Стеклянных подложках

Полная герметизация обеспечивается в том случае, если изделие помещается в герметически запаянный кожух. Выводы изделия герметизируют с помощью впаянных стеклянных изоляторов. Кожух, в котором находится изделие, может быть заполнен заливочным составом. Для повышения надежности работы изделий,, имеющих подвижные контактные группы, например реле, контакторы и т. п., футляр или кожух, заполняют инертным газом.

что может привести к отказу полупроводниковых элементов ИС. Для крышек и выводов также используют такие дорогие и дефицитные материалы, как золото (покрытие), ковар. Метал-лостеклянными полыми оболочками можно герметизировать не только компоненты, но и блоки РЭС, например бортовое РЭС одноразового действия ( 4.18). Для улучшения теплоотвода от бескорпусных компонентов оболочка заполнена фторсодер-жащим веществом. Внешние выводы изолированы от металлического корпуса с помощью стеклянных изоляторов. Соединение крышки с основанием осуществлено неразъемным паяным или сварным швом.

Для паяных вводов применяют миниатюрные стеклянные проходные изоляторы с фланцами ( 4-14, а). Они предназначены для низкочастотных вводов или выводов питания под напряжением до 1 кВ. Расположение стеклянных изоляторов в крышке перед пайкой фиксируют посредством выдавок. Диаметр выдавки должен превышать диаметр

Уплотнение валиков и рукояток. Герметизация осложняется, если из корпуса должны выходить валики или рукоятки управления. Для уплотнения выхода валика применяют фетровые или фторопластовые сальники ( 8-13). Необходимым условием работы сальника является отсутствие биения при вращении валика и высокая чистота поверхности (не ниже Яг6,3). Герметизация рукояток управления может быть выполнена с помощью резиновых колпачков или сильфонов ( 8-14). Кабельные вводы делают с помощью герморазъемов. Вводы в герметичном корпусе выполняют с помощью проходных изоляторов (см. 4-14). Стеклянные проходные изоляторы без фланцев предназначены для вводов под напряжением до 1 кВ (в зависимости от размеров). При использовании стеклянных изоляторов с фланцами опасность получить ненадежный шов меньше: паяный шов образуется между двумя металлами, а не между стеклом и металлом. Изоляторы с фланцем имеют увеличенные размеры, поэтому в малогабаритных узлах их не всегда удается использовать.

Расположение стеклянных изоляторов в крышке перед пайкой фиксируют путем использования выдавок. Диаметр выдавки должен превышать диаметр изолятора на 0,3—0,5 мм. Глубина выдавки (1—2 мм) определяется толщиной материала. Диэлектрические потери

В гл. 7, 8 будет показано, что при длительном воздействии сильных электрических полей у многих видов внутренней изоляции наблюдается постепенное ухудшение характеристик — электрическое старение, причиной которого являются частичные разряды, т. е. местные разряды, например, в небольших газовых включениях. Однако фарфор и стекло обладают столь высокой стойкостью к частичным разрядам, что они практически не подвержены электрическому старению. Это обстоятельство упрощает конструирование внутренней изоляции фарфоровых и стеклянных изоляторов, так как освобождает от необходимости учитывать сложные процессы, определяющие длительную электрическую прочность изоляции (гл. 8).

Конструкция стеклянных изоляторов аналогична рассмотренным. В связи с тем, что коэффициенты температурного расширения стекла, цемента и арматуры приблизительно одинаковы, в стеклянных изоляторах отсутствует битумная промазка.

с помощью фарфоровых и стеклянных изоляторов.

где ?мр — средняя мокроразрядная напряженность, зависящая от формы изолятора; для фарфоровых и стеклянных изоляторов она лежит в пределах 200—260 кВ/м (табл. 6-1).

Микротрещины в проходных изоляторах могут возникать из-за неудачного выбора материалов для спая стекла с коваром, неправильной конструкции изолятора, вследствие чего стекло работает не на сжатие, а на растяжение, из-за нарушения необходимых допусков либо из-за небрежного обращения с прибором (изгиб внешних выводов вблизи проходных стеклянных изоляторов) .

подняться защитная канавка, разгружа стеклянные изоляторы. Коваровую ножк точно толстой (1 мм), чтобы обеспечить прочность и герметичность стеклянных изоляторов.

Односторонняя на МПП с корпусированными МСБ на стеклянных подложках — запоминающие устройства 9,1 7,6 9,4 650

Гибридные ИС изготовляют на диэлектрических (керамических, ситалловых, стеклянных) подложках.

«Кристалл-20» — предназначена для полуавтоматической подгонки толстопленочных резисторов на керамических, ситалловых, поликоровых или стеклянных подложках. Точность подгонки ±0,1 %, производительность 100 резисторов в час.

Исследовались темновая проводимость и энергия активации слоев a-Si: Н толщиной 0,6-1,0 мкм, приготовленных ВЧ тлеющим разрядом на стеклянных подложках при различных температурах.

2. Транзисторы изготавливаются при низких температурах (< 350°С), так что возможно их применение в приборах большой площади на стеклянных подложках малой стоимости.

Рассмотрены последние достижения в области получения тонкопленочных транзисторов (ТПТ) на основе поликристаллического кремния на стеклянных подложках. Обсуждаются свойства пленок поликристаллического кремния, полученных осаждением в высоком или сверхвысоком вакууме. Подвижность Электронов под влиянием поля в этих ТПТ достигает 40 см2/ (В • с). Матрица дисплея на жидких кристаллах 10 X 10 с элементами переключения на ТПТ дает высокое отношение контрастности, равное 20 : 1. Рассматривается также изготовление 21-кас-кадного генератора на ТПТ со временем задержки распространения сигнала < 200 не.

До создания ТПТ на стеклянных подложках было проведено множество экспериментов. В качестве полупроводниковых материалов использовались CdS, CdSe и Те. Однако было трудно получить приемлемый уровень воспроизводимости, а также стабильности характеристик транзисторов в случае дисплеев большой площади. В последнее время в качестве нового материала был предложен аморфный гидрогенизированный кремний (a-Si : Н) [24, 25]. Несмотря на ряд преимуществ a-Si : Н перед другими упомянутыми выше полупроводниковыми материалами,

Пленки CS2, получаемые плазменной полимеризацией и содержащие Те и Bi, изготавливались на стеклянных подложках и подложках из ПММА с помощью ТР в газе CS2 в процессе напыления металла [33]. Изучались четыре структуры для записи ( 7.3.5) - однослойные (а), двухслойные (б) (состоят из пленки CS2, содержащей Те или Bi, и пленки CS2, служащей тепловым барьером), с противоотражающим тройным слоем и пленкой А1 для минимизации отражения при "записывающих" длинах волн (в) и с защитным полислоем (г), в котором пленка CS2, содержащая Те или Bi, является прослойкой между пленками CS2 для сведения к минимуму отражения (здесь имеется также А1 - отражатель) . Рентгенодифракционные измерения позволили установить, что изменение ПП этих пленок можно связать с включениями Те и Bi в аморфной фазе, которая кристаллизуется при нагреве. Дифференциальные калориметрические измерения показали, что имеются эк^отермичес-

На 7.3.8 показаны изменения пропускания пленок ТеО на стеклянных подложках с различными величинами отношения Те/О при нагреве вплоть до 300 °С. Пропускание свежеосажденных пленок зависит от атомного соотношения; оно уменьшается с увеличением содержания Те. На каждой кривой имеется некоторая критическая точка, выше которой пропускание ступенчато падает. Температура перехода также зависит от атомного отношения, причем она уменьшается с ростом содержания Те от 130 °С при х = 1,2 до 80 °С при х = 0,8. На пленках с более низкими температурами перехода можно ожидать более высокой чувствительности при оптической записи.

Для оценки стабильности пленок ТеО^. по отношению к температуре и влажности образцы пленок на стеклянных подложках длительное время выдерживали в сухой атмосфере при 50 °С и во влажной атмосфере при 40 °С и относительной влажности 90 %. На .7.3.9 показаны типичные кривые уменьшения пропускания пленок ТеО^ с различным атомным отношением. Как видно из 7.3.9, а, при температуре 50 °С пленка, обогащенная Те (х = 0,8), заметно деградирует через несколько суток. Напротив, пленки с низкой концентрацией Те (х = 1,1 или 1,2) не деградируют в течение 50 сут. Результаты свидетельствуют о том, что на образце с более высокой температурой перехода (см. 7.3.8) деградация выражена слабее. На основании полученных данных можно ожидать удовлетворительной температурной стабильности пле-

Исследовались темновая проводимость и энергия активации слоев a-Si: Н толщиной 0,6-1,0 мкм, приготовленных ВЧ тлеющим разрядом на стеклянных подложках при различных температурах.