Стоимость аппаратуры

где С„дн и Смн — стоимость элементов однократного и многократного действия.

В зависимости от технологии изготовления ЦИС подразделяются на полупроводниковые и гибридно-пленочные. Наиболее перспективными являются полупроводниковые ЦИС, имеющие высокие показатели степени интеграции и меньшую удельную стоимость элементов.

3) надежность и стоимость элементов;

При выборе комплекса логических элементов для построения различных по назначению ЦВМ большое значение имеют надежность и стоимость элементов. Они определяются в первую очередь схемными, конструктивными и технологическими особенностями логических элементов.

3) надежность и стоимость элементов;

При выборе комплекса логических элементов для построения различных по назначению ЦВМ большое значение имеют надежность и стоимость элементов. Они определяются в первую очередь схемными, конструктивными и технологическими особенностями логических элементов.

Однако для систем ФАР принципиально необходимо большое число элементов со строго тождественными характеристиками, не требующих индивидуальной настройки и обладающих высокой эксплуатационной надежностью. Действительно, использование для этих целей микроминиатюрных СВЧ схем ограничено из-за необходимости отбора и настройки каждой схемы. Поэтому переход к интегральным схемам ОВЧ диапазона и ях широкое 'Использование явились практической необходимостью. Использование интегральной технологии, применяемой в микроэлектронике, для построения элементов ФАР позволяет решить множество проблем,, казавшихся ранее неразрешимыми: отпадает необходимость в индивидуальном отборе и настройке элементов, снижается стоимость элементов ФАР, уменьшается мощность, повышается надежность системы в целом.

В расчетах 3П] для промышленных электрических сетей, как правило, равны нулю, а Зпо учитывается только в тех случаях, когда в результате изменения потоков РМ изменяется стоимость элементов электрической сети (ЛЭП, трансформаторов и др.). Таким образом, Зп для НЭП определяются в основном стоимостью потерь ДР и AW при передаче РМ из одной точки электрической сети в другую. Потери ДР и AW вычисляются по формулам:

15.2. Стоимость элементов систем электроснабжения

15.2. Стоимость элементов систем электроснабжения............ 367

В зависимости от технологии изготовления ЦИС подразделяются на полупроводниковые и гибридно-пленочные. Наиболее перспективными являются полупроводниковые ЦИС, имеющие высокие показатели степени интеграции и меньшую удельную стоимость элементов.

щаются сроки строительства, достигается хорошая обозревае-мость, но увеличивается стоимость аппаратуры и усложняется ее обслуживание. Опорные конструкции открытых подстанций выполняются металлическими или железобетонными.

На предприятиях единичного производства количество выпускаемых изделий и размеры операционных партий заготовок и сборочных единиц, поступающих на рабочее место для выполнения технологической операции, исчисляются штуками и десятками штук; на рабочих местах выполняются разнообразные технологические операции, повторяющиеся нерегулярно или неповторяющиеся совсем; используется универсальное точное оборудование; специальные инструменты и приспособления, как правило, не применяют; взаимозаменяемость деталей и узлов во многих случаях отсутствует, широко распространена пригонка по месту; квалификация рабочих очень высокая, так как от нее в значительной мере зависит качество выпускаемой продукции; низкий уровень механизации; высокая стоимость аппаратуры.

на этапе производства сокращает сроки освоения серийного производства радиоэлектронных средств; упрощает сборку, монтаж, снижает требования к квалификации сборщиков и монтажников; снижает стоимость аппаратуры благодаря широкой механизации и автоматизации производства; повышает степень специализации производства;

Применение комбинированных ламп позволяет сократить общее число ламп в аппаратуре, а следовательно, уменьшить размеры и вес, а также стоимость аппаратуры.

аппаратура (приемники, магнитофоны, микрокалькуляторы, часы, электронные игры и т. д.) производится серийно или массово. Чем выше серийность производства, тем меньше стоимость аппаратуры (увеличение объема выпуска изделий на три порядка снижает стоимость изделий на порядок), но подготовка производства занимает больше времени.

Применение для герметизации матричных микросхем безвыводных керамических и пластмассовых носителей кристаллов позволяет существенно повысить плотность компоновки, снизить стоимость аппаратуры, автоматизировать сборочные процессы. Для изготовления носителей кристаллов используют керамику на основе оксида алюминия и оксида бериллия. Носитель кристалла представляет собой обычно квадратное керамическое (пластмассовое) основание с выемкой для установки кристалла, которая закрывается металлической или керамической (пластмассовой) крышкой.

Как указывалось, преимуществом такого метода резервирования является то, что при его применении выход из строя одного из одновременно работающих блоков не приводит даже к кратковременному нарушению функций, выполняемых аппаратурой. Однако в этом случае габариты и стоимость аппаратуры возрастают пропорционально (т + 1), т. е. как минимум в 2 раза, и возникают некоторые сложности в обеспечении нормальной работы аппаратуры при ее параллельном соединении.

Недостатки полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах в некоторой степени могут быть компенсированы ИМС на МДП-транзисторах. Интегральные устройства на основе различных МДП-структур находят широкое применение при проектировании ряда функционально законченных устройств, к которым относятся, например, постоянные и оперативные запоминающие устройства, электронные калькуляторы, микропроцессоры, а также микромощные устройства, предназначенные для использования в медицине и космических системах. Для ИМС на МДП-транзисторах характерны высокая надежность, низкое энергопотребление и большая функциональная сложность, что позволяет значительно снизить стоимость аппаратуры на их основе. Уровень, достигнутый в области проектирования ИМС на МДП-структурах, позволяет при равной функциональной сложности получать гораздо меньшие размеры элементов по сравнению с элементами биполярных полупроводниковых ИМС, причем процесс их изготовления включает меньшее количество технологических операций. При проектировании МДП-ИМС необходимо учитывать ряд общих ограничений, свойственных технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также специфические аспекты МДП-технологии, в частности зависимость свойств МДП-приборов от свойств исходного полупроводникового материала и особенно от состояния поверхности полупроводниковой подложки, контактирующей с диэлектриком. Учет этих особенностей в процессе проектирования позволяет получить приборы с параметрами, изменение которых ограничено некоторыми допустимыми пределами, что обеспечивает выполнение заданной схемотехнической функции.

Стоимость аппаратуры на основе БИС ниже стоимости аналогичной аппаратуры на другой элементной базе. Это объясняется использованием перспективной технологии и уменьшением объема монтажно-сборочных работ. Разработка БИС проводится машинными методами и использует все достижения разработок простых микросхем.

Информационно-вычислительная машина ИВ-БОО [Л. 22-3] основана на цифровом принципе действия и по своим возможностям выделяется среди многих систем автоматического контроля. ИВ-500 серийно выпускается Ленинградским электромеханическим заводом с 1967 г. Приблизительная стоимость аппаратуры на один контролируемый параметр около 600 руб.

Стоимость аппаратуры и количество перерабатываемой информации связаны соотношением