Статическую характеристику

Дисперсионная среда, окружающая частицу воды, несет заряды, противоположные по знаку заряду воды и распределенные неравномерно. Большую плотность имеют заряды дисперсионной среды в слоях, ближайших к частице воды, по мере удаления от последней плотность этих зарядов убывает. Одноименные заряды частиц воды в статическом состоянии эмульсии препятствуют слиянию этих частиц.

Рассматриваемая в [39] модель высоковольтного выключателя учитывает повреждения выключателя в статическом состоянии, при оперативных переключениях и при автоматическом отключении поврежденного присоединения (системы сборных шин). Расчетный собственный параметр потока отказов

выключателя отражает повреждения в статическом состоянии и при оперативных переключениях:

где <ов — табличный параметр потока отказов выключателя; ав С1 — относительная частота отказов выключателя в статическом состоянии, равная 0,1 для масляных выключателей и 0,2 для воздушных выключателей; t/B.on — относительная частота отказов выключателя при оперативных переключениях; Non-~-количество операций выключателем за год. Количество операций выключателем за год

ному значению превышает потенциал базы открытого транзистора. В момент запирания транзистора Т1 на его коллекторе образуется отрицательный потенциал, равный — Ек. Этот потенциал мгновенно передается через резистор R1 на базу транзистора Т2 и открывает его. На коллекторе открывшегося транзистора Т2 потенциал становится близким к нулю и, поступая совместно с напряжением смещения +?см на базу транзистора Т1, надежно закрывает его до прихода на вход следующего запускающего импульса. В промежутке времени t\ — /2 между двумя запускающими импульсами 03ап схема находится в статическом состоянии: транзистор Т2 открыт и насыщен, а транзистор 77 закрыт. Из этого состояния схему выведет следующий запускающий импульс, приходящий в момент времени fa- Импульс поступает на базы обоих транзисторов и, как в предыдущем случае, закрывает открытый транзистор Т2, на коллекторе которого появляется отрицательный потенциал. Этот потенциал поступает на базу транзистора Т1 и открывает его. Появившийся на коллекторе транзистора Т1 нулевой потенциал совместно с напряжением смещения +ЕСЫ закрывает транзистор Т2. Схема переходит во второе состояние устойчивого равновесия, в котором будет находиться до прихода следующего запускающего импульса.

Рассмотренные элементы памяти являются статическими — записанная в триггерах информация хранится в статическом состоянии без изменения, ни обновляясь, не перемещаясь, до записи новых данных. В динамических запоминающих устройствах записанная информация постоянно перемещается или обновляется. Это в некоторой степени усложняет систему в целом, но позволяет на 2—3 порядка снизить во время хранения потребляемую энергию питания. Динамический элемент памяти может быть выполнен на основе запоминающего конденсатора С ( 131, г). При записи данных происходит одновременное отпирание транзисторов VT1 и VT2 и через их малые внутренние сопротивления осуществляется зарядка (если необходимо запомнить 1) или разрядка (если запоминается 0) конденсатора С. В режиме хранения транзисторы VT1 и VT2 заперты и конденсатор медленно разряжается через входное сопротивление транзистора VT5 и весьма большое внутреннее сопротивление запертых транзисторов VT1 и VT2. Если время хранения информации (логической 1) больше (2—4) 10~3 с, то конденсатор С необходимо периодически подзаряжать, подключая его к источнику напряжения питания. Таким образом, в режиме хранения тратится очень малая энергия на подзарядку конденсатора (емкость которого мала — несколько пикофарад. При этом обычно в качестве конденсатора С используется входная емкость транзистора VT5).

Наоборот, при резком включении достаточно большого прямого тока ( 2.20, б) в первый момент прямое сопротивление оказывается больше, чем в статическом состоянии, и только спустя некоторое время /уст, в течение которого произойдет накопление неосновных носителей заряда в объеме полупроводника, сопротивление и падение прямого напряжения уменьшатся до значений, измеряемых на постоянном токе. При коротком импульсе прямого тока этот процесс может не завершиться, и тогда прямое сопротивление диода будет повышенным.

КМДП-ИМС практически не потребляют мощность ни в одном из логических стационарных состояний, что обусловлено самой конфигурацией инвертора. В статическом состоянии п- и р-ка-нальные транзисторы не могут быть открыты одновременно. Поэтому полный статический ток равен лишь току утечки закрытого транзистора. Такие схемы расходуют энергию только при

2. Потребляемая мощность. Одни логические элементы потребляют большую мощность в статическом режиме, которая лишь незначительно увеличивается в момент переключения, другие, наоборот, характеризуются относительно невысокой мощностью в статическом состоянии и значительным увеличением ее во время переходных процессов. Логические элементы с малым потреблением мощности в динамическом режиме характеризуются средней потребляемой мощностью. Статическая мощность потребления определяется величинами /П0т и ?/Пот при постоянном входном сигнале С/вх. Для двух состояний ЛС («О» и «1») определим соответственно Р0ПОТ и Р'пот:

дится в области переключений. В статическом состоянии рабочая точка в этой области находиться не должна.

Из теоремы Гаусса вытекает важное следствие, что электрический заряд на заряженном проводящем теле любой формы распределяется на его поверхности или, точнее, в весьма тонком слое вблизи поверхности. Напряженность поля внутри проводника при статическом состоянии зарядов должна быть равна нулю. Действительно, при наличии электрического поля в проводящей среде свободные электрически заряженные частицы придут в движение и, следовательно, статическое состояние установится только тогда, когда напряженность поля внутри проводника во всем его объеме станет равной нулю. Поэтому, проводя любую замкнутую поверхность внутри проводящего тела, получим поток ЧЕ = ф Е ds сквозь эту

1.21. Ферритовый кольцевой сердечник с внешним диаметром D = 3 мм и внутренним диаметром d = 2 мм выполнен из магнитного материала, имеющего прямоугольную статическую характеристику ( 1.21). Построить статическую характеристику сердечника.

Графическое решение уравнения (3.10) совместно с магнитными характеристиками материала сердечников позволяет весьма просто получить статическую характеристику усилителя. Рассмотрим порядок ее построения ( 3.13).

Взяв течки пересечения линии нагрузки с характеристиками магнитного материала, легко получить зависимость Нт = f (H0), которая в другом масштабе представляет статическую характеристику усилителя /„ = f (/,).

Рассмотрим, как влияет введение обратной связи на статическую характеристику. усилителя (. 3.18, а). Принимая во внимание, что закон равенства м. д. с. (3.8) справедлив для магнитного усилителя независимо от того, имеет он обратную связь или нет, можно утверждать, что характеристика усилителя, построенная в координатах напря-женностей Нср = f (Я0), останется неизменной и при введении обратной связи. Все отличие будет заключаться в том, что если ранее Н0 = =Яу,то при наличии обратной связи Я0 = ЯУ +НОС- Поэтому для получения требуемой зависимости Яср = f (Hy) необходимо исключить

Статическую характеристику двухтактного усилителя с обратной связью можно построить аналогично характеристике Яср =- / (Ну) однотактного усилителя.

3. Нарисуйте статическую характеристику вход—выход магнитного усилителя и определите параметры, характеризующие его.

6. Постройте статическую характеристику усилителя с помощью эллипса нагрузки для случая активной, активно-индуктивной и чисто индуктивной на-грузйи. >••;-. . .

637. Температурам 278, 283, 288, 293, 298 и 303 К соответствуют следующие сопротивления платиновой нити: 100, 120, 150, 200, 270 и 400 Ом. Построить статическую характеристику и найти сопротивление нити при 290, 296 и 301 К.

653. На 65, а показана схема устройства для измерения с помощью датчика Холла угла поворота заслонки а. Построить статическую характеристику датчика, учитывая, что его эдс пропорциональна составляющей вектора напряженности, перпендикулярной поверхности датчика.

657. На 3 приведена схема конденсатора, используемого в качестве датчика угла поворота. Найти статическую характеристику/ =/(а) и чувствительность датчика, если расстояние между пластинами / = 0,0] м, радиус полуокружности R = 0,2 м. Конденсатор подключен к источнику переменного напряжения 20 В частотой 50 Гц.

660. На 66 представлена схема устройства для измерения уровня с помощью трех пар излучатель — фотоэлемент. Построить статическую характеристику датчика Е = f(h) при последовательном подключении фотоэлементов к индикатору, если ?i = Е2 = Е3 = Ей.