Структура биполярного

Возможная структура энергетического баланса стран Западной Европы в конце первой четверти XXI в., цо оценке автора, приведена в табл. 6-8. При ее составлении были приняты следующие основные предположения. Дефицит собственных ресурсов органического топлива в регионе определяет объективную необ-

Рассмотренные в разделе 6-1 и в данном разделе варианты развития энергетического баланса мира, а также США и Западной Европы на перспективу до 2000 г. и конца первой четверти XXI в., видимо, позволяют предположить, что в качестве основной в промышленно развитых капиталистических странах будет реализовываться, хотя и постепенно, первая из описанных стратегий. В условиях США существующая структура энергетического баланса уже базируется на практически узкоспециализированном использовании нефти. В то же время с учетом инерционности энергетических комплексов и наличия ряда антагонистических противоречий в развитии энергетики капиталистических стран можно ожидать, что в странах западноевропейского региона и Японии в ближайшие 8—10 лет будет наблюдаться переходный этап к специализированному использованию нефти (что требует серьезной структурной перестройки экономики и значительных капиталовложений).

Современное энергетическое хозяйство сложно и многогранно, оно быстро развивается. Создаются и внедряются принципиально новые типы энергетических установк, совершенствуется структура энергетического баланса, используется энергия новых, так называемых «нетрадиционных» источников энергии, в том числе энергия возобновляемых источников: энергия Солнца, геотермальная и ветровая энергия, энергия биомассы. Все это требует от современного молодого специалиста глубоких теоретических и экономических знаний во всех сферах энергетического хозяйства. Он должен уметь правильно оценивать энергетическую ситуацию, выбрать оптимальные пути (технические и экономические) энергоснабжения, в должной мере учитывая при этом экологические проблемы создания новых и эксплуатации существующих Энергетических объектов.

В последние годы значительно улучшилась структура энергетического баланса социалистических стран. Удельный вес газа в топливно-энергетическом балансе стран СЭВ за последние 15 лет (1960—1975 гг.) повысился с 7 до 20%, нефти — с 24 до 34%, доля угля снизилась с 62 до 38%, хотя его добыча за указанные 15 лет возросла с 970 млн. до 1300 млн. т. Абсолютное потребление угля в странах СЭВ за то же время увеличилось с 606 до 770 млн. т.

Структура энергетического баланса ГДР характеризуется следующими данными (в %) г:

Структура энергетического баланса Румынии представляется в следующем виде (в %):

Предполагается, что в текущем десятилетии (1970—1980 гг.) структура энергетического баланса СРР несколько изменится. Так, в 1975 г. доля нефти и газа снизилась с 75,5 до 71,8%, а к 1980 г. снизится до 64—65%. Доля угля повысится с 18,7 в 1970 г. до 25% в 1980 г.

Современная и прогнозная структура энергетического баланса Чехословакии следующая (в %):

Структура энергетического баланса Великобритании в период 1947— 1975 гг. представляется в следующем виде (в %):

Общее потребление энергии в Индии в 1970 г. составляло 377 млн. т у. т. Предполагается, что к 1983 г. оно достигнет 600 млн. т у. т. и к 1990 г. возрастет до 900 млн. т у. т. Структура энергетического баланса в стране в настоящее время такова (в %): уголь — 70, нефть — 25, гидро- и атомная энергия — 5.

Нефтяные ресурсы Японии ничтожны. Они оцениваются всего в 10 млн. т. Несмотря на это, структура энергетического баланса страны ориентируется главным образом на жидкое топливо. В настоящее время Япония занимает четвертое место в мировом потреблении нефти. За последние 15 лет среднегодовой прирост потребления энергии в Японии составил 13%, в основном за счет-нефти.

2.14. Структура биполярного транзистора

На 3.11 показана структура биполярного транзистора, предназначенного главным образом для использования в сверхскоростных цифровых микросхемах (см. § 7.4). Транзистор создают на высокоом-ной подложке / /;-типа, в которой формируют скрытый коллекторный слой 2 п+-типа и противоканальные области р+ -типа. Основные области транзистора размещены в тонком эпитаксиальном слое 3 п -типа. Используется комбинированная изоляция, как и в изопланар-ном транзисторе, но в отличие от последнего при выращивании углубленного диоксида кремния 4 применяется технология, обеспечивающая выравнивание (иланаризацию) поверхности диоксида.

В зависимости от чередования типов областей полупроводников структура биполярного "ранзистора может быть р-п-р или п-р-п ( 5.1). В историческом плане вначале наибольшее

Биполярный транзистор является распространенным активным элементом в современных интегральных микросхемах. Структура биполярного транзистора в интегральных микросхемах (интегрального транзистора) отличается от структуры дискретного транзистора изоляцией от подложки. Другая особенность связана с тем, что вывод от коллекторной области интегрального транзистора осуществляется на верхней поверхности кристалла. Поэтому для уменьшения объемного сопротивления области коллектора перед эпи-таксиальным наращиванием производится обычно подлегирование подложки в тех местах, где будут сформированы транзисторные структуры, т. е. создается скрытый п+-слой ( 7.5).

7.5. Структура биполярного транзистора со скрытым п '-слоем (а) и топология электродов этого транзистора

14.8. Структура биполярного магнитотранзистора с двумя коллекторами и схема его включения

17-7. Структура биполярного n-p-п транзистора в ИМС в масштабе. Все размеры указаны в микронах.

В зависимости от чередования типов областей полупроводников структура биполярного транзистора может быть р—п—р или п—р—п ( 5.1). Сначала наибольшее распространение имели р— я—/^-транзисторы, потому что технологию их производства было легче освоить. Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков. Рассмотрим устройство биполярного транзистора на примере транзистора со сплавными /?—я-переходами ( 5.2, а).

Структура биполярного транзистора является системой двух взаимодействующих р-гг-переходов. В нашем случае это эмигтерный л* р-и коллекторный р-п~-переходы. В зависимости от полярности напряжений на данных переходах различают четыре режима работы транзистора: насыщение, отсечка, активный нормальный и активный инверсный.

Структура биполярного высоковольтного транзистора с расширенным металлическим электродом

Структура биполярного

Структура биполярного транзистора представляет собой два встречно направленных рп-перехода ( 3.8). Расстояние W между pn-переходами стремятся сделать минимальным, чтобы