Статическое состояние

Статическое сопротивление дает представление о соотношении конечных значений напряжения и тока нелинейного элемента и определяется в соответствии с законом Ома. Например, для точки А в. а. х. ( 1.21,6) статическое сопротивление

В некоторых двухполюсниках, например в лампах накаливания, нелинейность ВАХ обусловлена нагревом, причем в силу инерционности тепловых процессов для мгновенных значений синусоидальных тока и напряжения справедливо соотношение и =''СТСО ', где статическое сопротивление г (/) = U/I равно отношению действующих значений

ные а. в. х., отдельные участки которых могут входить во многие характеристики самых разнообразных нелинейных элементов. Статическое сопротивление в точке а этих характеристик пропорционально тангенсу угла наклона а к оси токов луча, проведенного из начала координат через заданную точку а характеристики-

Как видно из 1-15, статическое сопротивление пропорционально тангенсу угла а, образованного секущей, проведенной из начала координат в рассматриваемую точку характеристик, с осью /:

Так как статическое сопротивление н. э.-1 больше

его дифференциального сопротивления (rCT1>rai), а статическое сопротивление н. э.-2 меньше его дифференциального сопротивления (Гст2 <С '>.'.)' то используются уравнения для тока и напряжения.

Статическая петля гистерезиса 42 Статическое сопротивление 21 Степенным полиномом аппроксимация

Применение транзисторов в фильтрах основано на различии их сопротивлений для постоянной и переменной составляющих коллекторного тока. При выборе рабочей точки П на пологом участке выходной характеристики ( 1.8) сопротивление промежутка коллектор — эмиттер постоянному току (статическое сопротивление) Rc-,= UKn/IKn на два-три порядка меньше

противление индуктивной катушки очень мало. Сопротивление транзистора постоянному току (статическое сопротивление) на два-три порядка меньше сопротивления переменному току (динамическое сопротивление). Основным параметром, характеризующим эффективность действия сглаживающего фильтра, является коэффициент сглаживания, равный отношению коэффициентов пульсаций на входе и выходе фильтра:

Применение транзисторов в фильтрах основано на различии сопротивлений для постоянной и переменной составляющих коллекторного тока. При выборе рабочей точки на пологом участке выходной характеристики ( 9.12) сопротивление промежутка коллектор — эмиттер постоянному току (статическое сопротивление) RCT = = UК0/1ко на два-три порядка меньше сопротивления этого промежутка переменному току Д(/К/Д/К (динамическому сопротивлению), определяемого величиной 1/Л22. Электронные фильтры снижают пульсации примерно в 3—5 раз.

Для выбора сопротивлений Rl и R2 заменим схему делителя с источником питания эквивалентной схемой на 9.11. Если выбрать рабочую точку посредине падающего участка вольт-амперной характеристики, то статическое сопротивление туннельного диода в рабочей точке будет

Статические МН запасают потенциальную энергию посредством упругого изменения формы или объема рабочего тела либо при его перемещении против направления силы тяжести в гравитационном поле. Твердое, жидкостное или газообразное рабочее тело этих МН имеет статическое состояние в режиме хранения энергии, а заряд и разряд НЭ сопровождаются движением рабочего тела.

Сведения об этих методах даются в курсах математики; методы нашли широкое применение в электротехнике и теории автоматического управления. Подобно тому как в механике движение материальных тел описывается при помощи дифференциальных или интегродифференциальных уравнений, а статическое состояние — при помощи алгебраических уравнений, в электротехнике этими уравнениями описываются переходные и установившиеся процессы.

Статическое состояние транзистора в ключевой схеме определяется режимами отсечки и насыщения (ключ закрыт или открыт), а процесс перехода транзистора от одного режима к

3. Статическое состояние открытого ТК. С включением ТК токи в коллекторе и базе практически постоянны, а изменение ik(0 выражается в накоплении неосновных носителей заряда в. базе, что существенно влияет на время выключения ТК. Процесс накопления заряда заканчивается через время ^н = 362, где 82 = КкСк*; Ск* — диффузионная емкость р — n-перехода. :

При ^Onop
Из теоремы Гаусса вытекает важное следствие, что электрический заряд на заряженном проводящем теле любой формы распределяется на его поверхности или, точнее, в весьма тонком слое вблизи поверхности. Напряженность поля внутри проводника при статическом состоянии зарядов должна быть равна нулю. Действительно, при наличии электрического поля в проводящей среде свободные электрически заряженные частицы придут в движение и, следовательно, статическое состояние установится только тогда, когда напряженность поля внутри проводника во всем его объеме станет равной нулю. Поэтому, проводя любую замкнутую поверхность внутри проводящего тела, получим поток ЧЕ = ф Е ds сквозь эту

Сведения об этих методах даются в курсах математики; методы нашли широкое применение в электротехнике и теории автоматического управления. Подобно тому как в механике движение материальных тел описывается при помощи дифференциальных или интегродифференциальных уравнений, а статическое состояние — при помощи алгебраических уравнений,

Открытое статическое состояние МДП-транзистора обеспечивается при выполнении условия

Статическое состояние открытого ключа графически определяется по точке пересечения ВАХ нагрузки и ВАХ МДП-транзистора (точка В на 4.12). Наклон выходной ВАХ МДП-транзистора на ее крутом участке при больших напряжениях на затворе характеризуется сопротивлением канала гкан [см. (4.44)]. Следует подчеркнуть, что чем больше значение напряжения на затворе i/зи, тем круче наклон выходной ВАХ, меньше сопротивле- a**f ние канала и меньше остаточное напряжение t/ост- Зависимость сопротивления канала от напряжения на затворе — rKaH=f (U зи) приведена на 4.19. Типичные значения сопротивления канала гкан для интегральных транзисторов — не ниже 1 Ом, для мощных — десятые доли ома.

Закрытое статическое состояние МДП-ключа обеспечивается при выполнении условия

Подобно тому, как в механике движение материальных .тел описывается дифференциальными уравнениями динамики, а статическое состояние — алгебраическими уравнениями, так и в электротехнике динамические переходные процессы описываются дифференциальными уравнениями, а стационарные процессы — алгебраическими уравнениями.

Из теоремы Гаусса вытекает важное следствие, что электрический заряд на заряженном проводящем теле любой формы распределяется на его поверхности, или, точнее, в весьма тонком слое вблизи поверхности. Напряженность поля внутри проводника при статическом состоянии зарядов должна быть равна нулю. Действительно, при наличии электрического поля в проводящей среде свободные электрически заряженные частицы придут в движение и, следовательно, статическое состояние установится только тогда, когда напряженность поля внутри проводника во всем его объеме станет равной нулю. Поэтому, проводя любую замкнутую поверхность внутри проводящего тела, получим поток Ч'Е = § Eds сквозь эту поверхность равным нулю. Таким образом, согласно тео-