Структуры необходимо

Диэлектрическое основание ПП или МПП должно быть однородным по цвету, монолитным по структуре и не иметь внутренних пузырей и раковин, посторонних включений, сколов, трещин и расслоений. Допускаются одиночные вкрапления металла, царапины, следы от удаления одиночных невытравленных участков, точечное и контурное посветление, проявление структуры материала, которые не ухудшают электрических параметров ПП и не уменьшают минимально допустимых расстояний между элементами проводящего рисунка.

Температурный коэффициент магнитной индукции зависит кроме химического состава и структуры материала от относительных размеров магнита (коэффициента размагничивания), степени предварительного размагничивания, а также (в общем случае) от t0 и Д/, На 12.3 изображены кривые размагничивающего участка гистерезисной петли при разных температурах для сплава ЮНДК24; по ГОСТ 17809—72 предусмотрен выпуск нескольких марок сплавов этой группы, незна-

Период работы электрических машин /// характеризуется увеличением интенсивности отказов. С момента времени t^ элементы и узлы машины начинают отказывать чаще, что вызвано их старением и износом. У электрических машин в этот период отмечается существенное нарушение свойств изоляции, уменьшение ее электрической прочности, износ тел качения подшипников, изменение структуры смазки, износ коллектора и изменение структуры материала коллекторных пластин, повышение вибрации и т.д.

С образованием объемных зарядов связана поляризация гетерогенных диэлектриков, содержащих проводящие макровключения. Примерами таких диэлектриков служат влажные материалы, у которых имеются водяные включения, или пищевые продукты и древесина, имеющие клеточное строение. Клетки разделены диэлектрическими перегородками, а внутри клеток содержится электропроводящая жидкость. При внесении таких неоднородных материалов в электрическое поле свободные электроны и ионы, содержащиеся в проводящих или полупроводящих включениях, перемещаются в пределах каждого включения, которое приобретает дипольный момент и ведет себя подобно гигантской поляризованой молекуле [7]. В данном случае неоднородность структуры материала приводит к ограниченному перемещению зарядов, которые, являясь свободными в пределах одного макровключения, ведут себя аналогично связанным зарядам, так ]как их передвижение ограничено неоднородностью вещества.

Наибольший интерес представляет использование тонкопленочных металлических магнитных материалов в микроэлектронных запоминающих устройствах (ЗУ), где в качестве элемента памяти применяются тонкие магнитные пленки. Эти пленки позволяют создавать надежные быстродействующие ЗУ с малой мощностью управления. Весьма перспективны устройства.памяти на цилиндрических магнитных доменах. Плотность записи таких устройств достигает 105 бит/см2 при скорости обработки информации 3-10Ь бит/с. Преимущество этих устройств заключается также в том, что магнитные домены могут составить систему идентичных элементов, реализующих функции логики, памяти и коммутации без нарушения однородности структуры материала носителя информации. Следовательно, кристалл на магнитных доменах является вычислительной средой, на поверхности которой посредством системы внешних аппликаций можно размещать схемы, реализующие различные комбинации логических и переключающих функций и функций памяти.

На 17-34, а показано устройство термистора, представляющего собой шарик из смеси двуокиси титана с окислами магния, кобальта и ванадия, заключенный в защитную оболочку. При нагревании термистора изменяется его сопротивление. На 17-34, б изображен полупроводниковый тензометрический преобразователь деформации. Термически обработанная тензолитовая нить из смеси графита с шеллаком (канифолью) или смеси сажи с бакелитом наклеивается непосредственно или с бумажной подкладкой на деталь. Деформация детали приводит к изменению длины, сечения и структуры материала нити, что вызывает изменение ее сопротивления.

Все виды радиоактивного излучения, проходя через материал, взаимодействуют либо с ядрами атомов, либо с электронами. При этом происходит возбуждение электронов, смещение атомов из узлов решетки и возбуждение атомов и молекул частицами или квантами высоких энергий радиоактивного излучения. Вторичные явления проявляются в каскадном возбуждении и нарушении структуры материала выбитыми атомами, ионами и элементарными частицами, в результате чего изменяется структура облучаемого материала. Одним из видов изменения структуры является образование вакансий в кристаллической решетке при столкновении частиц большой энергии или при взаимодействии квантов радиоактивного излучения с атомами твердого тела. Атомы, выбитые из своих устойчивых положений в решетке, могут оставаться в промежуточном, неустойчивом положении, образуя группу внедренных атомов. Если внедренный атом рекомбиниругт с образованной им вакансией, то не возникает нового дефекта, но происходит атомное замещение, приводящее к разупорядочению кристаллической решетки.

Среди газов наибольшим коэффициентом теплопроводности обладают водород и гелий. Для газов коэффициент теплопроводности с увеличением температуры возрастает, для жидкостей же с увеличением температуры I убывает (исключение составляют вода и глицерин). Для чистьк металлов с увеличением температуры Я уменьшается. Для диэлектриков с увеличением Т в большинстве случаев увеличивается А он зависит также от структуры материала, его пористости и влажности.

Терморезистивная керамика является полупроводником с большим положительным значением температурного коэффициента сопротивления. Ее изготовляют на основе твердых растворов титанатов бария и стронция, титаната и станната бария, у которых точка Кюри по сравнению с титанатом бария смещена в сторону низких температур. Вводимые добавки некоторых окислов (ниобия, сурьмы и др.) действуют в этой системе как доноры, способствующие появлению электронной электропроводности. 'При переходе температуры через точку Кюри происходит существенное изменение структуры материала, вызывающее сильное падение электрической проводимости. Применяются эти материалы в различных устройствах стабилизации тока, ограничения и регулирования температуры и др.

3. Структурное старение — необратимые изменения структуры материала со временем и связанные с ними необратимые изменения магнитных свойств.

Характеристики постоянных магнитов изменяются от воздействия внешних магнитных полей, от колебания температуры и механических сотрясений. Наибольшее влияние этих воздействий наблюдается у сталей, закаливаемых на мартенсит; при некоторых условиях, особенно в случае большого размагничивающего коэффициента (разомкнутая магнитная система), намагниченность их может уменьшаться на десятки процентов. У литых и металлокерамических никельалюминиевых сплавов изменения, вызываемые этими воздействиями, невелики (не более чем на 1—1,5%). Вредные последствия указанных выше влияний могут быть двоякого рода: либо в виде нарушения структуры материала (структурное старение), либо нарушения магнитного состояния (магнитное старение). Для восстановления структуры материала необходима повторная термообработка, восстановление же магнитных свойств достигается повторным намагничением.

Классификация электрических цепей. Для того, чтобы на базе равенств (1.8) и (1.9) составить законченную математическую модель цепной структуры, необходимо указать закон связи между током i в каждом элементе и возникающим при этом напряжением и. Классификацию цепей проводят на основании характерных особенностей таких связей.

В методе эквивалентных преобразований последовательно заменяются отдельные участки цепи эквивалентными подцепями, в результате чего происходит существенное упрощение структуры. В процессе упрощения структуры необходимо оставлять без

Для определения зависимости C(U) используют также высокочастотные измерительные мосты, позволяющие измерять не только емкость, но и проводимость структуры. Если одновременно с измерением высокочастотной вольт-фарадной характеристики структуры необходимо измерить ее низкочастотную характеристику, то обычно применяют квазистатический метод. В этом случае на последовательно соединенные МДП-структуру и резистор подается линейно возрастающее во времени (пилообразное) напряжение. Сила тока в этой последовательной цепи пропорциональна емкости структуры, а напряжение на резисторе пропорционально току. Напряжение на резисторе усиливается электрометрическим усилителем и регистрируется двухкоординационным самописцем.

транзистор типа р-п-р. Однако усиление такого транзистора очень незначительно, так как его база, роль который выполняет коллекторный слой транзистора ИМС, имеет достаточно большую ширину. Если переход эмиттер — база транзистора типа р-п-р не смещен в обратном направлении, то будет наблюдаться большая утечка тока из резистора в подложку, поэтому «-область этой транзисторной структуры необходимо подключать к источнику питания, сообщающему ей положительный потенциал относительно резистивного р-слоя. Исходная подложка р-типа должна иметь наиболее отрицательный потенциал, чтобы поддерживать переход база — коллектор паразитной транзисторной структуры типа р-п-р в закрытом состоянии.

При радиальной структуре интерфейса все внешние устройства подключаются к ЭВМ через контроллер, который управляет обменом информацией в системе. Весь обмен информацией происходит только между контроллером и функциональным блоком и выполняется по команде контроллера или по инициативе блока. В такую систему обмена информацией вводятся приоритеты для установления дисциплины работы при возникновении нескольких запросов до их обслуживания (очереди). Для радиальной структуры необходимо иметь большую протяженность линий связи, и в связи с этим такой интерфейс применяется при сравнительно небольшом числе блоков.

При выборе наилучшей структуры необходимо сравнение по меньшей мере нескольких вариантов, подкрепленных расчетными данными. Для повышения эффективности выбора системы в сопоставлении и выборе вариантов структур системы на основе работы, выполненной проектировщиком, полезно участие заказчика.

Многоколлекторные транзисторы. Структура многоколлекторного транзистора (МКТ) ( 17.36, а) такая же, как и структура МЭТ, но используется она иначе. Здесь роль эмиттера выполняет эпитаксиальный n-слой, а коллекторами являются высоколегированные и+-слои малых размеров. Поэтому МКТ можно рассматривать как МЭТ в инверсном режиме ( 17.36, б, в). Исходя из такого использования структуры, необходимо увеличивать коэффициент инжекции эмиттера. С этой целью подложку п +-типа располагают по возможности ближе к базовому слою. Будучи высоколегированной, она обеспечивает увеличение коэффициента инжекции.

При формировании многоэмиттерной структуры необходимо стремиться- к уменьшению обратного тока транзисторов. В противном случае в инверсном режиме, когда эмиттеры находятся под обратным напряжением, а коллектор под прямым, носители1, ин<-жектированные коллектором, достигают эмиттеров и в их цепи* несмотря на обратное смещение, будет протекать ток. Чтобы вое-

Многоколлекторные транзисторы. Структура многоколлекторного транзистора (МКТ) ( 1.60, а) такая же, как и структура МЭТ, но используется она иначе. Здесь роль эмиттера выполняет эпитаксиаль-ный л-слой, а коллекторами являются высоколегированные гГ-слои малых размеров. Поэтому МКТ можно рассматривать как МЭТ в инверсном режиме ( 1.60, б, в). Исходя из такого использования структуры, необходимо увеличивать коэффициент инжекции эмиттера. С этой целью подложку п+-типа располагают по возможности ближе к базовому слою.

1. Для исключения возможности локального перегрева структуры необходимо обеспечить минимально гарантированную начальную площадь включения тиристора. Это достигается подачей импульса управления с крутым фронтом нарастания тока (0.1...0.3 мкс) и минимально необходимой амплитудой, которая определяется типом тиристора (0.5...5 А).

Для однооперационных тиристоров с большой площадью структуры необходимо учитывать эффект распространения области включения. Скорость увеличения данной площади пропорциональна плотности анодного тока

малую толщину. Например, как видно из 6.9, а, толщина высокоочищенного GaAs-слоя примерно 2 мкм, а толщина слоя Al0,3Gao,7As около 0,06 мкм. Следовательно, для изготовления такой структуры необходимо использовать метод эпитаксиаль-ного наращивания, обеспечивающий возможность нанесения высококачественного слоя полупроводника AnIBv и притом позволяющий точно контролировать толщину этого слоя. Во множестве случаев для этой цели используются метод молекулярно-лучевой эпитаксии МВЕ (molecular beam epitaxy) и метод металлорганической газофазной эпитаксии MOCVD (metal organic chemical vapour deposition).