный рост энергопотребления сопровождался глубокими структурными изменениями в производстве и потреблении Энергоресурсов. В этот период произошел переход к, доминирующей роли углеводородного топлива. Потребление углеводородов (нефть и газ), которое составило в 1955 г. 1550 млн. т условного топлива, достигло в 1979 г. около 6535 млн. т , т. е. возросло в 4,2 раза.

В общем случае анизотропного упрочнения, позволяющего описать эффект Баушингера и реальные циклические свойства материалов, наблюдаемые в эксперименте, в качестве внутреннего параметра состояния вводится в уравнение поверхности текучести (3.46) симметричный тензор микронапряжений Pjk. Эти напряжения обусловлены структурными изменениями в материале вследствие пластического деформирования и опреде-