Структура управления

1ЛО. МДП-транзип„> . а — структура транзистора; теривтика /с (t/з)

6.1. Структура транзистора типа р-п-р (а) и п-р-п (б),

3.8. Структура транзистора с базовой изолирующей диффузией

Полевые, транзисторы с изолированными затворами. На 18, а приведено устройство полевого транзистора с изолированным затвором, называемого для сокращения МДП-транзи-стором. Это название обусловлено конструкцией транзистора: затвор выполнен из металла и отделен тонким слоем диэлектрика от полупроводника, из которого выполнен транзистор. Таким образом, структура транзистора следующая: металл М — диэлектрик Д — полупроводник П. Если транзистор выполнен из кремния, то в качестве диэлектрика используется тонкая пленка оксида кремния, являющаяся хорошим изолятором. В этом случае название изменяется на МОП-транзистор (металл—оксид—полупроводник).

параметров рассмотрим важнейшие физические процессы, протекающие в транзисторной структуре при смещении р-я-переходов. В нормальном режиме работы транзистора на один из его р-я-пе-реходов со стороны эмиттера подается прямое напряжение смещения, а на другой со стороны коллектора — обратное, как показано на 2.7, на котором изображена идеализированная структура транзистора типа я-р-я, не содержащая пассивных областей. При рассмотрении принципа работы транзистора и выводе основных соотношений будем предполагать, что неосновные носители заряда распространяются в активных областях транзисторной структуры только под действием градиента их концентрации.

Выбранная физическая структура транзистора используется для расчета остальных элементов ИМС.

1.3. Структура интегрального транзистора, изолированного в процессе коллекторной диффузии

Рио. 1.4. Структура транзистора, изолированного в процессе базовой диффузии

Диэлектрическая изоляция интегральных элементов иногда создается с помощью стекла, ситалла или керамики. При этом в технологическом процессе используется вспомогательная пластинка. На монокристаллической подложке га+-типа эпитаксиаль-но-диффузионным способом формируют элементы микросхемы, которые методом локального травления разделяются на меза-области. К поверхности последних приклеивают вспомогательную пластинку, а л+-подложку ошлифовывают до получения раздельных элементов. В полученной структуре промежутки между компонентами заполняют диэлектриком. После этого вспомогательную пластинку удаляют. Готовая структура транзистора с полной диэлектрической изоляцией изображена на 1.8.

1.11. Структура транзистора «Изо- 1.12. Структура транзистора «Поли-планар П» планар»

стояний Qn. о инверсионный канал на поверхности базы образуется редко. Но в области коллектора р — п — р транзистора (Na^ = — 1015-ь- 1010 см"3) канал образуется всегда. Для исключения этого явления высокоомную область коллектора р-типа рассекают областью р+, в которой инверсия не возникает. Противоканальные кольца создаются одновременно с областью р^ эмиттера. Структура транзистора с противоканальным кольцом показана на 2.11.

4.2. Состав основных подразделений завода и структура управления

основные технологические решения и требования к оборудованию, состав технологического и энергетического хозяйств, структура управления;;

Структура управления энергетикой имеет три основные линии: оперативное управление режимами, строительство и а д м и и и с т р а т и в н о- х о з я и с т в е н-н ы е дела. Например, линия оперативного управления, при рассмотрении ее сверху вниз, определяется так: Минэнерго СССР — ЦДУ ЕЭС, непосредственно воздействующее на работу крупных электростанций, объединенных диспетчерских управлений районных энергосистем. Заключительная ступень оперативного управления системой — диспетчерские службы.

Управление светодиодами в индикаторах осуществляется с помощью ключевых схем. Пример такой схемы для случая управления десятиразрядным цифровым семисегментным дисплеем приведен на 22.8. В этой схеме катоды (n-области) светодиодов одноименных сегментов всех разрядов соединены между собой. Поэтому для их подключения требуется всего семь внешних выводов. Так же соединены между собой аноды семи сегментов каждого разряда. В результате полное число внешних выводов десятиразрядного дисплея не превышает 17. Матричная структура управления не позволяет одновременно включать все строки (разряды), если цифры (наборы сегментов) отличаются друг от друга. Поэтому схема управ-

..Иерархичность или многоступенчатость управления. Во многих отраслях промышленности применяется ступенчатая структура управления. Например, в .системе управления завод — объединение — главк заводская система телемеханики управляет и контролирует объекты в цехах. Система телемеханики объединения получает информацию с заводов, •входящих .в объединение, а главк собирает информацию с объединений. Конечно, не вся информация., получаемая заводской системой телемеханики, необходима диспетчеру объединения. Ему предоставляется лишь основная, а дополнительную информацию он может затребовать. Соответственно это относится и к информации, передаваемой в главк. Таким образом, в центральный диспетчерский пункт поступают лишь некоторые обобщающие данные о работе нижних ступеней управления. Самой нижней ступенью (уровнем) является местная автоматика, которая может воздействовать.на объект. В то же .время наиболее важная информация передается непосредственно в центральный диспетчерский пункт (ЦДП).'В свою очередь, из ЦДП на нижестоящие ступени управления поступают обобщающие команды типа заданий, которые конкретизируются на месте. Например, из ЦДП поступает распоряжение «на-производство подать столько-то нефти». Из какого резервуара будет подана нефть, решает нижестоящая ступень управления. Из сказанного ^делается очевидным, что принцип иерархичности основан на разделении информации управления по определенным уровням, что позволяет создавать многоступенчатые системы ТУ — ТС. . •-•.-• . • -

10-1. Структура управления выключателем ВН.

Для реализации основных направлений энергосбережения необходимо создание на предприятии специальной подсистемы управления использованием ТЭР, которая должна располагать определенной организационной самостоятельностью и закрытым контуром используемой информации. На 2.3 представлена принципиальная структура управления энергосбережением на основе существующей линейно-функциональной схемы управления, которая используется в настоящее время на большинстве предприятий. Для устранения основного недостатка такой схемы -слабых горизонтальных связей — нужна очень жесткая регламентация работы всех структурных подразделений по осуществлению комплексной программы по энергосбережению (приказы, инструкции, положения, стандарты), а для ускорения внедрения программы создание специального звена — руководителя программы.

Структура управления ремонтно-эксплуатационными участками может быть децентрализованной и централизованной.

г) основные технологические решения и требования к оборудованию, состав обслуживающего и энергетического хозяйства, структура управления;

Структура управления энергетической системой должна обеспечивать минимум затрат на содержание административно-управленческого персонала, простоту и оперативность управления энергетическим производством. Для предприятий электрических сетей может быть при-

единением — НПО «Электромонтаж», в которое входят хозрасчетные электромонтажные производственные подразделения (электромонтажные тресты с их электромонтажными управлениями). Структура управления электромонтажным производством выглядит так: НПО «Электромонтаж» — электромонтажные тресты — электромонтажные управления (ЭМУ) — участки — бригады.