Структуры состоящей

. Важнейшие задачи, решаемые энергетиками и энергостроителями, состоят в непрерывном увеличении объемов производства, в сокращений сроков строительства новых энергетических объектов и реконструкции старых, уменьшении удельных капиталовложений, в сокращении удельных расходов топлива, повышении производительности труда, в улучшении структуры производства электроэнергии и т. д.

Энергетической программой СССР предусматривается дальнейшее развитие энергосберегающей политики. Экономия энергетических ресурсов должна осуществляться путем: перехода на энергосберегающие технологии производства; совершенствования энергетического оборудования, реконструкции устаревшего оборудования; сокращения всех видов энергетических потерь и повышения уровня использования вторичных энергетических ресурсов; улучшения структуры производства, преобразования и использования энергетических ресурсов. В энергетике предусматривается замещение органического топлива другими энергоносителями, в первую очередь ядерной и гидравлической энергией.

Таким образом, в цеха основного производства поступают стандартное и нестандартное оборудование, материалы, оснастка, инструмент. Производятся все необходимые строительные работы, монтаж оборудования и его энергоснабжение, устройство вентиляции и т. д. Кроме того, в цеха должны поступить плановые задания, графики производства, трудовые нормативы. После этого осуществляется отработка всей технологической цепочки и при необходимости обучение рабочих и инженерно-технических работников цеха работе на новом оборудовании по новой технологии при новой организации труда. Последовательность подготовки может быть несколько иной в зависимости от масштабов производства и организационной структуры производства.

3. Изменение объема и структуры производства продукции, т. е. ассортиментные сдвиги, изменение удельного веса отдельных производств.

3. При подлинно революционном преобразовании структуры потребления конечной энергии структура производства первичных энергоресурсов на этом этапе менялась значительно меньше. Как видно из 1.2, доля высококачественных видов топлива — нефти и газа — на этом этапе оставалась в пределах 15—21%, несмотря набольшие усилия по увеличению абсолютных уровней их добычи за 30 лет в 6,6 раза. Базой энергоснабжения народного хозяйства в этот период был уголь, добыча которого с 1928 по 1955 г. увеличилась почти десятикратно, а доля в общем производстве энергоресурсов возросла от 29 до 59 %. Вместе с быстрым ростом доли гидроэнергии (от 0,1 до 2%) это позволило осуществить основную перестройку структуры производства энергоресурсов в этот период — вытеснить из энергетического баланса местные виды топлива (торф, дрова и т. д.), доля которых сократилась от 56% в 1928 г. до 18% в 1955 г. (см. 1.2).

Наряду с коренным улучшением структуры производства энергоресурсов в направлении роста их потенциала главными принципами технической политики в области энергетики в минувшем двадцатилетии оставались концентрация производства и централизация энергоснабжения. Развитие энергетики велось преимущественно за счет крупнейших топливных баз: Донбасс и Кузбасс в сумме давали более 50% добываемого в стране угля. Урало-Поволжская и Западно-Сибирская нефтеносные провинции — более 70% добычи нефти, три газоносные провинции, чередуясь составом, обеспечивали 75 — 85% добычи природного газа. В стране действуют крупные угольные разрезы, газовые промыслы, нефте- и газопроводы, нефтеперерабатывающие заводы, электростанции. Концентрация производства обеспечивала сжатые сроки создания крупнейших энергетических комплексов, повышенную эффективность, рост производительности труда. В свою очередь, она определялась быстрой централизацией топливо- и энергоснабжения, уровень которой поднялся в электроэнергетике от 88% в 1979 г. до 97,3% в 1980 г., в газовой промышленности— примерно до 98%; полностью централизовано нефте-снабжение народного хозяйства

В краткосрочной перспективе влияние роста цен на топливо определяется эластичностью замены топлива электроэнергией и фондами. В среднесрочной и долгосрочной перспективе рост цен сопровождается заменой топлива другими факторами производства, изменением отраслевой структуры производства, соответствующим снижению энергоемкости национального дохода. Однако, если не предпринимать специальных мер, переход к более дорогому топливу может вызвать замедление экономического роста. Это обусловливается следующим:

Решение этих задач требует, во-первых, предельно напряженной работы всех топливно-энергетических и смежных остраслей, особенно машиностроения и строительства, а также больших усилий по экономии энергетических ресурсов. Во-вторых, оно невозможно без крупных перестроек отраслевой (технологической) и территориальной структуры производства энергетических ресурсов.

Производство жидкого топлива. Предусматриваемый в 1-й фазе комплекс мер по стабилизации уровней добычи и потребления в стране нефтетоплива отнюдь не гарантирует автоматического выполнения того же во второй фазе переходного периода. Действительно, эффективное развитие народного хозяйства тесно связано с его дальнейшей моторизацией, требующей не только абсолютного, но и относительного наращивания расхода энергии на мобильные силовые процессы, т. е. дальнейшего увеличения их доли в общем потреблении конечной энергии. В условиях быстрого роста затрат на производство традиционного нефтетоплива это чрезвычайно осложняет проблему выбора оптимальной динамики структуры производства жидкого (моторного) топлива в переходный период.

4. Нужно существенно повысить надежность и качество электроснабжения потребителей за счет совершенствования структуры производства электроэнергии, повышения уровней резервирования, дальнейшего электросетевого строительства, улучшения хозяйственного и диспетчерского управления ЭЭС.

В последние годы в нефтепереработке капиталистического мира наметилась тенденция к изменению структуры производства целевых нефтепродуктов

Характерной особенностью кристаллизации сварного соединения является образование зональной структуры, состоящей из ядра, переходной зоны и неизменяемой зоны основы. Ядро при сварке плавлением представляет закристаллизовавшуюся жидкую фазу, которая может состоять из гомогенных кристаллов, твердого раствора замещения или внедрения, интерметаллидов, механической смеси кристаллов и примесей. Структура ядра определяет качество и надежность соединения. Поэтому при контактировании необходимо стремиться к идеальному гомогенному кристаллическому переходу путем подбора материалов с одинаковыми физико-механическими свойствами, строением кристаллической решетки и электронной структуры или таких, для которых выполняется условие образова-

Теория метода. Метод сопротивления растекания точечного контакта основан на измерении сопротивления структуры, состоящей из полупроводникового образца и металлического зонда, установленного на его плоской поверхности. Если металлический зонд имеет с поверхностью полупроводника омический контакт малой площади, то сопротивление структуры, измеряемое при пропускании тока через этот контакт, называют сопротивлением растекания. Предполагается, что второй контакт к полупроводнику представляет собой контакт большой площади с пренебрежимо малым сопротивлением, расположенный на большом расстоянии от металлического зонда.

Для конденсаторов многослойной структуры, состоящей из последовательно нанесенных диэлектрических и проводящих слоев, емкость

При получении эпитаксиальных слоев одного типа проводимости расплав может быть использован многократно, что снижает удельный расход металлов-растворителей. Для этого его подпитывают летучим компонентом, подаваемым к поверхности расплава в элементарной форме или в виде соединений, например фосфина. При создании в одном технологическом цикле структуры, состоящей из двух слоев разного типа проводимости, после наращивания первого слоя, легированного, например, донорной примесью (теллуром), подложки извлекают из расплава, который перекомпенсируют, легируя примесью другого типа проводимости, например цинком. Его подают к поверхности расплава в элементарной форме или в виде газообразного соединения, например диэтилцинка. После

Сказанное иллюстрирует 8-6, на котором изображено изменение удельного сопротивления по толщине структуры, состоящей из эпитаксиальной пленки /г-типа толщиной 20 мкм с удельным сопротивлением 4 Ом • см, осажденной при температуре 1200°С на подложку из кремния, легированного сурьмой. Подложка имеет удельное сопротивление 0,01 Ом-см. Постепенное изменение удельного сопротивления по толщине указывает на то, что во время операции осаждения имела место заметная диффузия.

Устройство экрана и маски показано на 277. Экран 2 выполняется в виде мозаичной структуры, состоящей из зерен люминофора трех цветов свечения — красного, зеленого и синего, расположенных тройками (триадами) так, чтобы электроны каждого из трех лучей R, G, В попадали только на зерна «своего» цвета. Так как мозаика создается с помощью той же маски, из точек, в которых происходят отклонения лучей, видны зерна соответствующих цветов.

В заключение отметим, что вид БАХ структуры, состоящей из двух полупроводниковых слоев, разделенных диэлектрической пленкой, прозрачной для туннелирующих электронов, такой же, как и для МДМ-структур.

такта с расплавом на дно формы иногда кладут пластинку никеля. Низ формы герметизируют обмазкой из смеси кварцевого песка с жидким стеклом. Соприкосновение расплава с холодильником приводит к быстрому образованию столбчатых кристаллов в нижней части слитка, а медленное опускание холодильника и стоящей на нем формы вызывает преимущественный рост кристаллов в вертикальном направлении 1. Это приводит к образованию во внутренней части отливки крупнокристаллической столбчатой структуры, состоящей из кристаллов, ориентированных осью [100] в направлении движения фронта кристаллизации. Возникающее улучшение магнитных свойств (по сравнению с тем же сплавом без направленной кристаллизации отливки) объясняется главным образом тем, что кристаллографическая текстура создается в направлении оси [100] легкого намагничивания. Кривая размагничивания при ориентации поля вдоль этой оси получается более выпуклой при одновременном увеличении Ясв и Вг. Частичное улучшение магнитных свойств за-

в тормозном — VI, V4 (тормозные). Управление пусковыми тиристорами осуществляется от мостовой диодной структуры, состоящей из разделительной (V7— V9) и выпрямительной (V10—V12) групп диодов, между которыми включен

Двухслойная структура. На 3.5.10 показан пример двухслойной структуры, в которой слой a-SiGe служит генерирующим носителем слоем, чувствительным к инфракрасному свету (последний не может поглощаться слоем a-Si;H). Фотогенерируемые в a-SiGe электроны инжектируются в слой a-Si: Н, дырки, которые генерируются светом в слое a-SiGe, движутся к поверхности, где нейтрализуются электронным пучком. Если толщинаатоя a-SiGe достаточно мала по сравнению с толщиной a-Si: Н, то переносом дырок в слое a-SiGe можно пренебречь. Для наблюдения переноса электронов в слое a-Si: Н должны выполняться следующие условия: во-первых, необходимо изготовить слой a-SiGe с высокой фотопроводимостью, чувствительный к свету с длиной волны больше 800 нм; во-вторых, должна быть эффективной инжекция носителей из слоя a-SiGe в спой a-Si: H. Этот метод выглядит многообещающим, если учесть тот факт, что к.п.д. солнечных элементов возрастает [133] при использовании каскадной структуры, состоящей •

двухслойной структуры, состоящей а-