Статической индукцией

режиме % определяется статической характеристикой электропривода; при регулируемом электроприводе эта скорость изменяется от цикла к циклу; увеличиваясь с уменьшением момента в установившемся режиме Мс, который равен статическому моменту. Площадь диаграммы скорости представляет собой путь талевого блока при подъеме, равный длине одной свечи.

При спуске одной свечи так же, как при подъеме, исходным будем считать нижнее положение талевого блока. Вначале производятся подъем незагруженного талевого блока на максимальной скорости в верхнее положение и «подхват» бурильной колонны. Затем происходит разгон в направлении спуска, при этом электропривод развивает некоторый тормозной момент Мк, относительно небольшой или равный нулю. Частота вращения в установившемся режиме пу определяется статической характеристикой электропривода, а момент Мл равен статическому моменту.

Основной статической характеристикой логических элементов является зависимость напряжения на выходе от напряжения на одном из входов (при потенциальных значениях напряжений на остальных входах), называемая передаточной характеристикой. Существуют два типа передаточных характеристик: с инверсией и без инверсии входного сигнала. Передаточные характеристики логических элементов, на выходе которых не происходит инверсии входных сигналов, приведены на 1.1, я, а на выходе которых она имеет место, — на 1.1, б.

Зависимость потребляемых электроприемником активной и реактивной мощностей от напряжения называется статической характеристикой нагрузки по напряжению (см. 8.3). Эта зависимость в общем случае нелинейна. Для упрощения ее часто представляют в виде линейной зависимости и численно характеризуют величиной регулирующего эффекта нагрузки. Под регулирующим эффектом нагрузки понимают изменение потребляемой мощности электроприемника в процентах при отклонении напряжения на 1%. Например, регулирующий эффект, равный 2,5, означает, что при отклонении напряжения на 1 % в ту же сторону изменяется потребляемая мощность электроприемника на 2,5%.

Основной статической характеристикой терморезистора является зависимость сопротивления рабочего тела от температуры, которая носит название температурной характеристики.

3. Перейдем к выбору рабочего участка и рабочей точки, исходя из условия задачи о получении наибольшей мощности при минимальных искажениях. Рабочий участок с одной стороны ограничивается точкой пересечения линии нагрузки со статической характеристикой, снятой при напряжении сетки Uc=0 (условие работы без сеточных токов), а с Другой — точкой пересечения линии нагрузки с прямой линией, проведенной параллельно оси абсцисс на уровне 1атт (ниже этой линии располагаются криволинейные участки характеристики). Возьмем /amin=2 мА.

номинальной статической характеристикой преобразования терморезистора, приведенной в табл. 16.2. установить Ri соответствующее температуре терморезистора в=100°С, и, регулируя напряжение питания моста 1/и, плучить ток / в измерительной диагонали моста, равный 200 мкА.

Потребляемая реактивная мощность определяется уровнем напряжения у потребителя и характеризуется так называемой статической характеристикой нагрузки, выражающей зависимость реактивной мощности от изменения напряжения. В свою очередь генерируемая реактивная мощность для источника соизмеримой мощности с нагрузкой характеризуется статической характеристикой генерации. Совместные точки обоеих этих характеристик и определяют устойчивый режим работы системы. ,На 11-1 приведены кривые, выражающие зависимость потребляемой и генерируемой реактивной 306

Величины, характеризующие в статическом режиме влияние изменений напряжений на одном или двух электродах лампы на изменение тока в цепи какого-либо электрода, при неизменных значениях напряжений на остальных электродах, называются статическими параметрами. Зависимость тока в цепи какого-либо электрода от напряжения на электроде в статическом режиме называется статической характеристикой.

Для измерения широко используются преобразователи различных видов. Преобразователь воспринимает величину, характеризующую протекание регулируемого процесса, и преобразует ее в величину, удобную для усиления и передачи на расстояние (дистанционная передача). Преобразователи характеризуются статической характеристикой, которая представляет собой зависимость

Если мощность нагрузки потребителя задана статической характеристикой, то нелинейный ток

Наибольшее применение в силовой электронике нашли мощные МДП-транзисгоры и транзисторы со статической индукцией (СИТ).

Типичная структура мощного полевого транзистора с управляющим р-п переходом изображена на 4.36, а. Полевой транзистор на основе такой структуры получил особое название — транзистор со статической индукцией (СИТ). Этот прибор обладает выходными ВАХ, отличающимися от выходных ВАХ, рассмотренных ранее транзисторов (см. 2.22, 4.9, 4.25). Бипо-

В усилительном режиме используют мощные МДП-тран-зисторы и транзисторы со статической индукцией. По сравнению с СИТ мощные МДП-транзисторы имеют меньшее значение входной емкости (с учетом эффекта Миллера — см. Введение), что позволяет расширить диапазон рабочих частот до 1000 кГц у МДП-транзисторов (для СИТ верхняя граница частотного диапазона составляет 100 кГц).

Динамическая модель мощного транзистора со статической индукцией (СИТ) изображена на 6.25 и спра-

ПТУП — полевой транзистор с управляющим р-п переходом САПР — система автоматизированного проектирования СВЧ—сверхвысокая частота (f»300 МГц) СЗЗ — сужение запрещенной зоны СИД — светоизлучающий диод СИТ —транзистор со статической индукцией ТДР — термодинамическое равновесие

со статической индукцией СИТ 330, 343

4.6.3. Транзисторы со статической индукцией .... 343

Разработаны и выпускаются мощные биполярные и униполярные транзисторы. Специально для целей силовой электроники разработаны и выпускаются мощные четырехслойные приборы — тиристоры и симисторы. К последним достижениям силовой электроники относится разработка новых типов транзисторов: со статической индукцией (СИТ и БСИТ) и биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ). Новые типы транзисторов могут коммутировать токи свыше 500 А при напряжении до 2000 В. В отличие от тиристоров эти приборы имеют полное управление, высокое быстродействие и малое потребление по цепи управления.

Структура транзистора со статической индукцией (СИТ)

пустимый выходной ток транзистора, при котором усиление транзистора не падает ниже заданного минимального значения. Для мощных биполярных транзисторов коэффициент передачи тока снижается до значений 3...5 Значительно большим значением коэффициента передачи по току обладают транзисторы со статической индукцией, в том числе и БСИТ, что является их преимуществом перед биполярными аналогами.

Максимальная температура переходов ключа, а также максимальная температура его корпуса определяются свойствами исходного материала, особенностями структуры переходов и конструкции. Для биполярных транзисторов и транзисторов со статической индукцией максимально допустимая температура несколько больше, чем для мощных МДП-тран-зисторов и IGBT.