Статическим параметрамМножитель /3 называется статическим коэффициентом усиления тока в схеме ОЭ:
Динамический коэффициент усиления триода определяется его статическим коэффициентом усиления ц и соотношением между Rs и RI. В усилителях напряжения на триодах выбирают Ra = (2 -*- 5)/?(. Если jRa = 4/?(, то
В транзисторе с достаточно тонкой базой почти все инжектированные эмиттером электроны попадают в цепь коллектора, а значение /к близко к /э. Отношение этих токов /?21Б = /к/'э называют статическим коэффициентом передачи тока в схеме с общей базой. Обычно /»21Б = = 0,95 -f- 0,995, а /б во много раз меньше /к.
5.9. Как нужно соединить между собой электроды тетрода, чтобы он работал: а) как триод с высоким статическим коэффициентом усиления (л; б) как триод с относительно малым статическим коэффициентом усиления?
При RH -> 0 и в -> 0 из выражения (VIII.37) получаем предельное максимальное (но на практике недостижимое) значение /С/max пред, называемое иначе статическим коэффициентом стабилизации тока
Степень влияния базового тока на ток коллектора оценивается параметром, называемым статическим коэффициентом передачи тока базы
Коэффициент пропорциональности а называют статическим коэффициентом передачи тока эмиттера и обозначают через h-параметр (см. § 5.3): а = /г2б, где индекс «б» означает подключение транзистора по схеме с ОБ. Для современных транзисторов этот параметр может иметь знамения от 0,900 до 0,999, и чем он ближе к единице, тем транзистор считается лучше.
Полученное выражение (5.5) называется основным уравнением. Оно позволяет выразить ток коллектора через ток базы /б. Параметр р называется статическим коэффициентом передачи тока базы биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ. Через /г-параметры (см. § 5.3) коэффициент р выражается так: Р=/г2ь. В зависимости от типа транзистора р изменяется от 10 до 300.
Отношение величин статических сопротивлений — обратного гобр к прямому гпр, измеренных при одном I! том же значении напряжения постоянного тока, равное обратному отношению соответствующих токов, т. е. прямого тока / к обратному /Обр. называется статическим коэффициентом выпрямления
при одном к том же значении напряжения постоян- V ^ ного тока, равное обратному отношению соответствующих токов, т. е. прямого тока /пр к обратно- А— му /Обр, называется статическим коэффициентом а
Коэффициент k иногда называют статическим коэффициентом усиления, подчеркивая этим, что он определяет соотношение между выходной и входной физическими величинами в установившемся режиме (р == 0). Он может быть как размерным, так и безразмерным в зависимости от физических величин на входе и на выходе звена.
Логические схемы характеризуются статическими и динамическими параметрами. К статическим параметрам относятся: напряжение источника питания ии п; входное U°BX , t/BX и выходное и°ВЪ1Х , ^вых напряжения логи-
К статическим параметрам относят входные и выходные токи и напряжения, соответствующие логическим 1 и 0; токи потребления в двух состояниях; мощности, потребляемые схемой в состояниях 0 и 1. Средняя потребляемая мощность определяется по формуле /)пот.сР = (^2от + >Рпот)/2 = Х^р^по„, где Р2« —мощность, потребляемая устройством в состоянии 0; Р„ОТ — мощность, потребляемая устройством в состоянии 1; /ср—средний ток, потребляемый одним элементом устройства. Помехоустойчивость характеризуется допустимым напряжением статической помехи ипоы, при подаче которого на вход цифрового устройства не наблюдается его ложного срабатывания.
При выборе диода необходимо учитывать, что по своим предельным допустимым и статическим параметрам он должен соответствовать выбранному сердечнику. Так, если в цепи передачи используется один диод (как это обычно бывает), то мощность, которую он может передать в импульсе, должна быть не меньше мощности, которую может передать сердечник, т. е. с учетом коэффициентов формы тока и напряжения получим:
Ферромагнитные сердечники управляются магнитным полем. Внешнее поле, воздействующее на магнитное состояние сердечника, создается с помощью обмоток, по которым проходит ток. К основным статическим параметрам сердечника относятся коэрцитивная сила Яс, остаточная магнитная индукция Вг и коэффициент прямоугольности КП. Эти параметры можно определить по предельной статической петле гистерезиса ферромагнитного материала, которая является функцией В = /(#) ( 10.36), где В — магнитная индукция, а Н — напряженность равномерного постоянного или медленно изменяющегося внешнего магнитного поля.
Параметры ОУ подразделяются на статические и динамические. К наиболее важным статическим параметрам относятся ЕСм, ОЕТ, /вх, а/г, а к динамическим — f\, VKaKC и tycr.
Система статических параметров транзистора выбирается таким образом, чтобы с помощью минимального числа этих параметров можно было бы наиболее полно отобразить особенности статических характеристик транзистора в различных режимах. Можно выделить статические параметры режима отсечки, активного режима и режима насыщения. К статическим параметрам относятся также величины, отображающие характеристики вблизи пробоя.
Статические и динамические параметры, параметры электрического и эксплуатационного режимов. К основным статическим параметрам относятся прямое падение напряжения {/Пр при заданном прямом токе /цР, постоянный обратный ток /обр при заданном обратном напряжении (Уобр.
К статическим параметрам диодов относят постоянный обратный ток /Обр при заданном ?/0бр, постоянное прямое напряжение ?/гр при заданном /пр. Для диодных сборок и матриц 1/пр указываются для двух значений тока Г и /~р, соответствующих областям малых и больших прямых токов на ВАХ.
Система статических параметров транзистора выбирается таким образом, чтобы с помощью минимального числа этих параметров можно было бы наиболее полно отобразить особенности статических характеристик транзистора в различных режимах. Можно выделить статические параметры режима отсечки, активного режима и режима насыщения. К статическим параметрам относятся также величины, отображающие характеристики вблизи пробоя.
Основные и вспомогательные параметры (см. 220 и 221), характеризующие рабочие свойства ферритов с ППГ (прямоугольной петлей гистерезиса), принято делить на статические и динамические. К статическим параметрам относятся коэффициент прямо-угольности а и коэффициент квадрат-ности К, к динамическим — коэффициент переключения Sw и время перемагничивания Тп. Коэффициент прямо-угольности вычисляют по формуле а = Br/Bs. Коэффициент квадратности определяют по графику предельной петли гистерезиса, снятой при изменении намагничивающего поля в пределах ± 5ЯС и вычисляют по формуле
Силовые диоды обычно характеризуют набором статических и динамических параметров. К статическим параметрам диода относятся:
Похожие определения: Статистических материалов Статистической обработкой Стеклянные изоляторы Стендовых испытаний Сопротивлением открытого Стержневого молниеотвода Стояковых подшипниках
|