Структуры показанной

Выбор оптимальной структуры определяется из реальных условий по минимуму трудозатрат.

Доменная структура зависит от ряда причин. Так, например, если поверхность ферромагнитного кристалла слегка наклонена к плоскости, в которой лежат оси легкого намагничивания, то образуются фигуры в виде «елочек». Характер структуры определяется также микронеоднородностью материала, различными дефектами, упругими напряжениями и др.

Эквивалентная (полная) емкость МДП-структуры определяется из соотношения Сэкв = С0С/(С0 + С). Практическое применение эффекта поля в полевых транзисторах подробно рассмотрено в.гл. 6.

При контакте однотипных полупроводников не образуется слой с малой концентрацией носителей заряда. Поэтому сопротивление структуры определяется в основном сопротивлением ее высокоомной области. Такие переходы не обладают также выпрямляющим эффектом, другим их

Емкость МДП-структуры определяется соотношением

В БМК на основе И2Л-структур широко применяется ячейка, топология которой изображена на 2.15. В ячейку входят трех- или четырехколлекторные И2Л-структуры, каждая из которых представляет собой логический элемент НЕ с разветвлениями по выходу. Максимальное число коллекторов И2Л-структуры определяется минимально допустимым коэффициентом передачи по току Bt = /К///Б, где /к, — ток j'-ro коллектора; IB — полный ток базы [1,5]. Число И2Л-структур в ячейке определяется набором элементов самого сложного функционального узла библиотеки (тактируемого D-триггера). Инжекторы обеспечивают питание двух зеркально расположенных И2Л-структур.

Важная особенность интегральных конденсаторов заключается в том, что их емкость зависит от изменения напряжения, приложенного к р-я-переходу. Максимальное значение удельной емкости конденсатора достигается тогда, когда напряжение внешнего смещения равно нулю и емкость структуры определяется только диффузионным, или контактным, потенциалом срк. Однако такой режим работы конденсатора практически неприемлем. Исключение представляет случай очень малой амплитуды напряжения, поскольку переход должен находиться в непроводящем состоянии при любой фазе приложенного напряжения. Кремниевый переход является непроводящим до напряжения (потенциала) фк = (0,5-=-0,7) В, приложенного в прямом направ-

Емкость конденсаторной структуры определяется соотношением

Однородность распределения толщины и удельного сопротивления по площади структуры определяется в основном конструктивными особенностями аппаратуры, используемой для получения эпитаксиального слоя. Она должна обеспечивать однородность температуры по площади подложки и состава контактирующей с ней газовой фазы. Структурные дефекты в эпитаксиальном слое появляются в результате наследования ими аналогичных дефектов из подложки, а также вследствие загрязнения растущего эпитаксиального слоя химическими соединениями, образующимися в результате взаимодействия осаждаемого элементарного полупроводника с остаточными кислород- и угле-родсодержащими газами в атмосфере, реактора. Неоднородный нагрев структуры в процессе эпитаксиального роста приводит к возникновению в ней напряжений, генерирующих различные структурные дефекты. Поэтому другим направлением улучшения технологии однослойных эпитаксиальных структур является совершенствование аппаратуры и повышение стерильности процесса.

При анализе характеристик интегральных резисторов необходимо иметь в виду, что они представляют собой распределенные ЛС-струк-туры. В ИМС с изолирующим p-n-переходом паразитная емкость RC-структуры определяется зарядной емкостью изолирующего р-п-перехо-да. При диэлектрической изоляции, а также для пленочных резисторов паразитная емкость - это емкость резистивного слоя относительно .подложки.

Поток тепла от полупроводниковой структуры определяется рядом внутренних факторов: теплопроводностью, формой и размерами кристалла, качеством соединения кристалла с основанием, теплопроводностью материала основания, формой и размерами основания прибора, а также тепловым сопротивлением выводов. Все эти факторы задают значение внутреннего теплового сопротивления прибора RCT-K. Следует подчеркнуть, что /?Ст-к определяет предел нагрузочной способности полупроводникового прибора, за-

Рассмотрим особенности использования типовой структуры, показанной на 5.1, на различных уровнях архитектуры. Седьмой (в соответствии с рекомендацией ISO [1]) уровень прикладных программ выполняет функции администратора служб системы к призван удовлетворять желания оконечных абонентов в пределах возможностей данной системы. Для обеспечения согласованной работы абонента с системой последний или сам с помощью вызывных приборов и пульта управления вводит систему в целом и ее уровни в желаемые режимы в соответствии с характером передаваемой информации или воздействует на прикладные программы» хранящиеся на седьмом уровне, инициируя с их помощью эти режимы. При этом, как правило, не накладывается никаких ограничений на формат оконечного абонента. На седьмом уровне имеется два типа служб (программ или устройств управления). К первому из них относятся службы, инициирующие сессии, обеспечивающие необходимые режимы работы системы при информационном обмене между оконечными абонентами. Ко второму относятся сетевые службы, инициирующие сессии, направленные на выбор конфигурации системы, необходимых ресурсов, контроль за состоянием системы, взаимодействие с другими системами и т. д.

Задание структуры, показанной на 4.4, а, с помощью директивы STRUC имеет вид:

Из анализа структуры, показанной на 2.34, следует, что конденсатор, формируемый на переходе коллектор — подложка, может иметь ограниченное применение, так как вывод подложки является общим для остальной части схемы и заземлен по переменной составляющей тока. Однако этот конденсатор является неотъемлемой частью интегральной структуры, так как присутствует во всех случаях при изоляции элементов ИМС р-п-перехо-дом. Остальные два конденсатора, формируемые на переходах эмиттер — база и база — коллектор, можно исключить из структуры, если не проводит эмиттерную или базовую диффузию.

Данной величине соответствует емкость структуры, показанной на 3.14, а, где выводами являются металлический затвор а и вывод /г-подложки Ъ. В структуре, изображенной на 3.14, б, в качестве нижней обкладки конденсатора используется диффузионная р-область, основной является емкость- диэлектрика, а паразитными компонентами — емкость р—п перехода Срп (барьерная емкость обратно смещенного р—п перехода) и диод Д, действие которого следует учитывать при прямом смещении р—п перехода. Если р-область достаточно протяженная, то необходимо учитывать также диффузионное сопротивление, включаемое в эквивалентной схеме между внутренней точкой и выводом Ь.

Конденсаторы с емкостями порядка десятых долей пикофарады, необходимые в гибридных СВЧ-микросхемах, кроме структуры, показанной на 6.8, а, могут иметь и гребенчатую структуру ( 6.9). Размер гребенки L должен быть малым по сравнению с длиной волны, что легко достигается применением литографии. Конденсаторы такого типа удобны для включения в разрыв микрополосковой линии (см. § 6.5). Обкладки 1 и 2 совмещают с проводниками линии.

43. Почему для структуры, показанной на 7.29, а, в базе переключательного транзистора существует ускоряющее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллекторам? Чем определяется напряженность этого поля и на какие параметры элемента И2Л оно влияет?

Принцип действия. При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при наличии напряжения на стоке ток стока оказывается ничтожно малым. Он представляет собой обратный ток p-n-перехода между подложкой и сильнолегированной областью стока. При отрицательном потенциале на затворе (для структуры, показанной на 6.8, а) в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших t/зипир) У поверхности полупроводника под затвором возникают объединенный основными носителями заряда слой и область объемного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе, больших порогового {/зи.юр, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является проводящим каналом между истоком и стоком. С изменением напряжения на затворе изменяется концентрация носителей заряда в проводящем канале, а также толщина или поперечное сечение проводящего канала, т. е. происходит модуляция сопротивления проводящего канала. Основной причиной модуляции сопротивления проводящего канала в МДП-транзисторах с индуцированным каналом является изменение концентрации носителей заряда в проводящем канале; в полевых транзисторах с управляющим переходом — изменение толщины или поперечного сечения канала.

Рассмотрим принцип вывода информации из ПЗС на примере структуры, показанной на 4.41. Пусть записанная в ПЗС информация в виде зарядовых пакетов дырок находится под затворами с четными номерами (на 4. 41, а зачернены). Если на «нечетные» затворы подать напряжение (7,<;0, а на затворы с четными номерами — отрицательное напряжение f/2( U2\ > U\ \ ), то между каждой парой затворов (1-2, 3-4, 5-6 и т. д.) возникнет электрическое поле. Вектор напряженности этого поля направлен от затворов с нечетными номерами к затворам с четными номерами, и четные затворы работают в режиме хранения информации.

Из анализа структуры, показанной на 2.35, следует, что конденсатор, формируемый на переходе коллектор — подложка, может иметь ограниченное применение, так как вывод подложки является общим для остальной части схемы и заземлен по переменному току. Однако этот конденсатор является неотъемлемой частью структуры интегральной схемы, так как присутствует во всех случаях при изоляции р-я-переходом. Остальные два конденсатора, формируемые соответственно на переходах эмиттер — база и база — коллектор, можно исключить из структуры, если не делать эмит-терной или базовой диффузии.

Вернемся к рассмотрению многоуровневых схем автоматов. В общем случае такие схемы могут быть представлены в виде структуры, показанной на 8.1. Подсхема А имеет большое число входов и существенно меньшее число выходов и позволяет преобразовать множество Авх= = {*i, ..., XL, Гь ..., TR} переменных большой мощности в множество АВЫх переменных ограниченной мощности ( Авх»АВых). Число элементов множества АВЫх достаточно для представления всех входных наборов значений переменных из множества Авх, существенно влияющих на переходы в МПА. Подсхема С имеет малое число входов и большое число выходов и позволяет преобразовать множество Сих входных переменных ограниченной мощности в множество СВых={г/ь • •-, J/N, ?>ь ..., DR} выходных переменных существенно большей мощности (СВых >• С„х). Число элементов множества Свх достаточно для представления в закодированном виде всех наборов значений пере-